ファインテックのレーザーアシストダイボンディング技術は、プロセス速度、精度、局所的な加熱を正確に制御することが求められる、チップ・サブストレート（C2S）およびチップ・ウェーハ（C2W）アプリケーションに適しています。特に短時間での温度サイクルは、表面酸化のリスクを最小限に抑え、時間的な最適化が求められる生産環境でプロセスサイクルの短縮を可能にします。基板レベルまたはウェハレベルの連続したボンディングプロセスでは、各チップは一度だけ加熱されます。また、エリア加熱とは異なり、局所的なレーザー加熱では、熱膨張を防ぐための大掛かりな設備は必要ありません。このような特徴を持つレーザーアシストダイボンディングは、ファインテックのアセンブリ・パッケージング技術に新たに加わる有効な技術です
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