アニール装置　ユニテンプ製品カタログ製品カタログ | カタログ

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【仕様(抜粋)】
■装置サイズ（WxDxH）：505x505x570mm
■装置重量：約55kg
■有効対象物サイズ（WxDxH）：155mmx155mmx40mm
■最大到達温度：650℃
■加熱方式：クロス配列IRヒーター（下部加熱）
■温度制御方式：P.I.D.制御方式
■プレート上面内温度差：設定温度に対して±1%以内（対象物：Φ200mmウエハ時）
■最大昇温速度（対象物の熱容量に因る）：600K/min.
■最大降温速度（対象物の熱容量に因る）：200K/min.（T=650℃>400℃）、60K/min.（T=200℃>100℃）
■チャンバー真空耐久度：0.1Pa（10-3hPa）
■プロセスガス供給ライン：マスフローコントローラx1（最大流量：5nlm）
■コントローラ：7インチタッチパネルコントローラ（SIMATIC製 TP-700）
■プロファイルプログラム登録数：最大50プログラム
■プログラムステップ数：最大50ステップ
■チャンバー冷却方式：ウォータージャケット方式

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

ギ酸・水素還元対応卓上型真空はんだリフロー装置 RVS-210

【仕様(抜粋)】
■装置サイズ（WxDxH）：670x544x320mm
■装置重量：約45kg
■有効対象物サイズ（WxDxH）：200mmx200mmx50mm
■最大到達温度：400℃
■加熱方式：IRヒーター（下部加熱）
■温度制御方式：P.I.D.制御方式
■プレート上面内温度差：設定温度に対して±1%以内（対象物：Φ200mmウエハ時）
■最大昇温速度（対象物の熱容量に因る）：120K/min.
■最大降温速度（対象物の熱容量に因る）：120K/min.（T=400℃>200℃）
■チャンバー真空耐久度：0.1Pa（10-3hPa）
■プロセスガス供給ライン：マスフローコントローラx1（最大流量：5nlm）
■コントローラ：7インチタッチパネルコントローラ（SIMATIC製 TP-700）
■プロファイルプログラム登録数：最大50プログラム
■プログラムステップ数：最大50ステップ
■チャンバー冷却方式：ウォータージャケット方式
■加熱プレート冷却方式：水冷/空冷（共用可）

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

ギ酸・水素還元対応真空はんだリフロー装置 RSS-3×210-S

【仕様(抜粋)】
■装置サイズ（WxDxH）：820x630x315mm
■装置重量：約100kg
■有効対象物サイズ（WxDxH）：620mmx200mmx50mm
■最大到達温度：300℃
■加熱方式：クロス配列IRヒーター（下部加熱）
■温度制御方式：P.I.D.制御方式
■プレート上面内温度差：設定温度に対して±1.5%以内
■最大昇温速度（対象物の熱容量に因る）：120K/min.
■最大降温速度（対象物の熱容量に因る）：90K/min.（T=300℃>200℃）
■チャンバー真空耐久度：0.1Pa（10-3hPa）
■プロセスガス供給ライン：マスフローコントローラx1（最大流量：5nlm）
■コントローラ：7インチタッチパネルコントローラ（SIMATIC製 TP-700）
■プロファイルプログラム登録数：最大50プログラム
■プログラムステップ数：最大50ステップ
■チャンバー冷却方式：ウォータージャケット方式
■加熱プレート冷却方式：水冷/空冷（共用可）

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

Φ6対応真空・プロセスガス高速アニール加熱システムRTP-150

【仕様】
■装置サイズ（WxDxH）：504 x 504 x 570mm
■装置重量：約80kg
■有効対象物サイズ（WxD）：156 x 156mm
■加熱方式：クロス配列IRヒーター
■最大到達温度：1000℃
■最大昇温速度（対象物の熱容量に因る）：75K/sec. ※EPモデルは150K/sec.
■最大降温速度（対象物の熱容量に因る）：190K/min.（T=1200℃>400℃）
■冷却方式：窒素ガスパージ方式
■真空到達度：10-1Pa ※HVモデルは 10-3Pa
■コントローラ：7インチタッチパネルコントローラ（SIMATIC製 TP-700）
■プロファイルプログラム登録数：最大50プログラム
■プログラムステップ数：最大50ステップ
■プロセスデータ保存先：USBメモリ/Ethernet
■電源仕様：2x三相200V 50/60Hz 最大40A（合計80A）

