一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

【分析事例】GaN基板の表面形状分析_C0708

最終更新日: 2024-04-25 11:55:44.0

上記では、電子ブックの一部をご紹介しております。

カタログ発行日:2024/04/25
FMによるステップ-テラス構造の可視化
ワイドギャップ半導体である窒化ガリウム(GaN)は、パワーデバイスや通信・光デバイスなどの幅広い分野で用いられています。デバイスを作製するうえで、ウエハ表面の形状と粗さはデバイス性能に大きく影響します。GaNウエハを成長させる際、支持基板との格子不整合などによる応力の影響で、表面にステップ-テラス構造が形成されます。本資料ではAFMを用いて、GaN基板表面のステップ-テラスの構造を可視化し、テラス幅、ステップ高さ、表面粗さ、オフ角を評価した事例を紹介します。

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