上記では、電子ブックの一部をご紹介しております。
その組立工程では、サブキャリアへのアライメントおよびボンディング、サブアセンブリの特殊ヒートシンクへのボンディングが行われており、本技術資料では、レーザーダイオードバーの組み立てに関連する課題、よくあるエラーケース、プロセスを成功させるためのソリューションとしてのファインテックのアプローチについて説明します。
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
関連情報
【技術資料】レーザーバーボンディング
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高精度ダイボンダ/フリップチップボンダ femto2:フェムト2
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【主な仕様】
○搭載精度：±0.3μm @ 3Sigma
○光学視野範囲：3.8mm x 2.7mm
○光学視野解像度：1μm/pix
○対応チップサイズ(最小)：0.03mm x 0.03mm～100mm x 100mm
○θ微調整：±9°/ 3.5μrad
○Z移動 / 精度：10mm / 0.2μm
○Y移動 / 精度：150mm / 0.02μm
○X移動 / 精度：660mm / 0.02μm
○基板加熱温度：500℃
○ボンディング荷重範囲：0.05N ～ 1000N
※詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
高精度ダイボンダー/フリップチップボンダー sigma:シグマ
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【主な仕様】
○搭載精度：±0.5μm
○光学視野範囲：3.8mm(拡張83mm) x 2.7mm
○光学視野解像度：1μm/pix
○対応チップサイズ：0.1mm x 0.1mm～80mm x 100mm
○対応基板サイズ(最大)：300mm x 300mm
○θ調整範囲：±15°(±2°微調)
○Z高さ調整範囲：10mm
○ワーキングエリア：440mm x 150mm
○ボンディング荷重(最大)：1000N
○加熱温度(最大)：450℃
○真空バキュームチャンバープロセス対応
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高精度ダイボンダー・フリップチップボンダー『lambda2』
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【主な仕様】
○搭載精度：0.5μm
○光学視野範囲：0.54mm×0.43mm(最小)、6.6mm×5.28mm(最大)
○θ微動調整範囲：±15°
○Z高さ調整範囲：10mm
○ワーキングエリア：190mm×52mm
○加重範囲：0.1N～400N
○最大加熱温度：450℃
○装置サイズ：660mm×610mm×640mm(本体)
○ギ酸ガスプロセスにも対応
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【技術資料】有機基板へのフリップチップボンディング
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【搭載精度2.0μm@3σ】高精度ダイボンダーfemto blu
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※製品カタログと技術資料をダウンロードいただけます。
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全自動高精度ダイボンダ『FINEPLACER femto2』
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【主な仕様】
搭載精度：±0.5μm＠3Sigma
光学視野範囲：3.8mm×2.7mm
光学視野解像度：1μm / pix
対応チップサイズ：(最小)0.03mm×0.03mm～(最大)100mm×100mm
θ微調整：±9°/ 3.5μrad
X移動/精度：660mm / 0.02μm
Y移動/精度：150mm / 0.02μm
Z移動/精度：10mm / 0.02μm
基板加熱温度：500℃
ボンディング荷重範囲：0.05N～1000N
※詳しくは資料をご覧ください。お問い合わせもお気軽にどうぞ。
高精度 フリップチップボンダー：lambda2
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【主な仕様】
○搭載精度：0.5μm
○光学視野範囲：0.54mm×0.43mm(最小)、6.6mm×5.28mm(最大)
○θ微動調整範囲：±15°
○Z高さ調整範囲：10mm
○ワーキングエリア：190mm×52mm
○加重範囲：0.1N～400N
○最大加熱温度：450℃
○装置サイズ：660mm×610mm×640mm(本体)
○ギ酸ガスプロセスにも対応
※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
高精度フルオート フリップチップボンダー：femto2
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【主な仕様】
○搭載精度：±0.5μm @ 3Sigma
○光学視野範囲：3.8mm x 2.7mm
○光学視野解像度：1μm/pix
○拡大視野範囲：103.8mm x 2.7mm
○対応チップサイズ(最小)：0.03mm x 0.03mm～100mm x 100mm
○θ微調整：±9°/ 3.5μrad
○Z移動 / 精度：10mm / 0.2μm
○Y移動 / 精度：150mm / 0.1μm
○X移動 / 精度：450mm / 0.1μm
○基板加熱温度：500℃
○ボンディング荷重範囲：0.05N ～ 1000N
※詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
高精度・高機能 フリップチップボンダー：sigma
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【主な仕様】
○搭載精度：±0.5μm
○光学視野範囲：3.8mm(拡張83mm) x 2.7mm
○光学視野解像度：1μm/pix
○対応チップサイズ：0.1mm x 0.1mm～80mm x 100mm
○対応基板サイズ(最大)：300mm x 300mm
○θ調整範囲：±15°(±2°微調)
○Z高さ調整範囲：10mm
○ワーキングエリア：440mm x 150mm
○ボンディング荷重(最大)：1000N
○加熱温度(最大)：450℃
○真空バキュームチャンバープロセス対応
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フルオート フリップチップボンダー：femto blu
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【技術資料】異方性導電接着剤を用いたボンディング
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【技術資料】オプティカル パッケージ アセンブリ
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【技術資料】マルチエミッターモジュール アセンブリ
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【技術資料】レーザーアシスト ダイボンディング
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【技術資料】VCSEL および フォトダイオード の アセンブリ
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【技術資料】熱圧着ボンディング
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