『RTP-150』は、業界最小クラス、研究開発及び試作開発に好適な、
卓上型真空プロセス高速加熱炉です。
最大到達温度1000℃で多彩なガスパージ環境に対応。
GaNやSiCなどの新材料の結晶成長やペースト材料の焼結など、
多目的にお使い頂けます。
【特長】
■窒素ガス、酸素ガス、フォーミングガス(水素+窒素)パージの他、
高濃度水素ガスパージにも対応
■上下24本のIR (赤外)ヒーターで、正確な高速加熱が可能
■高純度石英チャンバー
■窒素ガスパージ方式による降温に対応
■プロセスガス最大4系統(MFC)
■到達真空度10-1Pa (TMP搭載のHVモデルなら10-3Paも可能)
■タッチパネル方式モニター標準装備で、オペレーションが簡単
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
基本情報
【仕様】
■装置サイズ(WxDxH):504 x 504 x 570mm
■装置重量:約80kg
■有効対象物サイズ(WxD):156 x 156mm
■加熱方式:クロス配列IRヒーター
■最大到達温度:1000℃
■最大昇温速度(対象物の熱容量に因る):75K/sec. ※EPモデルは150K/sec.
■最大降温速度(対象物の熱容量に因る):190K/min.(T=1200℃>400℃)
■冷却方式:窒素ガスパージ方式
■真空到達度:10-1Pa ※HVモデルは 10-3Pa
■コントローラ:7インチタッチパネルコントローラ(SIMATIC製 TP-700)
■プロファイルプログラム登録数:最大50プログラム
■プログラムステップ数:最大50ステップ
■プロセスデータ保存先:USBメモリ/Ethernet
■電源仕様:2x三相200V 50/60Hz 最大40A(合計80A)
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価格情報 | 1000万〜1500万円(機種・オプションに依る) |
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価格帯 | 1000万円 ~ 5000万円 |
納期 |
お問い合わせください
※ ご注文確定より最短3ヶ月〜4ヶ月(状況により納期が変動しますので、詳しくはお問い合わせください。) |
型番・ブランド名 | RTP-150/RTP-150-HV/RTP-150-EP |
用途/実績例 | 【用途】 ■SiからSiC,GaN,Ga203材料など様々な高温熱処理 ■窒化・酸化膜生成 ■イオン注入後の結晶活性化 ■オーミック性接合形成 ■Low-k材熱処理 ■水素アニール処理によるSiラフネス低減 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 |
ラインナップ
型番 | 概要 |
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RTP-100 | |
RTP-100-HV | |
RTP-150 | |
RTP-150-HV | |
RTP-150-EP | |
VPO-1000-300 |
お問い合わせ
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