アニール装置　ユニテンプ製品カタログ製品カタログ | カタログ

関連情報

【仕様(抜粋)】
■装置サイズ（WxDxH）：505x505x570mm
■装置重量：約55kg
■有効対象物サイズ（WxDxH）：155mmx155mmx40mm
■最大到達温度：650℃
■加熱方式：クロス配列IRヒーター（下部加熱）
■温度制御方式：P.I.D.制御方式
■プレート上面内温度差：設定温度に対して±1%以内（対象物：Φ200mmウエハ時）
■最大昇温速度（対象物の熱容量に因る）：600K/min.
■最大降温速度（対象物の熱容量に因る）：200K/min.（T=650℃>400℃）、60K/min.（T=200℃>100℃）
■チャンバー真空耐久度：0.1Pa（10-3hPa）
■プロセスガス供給ライン：マスフローコントローラx1（最大流量：5nlm）
■コントローラ：7インチタッチパネルコントローラ（SIMATIC製 TP-700）
■プロファイルプログラム登録数：最大50プログラム
■プログラムステップ数：最大50ステップ
■チャンバー冷却方式：ウォータージャケット方式

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

ギ酸・水素還元対応卓上型真空はんだリフロー装置 RVS-210

【仕様(抜粋)】
■装置サイズ（WxDxH）：670x544x320mm
■装置重量：約45kg
■有効対象物サイズ（WxDxH）：200mmx200mmx50mm
■最大到達温度：400℃
■加熱方式：IRヒーター（下部加熱）
■温度制御方式：P.I.D.制御方式
■プレート上面内温度差：設定温度に対して±1%以内（対象物：Φ200mmウエハ時）
■最大昇温速度（対象物の熱容量に因る）：120K/min.
■最大降温速度（対象物の熱容量に因る）：120K/min.（T=400℃>200℃）
■チャンバー真空耐久度：0.1Pa（10-3hPa）
■プロセスガス供給ライン：マスフローコントローラx1（最大流量：5nlm）
■コントローラ：7インチタッチパネルコントローラ（SIMATIC製 TP-700）
■プロファイルプログラム登録数：最大50プログラム
■プログラムステップ数：最大50ステップ
■チャンバー冷却方式：ウォータージャケット方式
■加熱プレート冷却方式：水冷/空冷（共用可）

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

ギ酸・水素還元対応真空はんだリフロー装置 RSS-3×210-S

【仕様(抜粋)】
■装置サイズ（WxDxH）：820x630x315mm
■装置重量：約100kg
■有効対象物サイズ（WxDxH）：620mmx200mmx50mm
■最大到達温度：300℃
■加熱方式：クロス配列IRヒーター（下部加熱）
■温度制御方式：P.I.D.制御方式
■プレート上面内温度差：設定温度に対して±1.5%以内
■最大昇温速度（対象物の熱容量に因る）：120K/min.
■最大降温速度（対象物の熱容量に因る）：90K/min.（T=300℃>200℃）
■チャンバー真空耐久度：0.1Pa（10-3hPa）
■プロセスガス供給ライン：マスフローコントローラx1（最大流量：5nlm）
■コントローラ：7インチタッチパネルコントローラ（SIMATIC製 TP-700）
■プロファイルプログラム登録数：最大50プログラム
■プログラムステップ数：最大50ステップ
■チャンバー冷却方式：ウォータージャケット方式
■加熱プレート冷却方式：水冷/空冷（共用可）

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

Φ6対応真空・プロセスガス高速アニール加熱システムRTP-150

【仕様】
■装置サイズ（WxDxH）：504 x 504 x 570mm
■装置重量：約80kg
■有効対象物サイズ（WxD）：156 x 156mm
■加熱方式：クロス配列IRヒーター
■最大到達温度：1000℃
■最大昇温速度（対象物の熱容量に因る）：75K/sec. ※EPモデルは150K/sec.
■最大降温速度（対象物の熱容量に因る）：190K/min.（T=1200℃>400℃）
■冷却方式：窒素ガスパージ方式
■真空到達度：10-1Pa ※HVモデルは 10-3Pa
■コントローラ：7インチタッチパネルコントローラ（SIMATIC製 TP-700）
■プロファイルプログラム登録数：最大50プログラム
■プログラムステップ数：最大50ステップ
■プロセスデータ保存先：USBメモリ/Ethernet
■電源仕様：2x三相200V 50/60Hz 最大40A（合計80A）

