日精株式会社

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Φ6対応真空・プロセスガス高速アニール加熱システムRTP-150

最終更新日: 2020-10-15 14:55:57.0
GaNの結晶成長をはじめ、急速・均一な熱処理を必要とする幅広いアプリケーションに応用頂けるアニール炉です。ユニテンプジャパン製

『RTP-150』は、業界最小クラス、研究開発及び試作開発に好適な、
卓上型真空プロセス高速加熱炉です。

最大到達温度1000℃で多彩なガスパージ環境に対応。

GaNやSiCなどの新材料の結晶成長やペースト材料の焼結など、
多目的にお使い頂けます。

【特長】
■窒素ガス、酸素ガス、フォーミングガス(水素+窒素)パージの他、
 高濃度水素ガスパージにも対応
■上下24本のIR (赤外)ヒーターで、正確な高速加熱が可能
■高純度石英チャンバー
■窒素ガスパージ方式による降温に対応
■プロセスガス最大4系統(MFC)
■到達真空度10-1Pa (TMP搭載のHVモデルなら10-3Paも可能)
■タッチパネル方式モニター標準装備で、オペレーションが簡単

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

基本情報

【仕様】
■装置サイズ(WxDxH):504 x 504 x 570mm
■装置重量:約80kg
■有効対象物サイズ(WxD):156 x 156mm
■加熱方式:クロス配列IRヒーター
■最大到達温度:1000℃
■最大昇温速度(対象物の熱容量に因る):75K/sec. ※EPモデルは150K/sec.
■最大降温速度(対象物の熱容量に因る):190K/min.(T=1200℃>400℃)
■冷却方式:窒素ガスパージ方式
■真空到達度:10-1Pa ※HVモデルは 10-3Pa
■コントローラ:7インチタッチパネルコントローラ(SIMATIC製 TP-700)
■プロファイルプログラム登録数:最大50プログラム
■プログラムステップ数:最大50ステップ
■プロセスデータ保存先:USBメモリ/Ethernet
■電源仕様:2x三相200V 50/60Hz 最大40A(合計80A)

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

価格情報 1000万〜1500万円(機種・オプションに依る)
価格帯 1000万円 ~ 5000万円
納期 お問い合わせください
※ ご注文確定より最短3ヶ月〜4ヶ月(状況により納期が変動しますので、詳しくはお問い合わせください。)
型番・ブランド名 RTP-150/RTP-150-HV/RTP-150-EP
用途/実績例 【用途】
■SiからSiC,GaN,Ga203材料など様々な高温熱処理
■窒化・酸化膜生成
■イオン注入後の結晶活性化
■オーミック性接合形成
■Low-k材熱処理
■水素アニール処理によるSiラフネス低減

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

ラインナップ

型番 概要
RTP-100
RTP-100-HV
RTP-150
RTP-150-HV
RTP-150-EP
VPO-1000-300

お問い合わせ

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