一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

【分析事例】GaN基板の表面形状分析

最終更新日: 2024-04-25 12:40:52.0
AFMによるステップ-テラス構造の可視化

ワイドギャップ半導体である窒化ガリウム(GaN)は、パワーデバイスや通信・光デバイスなどの幅広い分野で用いられています。デバイスを作製するうえで、ウエハ表面の形状と粗さはデバイス性能に大きく影響します。GaNウエハを成長させる際、支持基板との格子不整合などによる応力の影響で、表面にステップ-テラス構造が形成されます。本資料ではAFMを用いて、GaN基板表面のステップ-テラスの構造を可視化し、テラス幅、ステップ高さ、表面粗さ、オフ角を評価した事例を紹介します。

測定法:AFM
製品分野:パワーデバイス, 電子部品, 照明
分析目的:形状評価, 構造評価

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用途/実績例 パワーデバイス, 電子部品, 照明の分析です。

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