D501は、少量生産/テストや不定形基板へのシリコン酸化膜(SiO2膜)の成膜を目的とした、バッチ式(複数枚同時処理)の常圧CVD装置(APCVD装置)です。
【特徴】
・異形状・サイズ基板の同時処理
・高い成膜速度
・シンプルメンテナンス
・省フットプリント
・低CoO(低ランニングコスト)
【用途】
・層間絶縁膜(NSG/PSG/BPSG)
・拡散/インプラ用ハードマスク, 犠牲膜(NSG)
・パッシベーション膜(保護膜・絶縁膜)(NSG)
・太陽電池(セル)向け固相拡散用ソース膜(BSG,PSG)/キャップ膜(NSG)
※詳しくはお問い合わせいただくか、カタログをダウンロードしてご覧ください。
基本情報
大型トレーに複数枚ウェハをマニュアル装填し、トレーがディスパージョンヘッド(ガスノズル)下を往復させ成膜を行います。
常圧CVD(APCVD)の特色はそのまま、手軽に成膜が可能す。
●納入実績
・国内外半導体デバイス/オプトデバイスメーカー
・大学/研究機関
●装置サイズ(mm): 1200mm(W) x 2480mm(D) x 1940mm(H)
●ガス種: SiH4/O2系 (SiH4/PH3/B2H6/O2/N2)
TEOS/O3系 (TEOS/TMOP/TEB/O3/O2/N2)(オプション)
SiH4/O3系 (SiH4/PH3/B2H6/O3/O2/N2)(オプション)
●成膜温度: 350~430℃(SiH4/O3系 150~300℃)
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価格帯 | お問い合わせください |
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納期 | お問い合わせください |
型番・ブランド名 | Dシリーズ「D501」 |
用途/実績例 | 【用途】 ・層間絶縁膜(NSG/PSG/BPSG) ・拡散/インプラ用ハードマスク, 犠牲膜(NSG) ・パッシベーション膜(保護膜・絶縁膜)(NSG) ・太陽電池(セル)向け固相拡散用ソース膜(BSG,PSG)/キャップ膜(NSG) 【納入実績】 ・国内外半導体デバイス/オプトデバイスメーカー ・大学/研究機関 |
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