上記では、電子ブックの一部をご紹介しております。
・薄膜回路を形成してご提供致します。
・薄膜抵抗の形成により、ＣＲ複合回路への展開が可能です。
・AuSnプリコーティングにも対応致します。
●単板コンデンサ
・高誘電体基板を上下の電極で挟んだ構造になります。
・基板のサイズと厚みで容量値の調整が可能です。(詳細は別途ご相談)
・AuSnプリコーティングにも対応致します。
弊社は、セラミックス基板をベースとした薄膜集積回路のパターン形成をはじめ、成膜、ダイシング至るまでの一貫した製造設備を備え、各種回路のご要求に応じております。
スルーホール、キャスタレーション、サイドパターンの技術を保有し、お客様の様々なご要求にお応えします。
関連情報
【開発情報】高誘電体基板・単板コンデンサ
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●高誘電体基板
・薄膜回路を形成してご提供致します。
・薄膜抵抗の形成により、ＣＲ複合回路への展開が可能です。
・AuSnプリコーティングにも対応致します。
●単板コンデンサ
・高誘電体基板を上下の電極で挟んだ構造になります。
・基板のサイズと厚みで容量値の調整が可能です。(詳細は別途ご相談)
・AuSnプリコーティングにも対応致します。
【開発品】高熱伝導・高強度＜窒化ケイ素 薄膜回路基板＞誕生
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・熱伝導率90W相当
・膜構成：Ti/Pd/Au、Ti/Pd/Cu/Ni/Au
・スルーホール、キャスタレーション等の各種加工に対応
・薄膜抵抗、AuSn等の搭載も可能
【開発品】AlN基板×Cu75μmサブマウント
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基板メーカーだからこそ、トータルな技術開発・品質保証・問題解決が可能です。短納期・設計変更にも迅速に対応致します。お気軽にご相談ください。
【新技術】段付きセラミックス基板への薄膜集積回路形成
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段深さ：0.1mm ±0.03mm
Side Aの薄膜集積回路 最小パターン寸法：0.03±0.01mm
Side Cの薄膜集積回路 最小パターン寸法：0.05±0.01mm
AuSnパターンの最小パターン寸法：0.05±0.03mm ※Side A ,Side C形成可能
R部：R ≦0.1mm
Side C 表面粗さ：Ra≦1μm
基板メーカーだからこそ、トータルな技術開発・品質保証・問題解決が可能です。短納期・設計変更にも迅速に対応致します。
エレクトロニクセラミックス総合カタログ(基板～回路形成)
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基板メーカーだからこそ出来るトータルな技術開発・品質保証・問題解決が可能です。短納期・設計変更にも迅速に対応致します。
【用途例】センサー 99.9％アルミナ基板
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【特長】
○良好な表面粗さ 焼放でRa 0.03μm
○高強度 三点曲げ強度660MPa
○高純度 99.9%の高純度による高い信頼性
○緻 密 内部気孔少なく緻密な材料
○高周波帯域での小さい誘電損失 tanδ:10-4 at 10GHz
○厚さ0.05mmの極薄基板も製作可能
○純度99.5%、96％のアルミナ基板もラインナップしております。
●その他機能や詳細については、お問合わせ下さい。
【５G】小型化、高精度化を実現するセラミックス基板・薄膜集積回路
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基板メーカーだからこそ、トータルな技術開発・品質保証・問題解決が可能です。短納期・設計変更にも迅速に対応致します。
薄膜用 高強度アルミナ基板
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●特長
・アルミナの純度が高く、耐環境性に優れている。
・強度が高く、基板を薄板化しても割れにくい。
・基板表面の平面平滑性に優れ、ボイドが少なく、薄膜回路形成に適している。
●用途
各種温度センサー用基板、チップ抵抗器用基板、高周波部品用基板
※基板メーカーだからこそ、トータルな技術開発・品質保証・問題解決が可能です。
短納期・設計変更にも迅速に対応致します。お気軽にご相談ください。
【設計事例・技術紹介】高周波ソリューション
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【設計・評価技術】
5Gで使用される26GHzや40GHz帯での設計・評価の実績がございます。Beyond 5G (6G) では100GHz以上、更に高いテラヘルツ波が利用されます。材料技術、加工技術、シミュレーション技術、測定技術を用いて、この帯域においても、お客様が求める低損失なデバイスを提供致します。
【基板材料】
低誘電率から高誘電率まで、幅広い材料ラインナップがございます。
誘電正接も小さく、中でも99.9%アルミナは数十GHz帯で10^-5台と非常に低損失な材料です。
【パターニング技術】
低誘電率から高誘電率まで、幅広い材料ラインナップがございます。
誘電正接も小さく、中でも99.9%アルミナは数十GHz帯で10^-5台と非常に低損失な材料です。
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日本ファインセラミックス株式会社
