測定モード
Bar (定性・定量測定)
SIM (m/z指定モード)
加熱方式
赤外線加熱方式
高周波加熱方式
サンプル導入可能サイズ
赤外線加熱型TDS：15×15mm t=4mm
高周波加熱型TDS：直径20mm 40mmL
Bar (定性・定量測定)
SIM (m/z指定モード)
加熱方式
赤外線加熱方式
高周波加熱方式
サンプル導入可能サイズ
赤外線加熱型TDS：15×15mm t=4mm
高周波加熱型TDS：直径20mm 40mmL
関連情報
【仕様】
■試料サイズ：15×15×t4mm以下
■試料形状
・特に制約なし
・単純板状試料はホルダーなしでトランスファー可能
・粉体試料、複雑形状試料はホルダーを用い測定可能
■感度：脱離速度1×10 11Ar/s(at S/N=3)
■繰り返し精度：2α＜5%(MIDモード/1日)
■試料加熱チャンバ
〔検出器〕
・四重極質量分析計(QMS)
・質量数範囲：1～199Da
・質量分解能：(M/ΔM)≧M
※質量数範囲増大化及び高分解能化可能(オプション)
・内部容量：約10L(0.01ｍ3)
・加熱方式：合成石英ライトガイドを介した近赤外線照射
・加熱源：1KWハロゲンランプ
※2KWハロゲンランプ加熱源へ変更可能(オプション)
・温度検出器：熱電体(試料ステージ内及び試料表面接触)
熱電体材質 タングステン・レニウム合金(W/Re5-26)
※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
■試料サイズ：15×15×t4mm以下
■試料形状
・特に制約なし
・単純板状試料はホルダーなしでトランスファー可能
・粉体試料、複雑形状試料はホルダーを用い測定可能
■感度：脱離速度1×10 11Ar/s(at S/N=3)
■繰り返し精度：2α＜5%(MIDモード/1日)
■試料加熱チャンバ
〔検出器〕
・四重極質量分析計(QMS)
・質量数範囲：1～199Da
・質量分解能：(M/ΔM)≧M
※質量数範囲増大化及び高分解能化可能(オプション)
・内部容量：約10L(0.01ｍ3)
・加熱方式：合成石英ライトガイドを介した近赤外線照射
・加熱源：1KWハロゲンランプ
※2KWハロゲンランプ加熱源へ変更可能(オプション)
・温度検出器：熱電体(試料ステージ内及び試料表面接触)
熱電体材質 タングステン・レニウム合金(W/Re5-26)
※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
【赤外線加熱型TDS】
・TDS1200_2に準じます。
【パッケージ破砕機構】
・サンプルサイズ(標準)：7mm×7ｍｍ×3mm(サンプルサイズに関しては別途ご相談ください。)
・測定可能な内容積：0.001ml~1ml
・分析対象ガス：H2,He,H2O,N2,CO,O2,Ar,CO2
・TDS1200_2に準じます。
【パッケージ破砕機構】
・サンプルサイズ(標準)：7mm×7ｍｍ×3mm(サンプルサイズに関しては別途ご相談ください。)
・測定可能な内容積：0.001ml~1ml
・分析対象ガス：H2,He,H2O,N2,CO,O2,Ar,CO2
・サンプルサイズ：12mm×12mm×4mmt (MAXサイズ)
・昇温速度：30~300℃/h
・可変温度領域：-250℃~500℃
・検出感度：0.01ppm程度
・昇温速度：30~300℃/h
・可変温度領域：-250℃~500℃
・検出感度：0.01ppm程度
・試料サイズ：直径20mm×長さ40mm
・試料形状：特に制約無し
・感度：脱離速度1x10^11Ar/s(at S/N=3)
・検出器：四重極質量分析計（QMS)
検出範囲 m/z1～199
質量分解能 (M/△M)≧M
・冷却トラップ(オプション)：液体窒素フロー式若しくはヘリウムガスクローズドサイクル式
※液体窒素フロー式の場合、液体窒素自動供給装置及び液体窒素容器を付加することも可(オプション)
・加熱方式：高周波誘導加熱
試料加熱チャンバ 加熱源 高周波電源（周波数45kHz）
(分析チャンバ) ※電波法により総務省通信局に対する高周波利用設備設置の許可申請が必要です
・温度検出器：熱電対（試料表面接触） 及び 放射温度計（180~2000℃）
・到達圧力(分析チャンバ)：1×10-6 Pa以下
加熱制御 制御温度範囲 低温モード：－50～600℃，高温モード：100℃～1700℃
・試料形状：特に制約無し
・感度：脱離速度1x10^11Ar/s(at S/N=3)
・検出器：四重極質量分析計（QMS)
検出範囲 m/z1～199
質量分解能 (M/△M)≧M
・冷却トラップ(オプション)：液体窒素フロー式若しくはヘリウムガスクローズドサイクル式
※液体窒素フロー式の場合、液体窒素自動供給装置及び液体窒素容器を付加することも可(オプション)
・加熱方式：高周波誘導加熱
試料加熱チャンバ 加熱源 高周波電源（周波数45kHz）
(分析チャンバ) ※電波法により総務省通信局に対する高周波利用設備設置の許可申請が必要です
・温度検出器：熱電対（試料表面接触） 及び 放射温度計（180~2000℃）
・到達圧力(分析チャンバ)：1×10-6 Pa以下
加熱制御 制御温度範囲 低温モード：－50～600℃，高温モード：100℃～1700℃
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
お問い合わせ
※お問い合わせをすると、以下の出展者へ会員情報(会社名、部署名、所在地、氏名、TEL、FAX、メールアドレス)が通知されること、また以下の出展者からの電子メール広告を受信することに同意したこととなります。
電子科学株式会社
