上記では、電子ブックの一部をご紹介しております。
低損失な回路形成が可能です。
スルーホール、スリット加工をした基板上への回路形成、エアーブリッジ、サイドパターン、AuSn半田の形成や、導体、抵抗、インダクタの同時搭載が可能です。
高誘電体基板、窒化アルミニウム基板（AlN基板）、石英基板なども取り
揃えております。
関連情報
薄膜集積回路部品
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弊社は、セラミックス基板をベースにした薄膜集積回路のパターン形成をはじめ、成膜、ダイシングに至るまで一貫した製造設備を備え、各種回路のご要求に応じております。スパッタ装置、蒸着装置、ドライエッチング装置等を備え、量産体制も整っております。また、開発・研究に関わる各種回路についても技術面や納期面等の様々なご要望に応じております。
エレクトロニクセラミックス総合カタログ(基板～回路形成)
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基板メーカーだからこそ出来るトータルな技術開発・品質保証・問題解決が可能です。短納期・設計変更にも迅速に対応致します。
【開発品】AlN基板×Cu75μmサブマウント
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基板メーカーだからこそ、トータルな技術開発・品質保証・問題解決が可能です。短納期・設計変更にも迅速に対応致します。お気軽にご相談ください。
【用途例】センサー 99.9％アルミナ基板
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【特長】
○良好な表面粗さ 焼放でRa 0.03μm
○高強度 三点曲げ強度660MPa
○高純度 99.9%の高純度による高い信頼性
○緻 密 内部気孔少なく緻密な材料
○高周波帯域での小さい誘電損失 tanδ:10-4 at 10GHz
○厚さ0.05mmの極薄基板も製作可能
○純度99.5%、96％のアルミナ基板もラインナップしております。
●その他機能や詳細については、お問合わせ下さい。
【新技術】段付きセラミックス基板への薄膜集積回路形成
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段深さ：0.1mm ±0.03mm
Side Aの薄膜集積回路 最小パターン寸法：0.03±0.01mm
Side Cの薄膜集積回路 最小パターン寸法：0.05±0.01mm
AuSnパターンの最小パターン寸法：0.05±0.03mm ※Side A ,Side C形成可能
R部：R ≦0.1mm
Side C 表面粗さ：Ra≦1μm
基板メーカーだからこそ、トータルな技術開発・品質保証・問題解決が可能です。短納期・設計変更にも迅速に対応致します。
【開発品】高熱伝導・高強度＜窒化ケイ素 薄膜回路基板＞誕生
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・熱伝導率90W相当
・膜構成：Ti/Pd/Au、Ti/Pd/Cu/Ni/Au
・スルーホール、キャスタレーション等の各種加工に対応
・薄膜抵抗、AuSn等の搭載も可能
【開発情報】高誘電体基板・単板コンデンサ
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●高誘電体基板
・薄膜回路を形成してご提供致します。
・薄膜抵抗の形成により、ＣＲ複合回路への展開が可能です。
・AuSnプリコーティングにも対応致します。
●単板コンデンサ
・高誘電体基板を上下の電極で挟んだ構造になります。
・基板のサイズと厚みで容量値の調整が可能です。(詳細は別途ご相談)
・AuSnプリコーティングにも対応致します。
薄膜用 高強度アルミナ基板
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●特長
・アルミナの純度が高く、耐環境性に優れている。
・強度が高く、基板を薄板化しても割れにくい。
・基板表面の平面平滑性に優れ、ボイドが少なく、薄膜回路形成に適している。
●用途
各種温度センサー用基板、チップ抵抗器用基板、高周波部品用基板
※基板メーカーだからこそ、トータルな技術開発・品質保証・問題解決が可能です。
短納期・設計変更にも迅速に対応致します。お気軽にご相談ください。
【設計事例・技術紹介】高周波ソリューション
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【設計・評価技術】
5Gで使用される26GHzや40GHz帯での設計・評価の実績がございます。Beyond 5G (6G) では100GHz以上、更に高いテラヘルツ波が利用されます。材料技術、加工技術、シミュレーション技術、測定技術を用いて、この帯域においても、お客様が求める低損失なデバイスを提供致します。
【基板材料】
低誘電率から高誘電率まで、幅広い材料ラインナップがございます。
誘電正接も小さく、中でも99.9%アルミナは数十GHz帯で10^-5台と非常に低損失な材料です。
【パターニング技術】
低誘電率から高誘電率まで、幅広い材料ラインナップがございます。
誘電正接も小さく、中でも99.9%アルミナは数十GHz帯で10^-5台と非常に低損失な材料です。
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日本ファインセラミックス株式会社