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

Φ4対応真空・プロセスガス高速アニール加熱システムRTP-100

【仕様】
■装置サイズ（WxDxH）：504 x 504 x 700mm
■装置重量：約55kg
■有効対象物サイズ（WxD）：100 x 100mm
■加熱方式：IRヒーター
■最大到達温度：1200℃
■最大昇温速度（対象物の熱容量に因る）：150K/sec.
■最大降温速度（対象物の熱容量に因る）：190K/min.（T=1200℃>400℃）
■冷却方式：窒素ガスパージ方式
■真空到達度：10-1Pa ※HVモデルは 10-3Pa
■コントローラ：7インチタッチパネルコントローラ（SIMATIC製 TP-700）
■プロファイルプログラム登録数：最大50プログラム
■プログラムステップ数：最大50ステップ
■プロセスデータ保存先：USBメモリ/Ethernet
■電源仕様：2x三相200V 50/60Hz 最大40A（合計80A）

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

10X光学ズームマイクロスコープAZ9T/AZ9C

【仕様】
■整合光学倍率：17X～170X（AZ9T）
■接眼レンズ：WF20X 2式付属（AZ9C）
■ズーム比：10倍（10:1）0.85X～8.5X
■作動距離：90mm
■像サイズ：Φ8mm（推奨1/2型、Cマウント）
■鏡体全長：AZ9T 約2500g/ AZ9C 約2000g
・ズーム比10倍レンジは、接眼視野Φ10.6mm～Φ1.06mmと3μm以下の分解能を達成
・作動距離90mmは、半導体検査・チャンバー内観察・ピンセット作業・輻射熱対策などの多岐にわたるアプリケーションに対応
・開口絞り機構により、コントラストや焦点深度の調整が自由
・AZ9Tカメラ直筒とAZ9C三眼鏡筒（20X 接眼レンズ2式付属）の2種類を選択可能
・明視野観察には同軸落射照明、暗視野観察にはリング照明（傾斜）を用意

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

ギ酸・水素還元対応真空はんだリフロー装置 RSS-110-S

【仕様(抜粋)】
■装置サイズ（WxDxH）：260mmx420mmx220mm
■装置重量：約10kg
■有効対象物サイズ（WxDxH）：105mmx105mmx40mm
■最大到達温度：400℃
■加熱方式：クロス配列IRヒーター（下部加熱）
■温度制御方式：P.I.D.制御方式
■プレート上面内温度差：設定温度に対して±1%以内（対象物：Φ100mmウエハ時）
■最大昇温速度（対象物の熱容量に因る）：120K/min.
■最大降温速度（対象物の熱容量に因る）：180K/min.（T=450℃>200℃）
■チャンバー真空耐久度：0.1Pa（10-3hPa）
■窒素ガス：0.35～0.4MPa（3.5～4bar）
■コントローラ： 7インチタッチパネルコントローラ（SIMATIC製 TP-700）
■プロファイルプログラム登録数：最大50プログラム
■プログラムステップ数：最大50ステップ
■チャンバー冷却方式：ウォータージャケット方式
■加熱プレート冷却方式：水冷/空冷（共用可）

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

ギ酸・水素還元対応真空はんだリフロー装置 RSS-160-S

【仕様(抜粋)】
■装置サイズ（WxDxH）：300x420x220mm
■装置重量：約12kg
■有効対象物サイズ（WxDxH）：155mmx155mmx40mm
■最大到達温度：400℃
■加熱方式：IRヒーター（下部加熱）
■温度制御方式：P.I.D.制御方式
■プレート上面内温度差：設定温度に対して±1%以内（対象物：Φ200mmウエハ時）
■最大昇温速度（対象物の熱容量に因る）：100K/min.
■最大降温速度（対象物の熱容量に因る）：100K/min.（T=400℃>200℃）
■チャンバー真空耐久度：0.1Pa（10-3hPa）
■プロセスガス供給ライン：マスフローコントローラx1（最大流量：5nlm）
■コントローラ：タッチパネルコントローラSIMATIC TP-700
■プロファイルプログラム登録数：最大50プログラム
■プログラムステップ数：最大50ステップ
■チャンバー冷却方式：ウォータージャケット方式
■加熱プレート冷却方式：水冷/空冷（共用可）

