常圧CVD(APCVD)の特色はそのまま、手軽に成膜が可能す。
●納入実績
・国内外半導体デバイス/オプトデバイスメーカー
・大学/研究機関
●装置サイズ(mm): 1200mm(W) x 2480mm(D) x 1940mm(H)
●ガス種: SiH4/O2系 (SiH4/PH3/B2H6/O2/N2)
TEOS/O3系 (TEOS/TMOP/TEB/O3/O2/N2)(オプション)
SiH4/O3系 (SiH4/PH3/B2H6/O3/O2/N2)(オプション)
●成膜温度: 350~430℃(SiH4/O3系 150~300℃)
※詳しくはお問い合わせいただくか、カタログをダウンロードしてご覧ください。