LV-SEMとEBIC法によるSiC MOSFETの拡散層の観察
SiCパワーデバイスでも、特定箇所の断面作製、拡散層の形状観察、さらに配線構造、結晶構造解析まで一貫対応が可能です!
最終更新日:
2020-11-16 11:41:25.0
クロスセクションポリッシャー(CP)法による断面観察サービス
高い加工精度と広い加工領域を実現!冷却機能でダメージを軽減しながらの加工も可能です
最終更新日:
2020-08-06 13:06:01.0