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

Φ4対応真空・プロセスガス高速アニール加熱システムRTP-100

【仕様】
■装置サイズ（WxDxH）：504 x 504 x 700mm
■装置重量：約55kg
■有効対象物サイズ（WxD）：100 x 100mm
■加熱方式：IRヒーター
■最大到達温度：1200℃
■最大昇温速度（対象物の熱容量に因る）：150K/sec.
■最大降温速度（対象物の熱容量に因る）：190K/min.（T=1200℃>400℃）
■冷却方式：窒素ガスパージ方式
■真空到達度：10-1Pa ※HVモデルは 10-3Pa
■コントローラ：7インチタッチパネルコントローラ（SIMATIC製 TP-700）
■プロファイルプログラム登録数：最大50プログラム
■プログラムステップ数：最大50ステップ
■プロセスデータ保存先：USBメモリ/Ethernet
■電源仕様：2x三相200V 50/60Hz 最大40A（合計80A）

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

10X光学ズームマイクロスコープAZ9T/AZ9C

【仕様】
■整合光学倍率：17X～170X（AZ9T）
■接眼レンズ：WF20X 2式付属（AZ9C）
■ズーム比：10倍（10:1）0.85X～8.5X
■作動距離：90mm
■像サイズ：Φ8mm（推奨1/2型、Cマウント）
■鏡体全長：AZ9T 約2500g/ AZ9C 約2000g
・ズーム比10倍レンジは、接眼視野Φ10.6mm～Φ1.06mmと3μm以下の分解能を達成
・作動距離90mmは、半導体検査・チャンバー内観察・ピンセット作業・輻射熱対策などの多岐にわたるアプリケーションに対応
・開口絞り機構により、コントラストや焦点深度の調整が自由
・AZ9Tカメラ直筒とAZ9C三眼鏡筒（20X 接眼レンズ2式付属）の2種類を選択可能
・明視野観察には同軸落射照明、暗視野観察にはリング照明（傾斜）を用意

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

ギ酸・水素還元対応真空はんだリフロー装置 RSS-110-S

【仕様(抜粋)】
■装置サイズ（WxDxH）：260mmx420mmx220mm
■装置重量：約10kg
■有効対象物サイズ（WxDxH）：105mmx105mmx40mm
■最大到達温度：400℃
■加熱方式：クロス配列IRヒーター（下部加熱）
■温度制御方式：P.I.D.制御方式
■プレート上面内温度差：設定温度に対して±1%以内（対象物：Φ100mmウエハ時）
■最大昇温速度（対象物の熱容量に因る）：120K/min.
■最大降温速度（対象物の熱容量に因る）：180K/min.（T=450℃>200℃）
■チャンバー真空耐久度：0.1Pa（10-3hPa）
■窒素ガス：0.35～0.4MPa（3.5～4bar）
■コントローラ： 7インチタッチパネルコントローラ（SIMATIC製 TP-700）
■プロファイルプログラム登録数：最大50プログラム
■プログラムステップ数：最大50ステップ
■チャンバー冷却方式：ウォータージャケット方式
■加熱プレート冷却方式：水冷/空冷（共用可）

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

ギ酸・水素還元対応真空はんだリフロー装置 RSS-160-S

【仕様(抜粋)】
■装置サイズ（WxDxH）：300x420x220mm
■装置重量：約12kg
■有効対象物サイズ（WxDxH）：155mmx155mmx40mm
■最大到達温度：400℃
■加熱方式：IRヒーター（下部加熱）
■温度制御方式：P.I.D.制御方式
■プレート上面内温度差：設定温度に対して±1%以内（対象物：Φ200mmウエハ時）
■最大昇温速度（対象物の熱容量に因る）：100K/min.
■最大降温速度（対象物の熱容量に因る）：100K/min.（T=400℃>200℃）
■チャンバー真空耐久度：0.1Pa（10-3hPa）
■プロセスガス供給ライン：マスフローコントローラx1（最大流量：5nlm）
■コントローラ：タッチパネルコントローラSIMATIC TP-700
■プロファイルプログラム登録数：最大50プログラム
■プログラムステップ数：最大50ステップ
■チャンバー冷却方式：ウォータージャケット方式
■加熱プレート冷却方式：水冷/空冷（共用可）

