上記では、電子ブックの一部をご紹介しております。
ウルトラショートタイムアニーリング用にデザインされたのが特徴の
「フラッシュランプアニーリング装置 FLA」
関連情報
フラッシュランプアニーリング装置 FLA
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【特徴】
○DTF-FLAウルトラショートタイムアニーリング用デザインのスタンドアローン装置
○半導体材料、その他材料に対して数ミリ秒~数百ミリ秒の超短時間アニーリングが可能
○コンパクトで使い勝手がよく、各種アプリケーションの研究開発に最適
○非常に短いパルス(マイクロ/ミリ秒レベル)のキセノンフラッシュランプにより、
超高速昇温レートで表面のみ加熱
○フレキシブル基板、 耐熱温度の低い基板上の膜のアニ-リング処理等に使用
○CIS、CIGS等のソーラーセル(フレキシブル、ガラス基板等)の
ヘテロエピレーヤーの膜質向上
○ITO等の透明導電性酸化膜の改質(フレキシブル、ガラス基板等)
○a-Si、Poly Siの結晶性の向上
○インクジェットによる半導体材料、超薄金属膜、シリコンナノ粒子のアニーリング処理
○Si、Ge、Sn等のナノクリスタルの形成
○ローカルメルティング-再結晶化/FLASiC(SiC on Si)
○ドーパントの活性化(SiC/GaAs) ウルトラシャロージャンクション(Si)
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株式会社マツボー