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

ギ酸・水素還元対応真空はんだリフロー装置 RSS-210-S

【仕様(抜粋)】
■装置サイズ（WxDxH）：430x295x290mm
■装置重量：約22kg
■有効対象物サイズ（WxDxH）：200mmx200mmx50mm
■最大到達温度：400℃
■加熱方式：IRヒーター（下部加熱）
■温度制御方式：P.I.D.制御方式
■プレート上面内温度差：設定温度に対して±1%以内（対象物：Φ200mmウエハ時）
■最大昇温速度（対象物の熱容量に因る）：240K/min.
■最大降温速度（対象物の熱容量に因る）：120K/min.（T=400℃>200℃）
■チャンバー真空耐久度：0.1Pa（10-3hPa）
■プロセスガス供給ライン：マスフローコントローラx1（最大流量：5nlm）
■コントローラ：7インチタッチパネルコントローラ（SIMATIC製 TP-700）
■プロファイルプログラム登録数：最大50プログラム
■プログラムステップ数：最大50ステップ
■チャンバー冷却方式：ウォータージャケット方式
■加熱プレート冷却方式：水冷/空冷（共用可）

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

ギ酸・水素還元対応卓上型真空はんだリフロー装置 VSS-300

【仕様(抜粋)】
■装置サイズ（WxDxH）：550mm×690mm×830mm
■装置重量：約105kg
■有効対象物サイズ（WxDxH）：300mm×300mm×50mm
■最大到達温度：450℃
■加熱方式：クロス配列IRヒーター（下部加熱）
■温度制御方式：P.I.D.制御方式
■プレート上面内温度差：設定温度に対して±1%以内（対象物：Φ300mmウエハ時）
■最大昇温速度（対象物の熱容量に因る）：150K/min.
■最大降温速度（対象物の熱容量に因る）：90K/min.（T=450℃>200℃）、60K/min.（T=200℃>100℃）
■チャンバー真空耐久度：0.1Pa（10-3hPa）
■窒素ガス：0.35～0.4MPa（3.5～4bar）
■コントローラ：7インチタッチパネルコントローラ（SIMATIC製 TP-700）
■プロファイルプログラム登録数：最大50プログラム
■チャンバー冷却方式：ウォータージャケット方式
■加熱プレート冷却方式：水冷/空冷（共用可）

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

Φ12対応　高速アニール加熱システム VPO-1000-300

【仕様】
■装置サイズ（WxDxH）：504 x 504 x 830mm
■装置重量：約105kg
■有効対象物サイズ（WxD）：300 x 300mm
■加熱方式：クロス配列IRヒーター
■最大到達温度：1000℃
■最大昇温速度（対象物の熱容量に因る）：75K/sec.
■最大降温速度（対象物の熱容量に因る）：190K/min.（T=1000℃>400℃）
■冷却方式：窒素ガスパージ方式
■真空到達度：10-1Pa
■コントローラ：7インチタッチパネルコントローラ（SIMATIC製 TP-700）
■プロファイルプログラム登録数：最大50プログラム
■プログラムステップ数：最大50ステップ
■プロセスデータ保存先：USBメモリ/Ethernet
■電源仕様：2x三相200V 50/60Hz 最大50A（合計100A）

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

【活用事例】ギ酸還元リフローの特徴とアプリケーション

詳細は添付資料をダウンロードの上、ご確認ください。

高精度プログラマブルホットプレート HP-220

素材アルミ合金
装置サイズ（WxDxH） 370x210x120 mm
装置重量約10kg
加熱プレートサイズ（WxD) 220mmx155mm
有効対象物サイズ（WxDxH） 210mmx150mm
最大到達温度 250℃
加熱方式カートリッジヒーター（下部加熱）
温度制御方式 P.I.D.制御方式
プレート上面内温度差設定温度に対して±1.5%以内
最大昇温速度 25K/min.（※対象物の熱容量に因る）
最大降温速度 10K/min.（※対象物の熱容量に因る）
窒素ガス 0.35～0.4 MPa（3.5～4 bar）
プロセスガス供給ライン手動ガス流量計
コントローラ Eurotherm 2416
プロファイルプログラム登録数 1プログラム
プログラムステップ数最大：16ステップ
プロセスデータ保存先 USBメモリ
加熱プレート冷却方式空冷
電源仕様　単相100V

至急度必須	通常至急
ご要望必須	購入希望見積もり希望カタログ送付希望価格表送付希望連絡希望訪問希望その他
目的必須	新規導入既存入れ替え試作検討情報収集
添付資料
お問い合わせ内容	【ご利用上の注意】お問い合わせフォームを利用した広告宣伝等の行為は利用規約により禁止しております。

アニール装置 ユニテンプ製品カタログ

関連情報

お問い合わせ

カタログ 各種 半導体/基板関連装置一覧（156件）を見る

アニール装置　ユニテンプ製品カタログ

カタログ各種半導体/基板関連装置一覧（156件）を見る