パワーモジュールをはんだや銀焼結で接合する際の下地層として最適な無電解めっきプロセス
近年、高温動作が可能な次世代のパワー半導体（パワーモジュール）としてSiCやGaNデバイスが注目されており、これらを搭載した次世代パワーモジュールは200℃以上の常時動作が想定されます。
当社は、高温環境下でもはんだへのニッケル拡散が少なく、接合信頼性が低下しにくい硫黄フリー低リン無電解ニッケルめっき液「ICPニコロンLPW-LFN」を開発しました。
また、従来のはんだ接合に代わる高耐熱性の接合法として、銀粒子ペーストによる焼結接合が注目されています。当社は、下地金属の腐食を抑制し、接合強度の向上に貢献する無電解銀めっき「トップシルベACC / トップシルベAG」を新たに開発しました。
自動車、電気自動車、家電製品、各種エレクトロニクス向けに各種めっき・表面処理薬品と高機能製品の開発を進めておりますので、お気軽にお問い合わせください。
| 価格帯 | お問い合わせください |
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| 用途／実績例 | パワー半導体（パワーモジュール） |
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