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

ギ酸・水素還元対応真空はんだリフロー装置 RSS-210-S

【仕様(抜粋)】
■装置サイズ（WxDxH）：430x295x290mm
■装置重量：約22kg
■有効対象物サイズ（WxDxH）：200mmx200mmx50mm
■最大到達温度：400℃
■加熱方式：IRヒーター（下部加熱）
■温度制御方式：P.I.D.制御方式
■プレート上面内温度差：設定温度に対して±1%以内（対象物：Φ200mmウエハ時）
■最大昇温速度（対象物の熱容量に因る）：240K/min.
■最大降温速度（対象物の熱容量に因る）：120K/min.（T=400℃>200℃）
■チャンバー真空耐久度：0.1Pa（10-3hPa）
■プロセスガス供給ライン：マスフローコントローラx1（最大流量：5nlm）
■コントローラ：7インチタッチパネルコントローラ（SIMATIC製 TP-700）
■プロファイルプログラム登録数：最大50プログラム
■プログラムステップ数：最大50ステップ
■チャンバー冷却方式：ウォータージャケット方式
■加熱プレート冷却方式：水冷/空冷（共用可）

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

ギ酸・水素還元対応卓上型真空はんだリフロー装置 VSS-300

【仕様(抜粋)】
■装置サイズ（WxDxH）：550mm×690mm×830mm
■装置重量：約105kg
■有効対象物サイズ（WxDxH）：300mm×300mm×50mm
■最大到達温度：450℃
■加熱方式：クロス配列IRヒーター（下部加熱）
■温度制御方式：P.I.D.制御方式
■プレート上面内温度差：設定温度に対して±1%以内（対象物：Φ300mmウエハ時）
■最大昇温速度（対象物の熱容量に因る）：150K/min.
■最大降温速度（対象物の熱容量に因る）：90K/min.（T=450℃>200℃）、60K/min.（T=200℃>100℃）
■チャンバー真空耐久度：0.1Pa（10-3hPa）
■窒素ガス：0.35～0.4MPa（3.5～4bar）
■コントローラ：7インチタッチパネルコントローラ（SIMATIC製 TP-700）
■プロファイルプログラム登録数：最大50プログラム
■チャンバー冷却方式：ウォータージャケット方式
■加熱プレート冷却方式：水冷/空冷（共用可）

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

Φ12対応　高速アニール加熱システム VPO-1000-300

【仕様】
■装置サイズ（WxDxH）：504 x 504 x 830mm
■装置重量：約105kg
■有効対象物サイズ（WxD）：300 x 300mm
■加熱方式：クロス配列IRヒーター
■最大到達温度：1000℃
■最大昇温速度（対象物の熱容量に因る）：75K/sec.
■最大降温速度（対象物の熱容量に因る）：190K/min.（T=1000℃>400℃）
■冷却方式：窒素ガスパージ方式
■真空到達度：10-1Pa
■コントローラ：7インチタッチパネルコントローラ（SIMATIC製 TP-700）
■プロファイルプログラム登録数：最大50プログラム
■プログラムステップ数：最大50ステップ
■プロセスデータ保存先：USBメモリ/Ethernet
■電源仕様：2x三相200V 50/60Hz 最大50A（合計100A）

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

【活用事例】ギ酸還元リフローの特徴とアプリケーション

詳細は添付資料をダウンロードの上、ご確認ください。

高精度プログラマブルホットプレート HP-220

素材アルミ合金
装置サイズ（WxDxH） 370x210x120 mm
装置重量約10kg
加熱プレートサイズ（WxD) 220mmx155mm
有効対象物サイズ（WxDxH） 210mmx150mm
最大到達温度 250℃
加熱方式カートリッジヒーター（下部加熱）
温度制御方式 P.I.D.制御方式
プレート上面内温度差設定温度に対して±1.5%以内
最大昇温速度 25K/min.（※対象物の熱容量に因る）
最大降温速度 10K/min.（※対象物の熱容量に因る）
窒素ガス 0.35～0.4 MPa（3.5～4 bar）
プロセスガス供給ライン手動ガス流量計
コントローラ Eurotherm 2416
プロファイルプログラム登録数 1プログラム
プログラムステップ数最大：16ステップ
プロセスデータ保存先 USBメモリ
加熱プレート冷却方式空冷
電源仕様　単相100V

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