当社で取り扱う、「イオンビームエッチング(IBE)・成膜装置(IBD)」を
ご紹介いたします。
標準的なエントリーモデルから、膜厚均一性等の精密な制御が可能な
ハイエンドモデルまでラインアップ。企業、アカデミアでの研究開発向けに、
グローブボックス付属等の特殊仕様にも対応します。
また、R&Dのラボスケールから量産まで対応し、難エッチング材料のエッチング
プロセスや、デュアルイオンガンシステムを搭載した様々な材料の均一性及び
膜厚分布を重視した成膜が可能です。
【特長】
■標準的なエントリーモデルから、膜質等の精密制御の可能な
ハイエンドクラスまで、要求性能に合わせたモデルのご提案が可能
■R&D、アカデミアでの研究用途に、グローブボックスの接続やその他の
特殊仕様にも対応が可能
■膜厚均一性は200mmウェーハで<0.6%(3σ)達成
※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
基本情報
【その他の特長】
■Marathon gridsは、一般的なグリッドと比較して3倍の長寿命化達成
(他社製品への搭載可)
■独自技術によりRFシャントおよびアノード消失を防止したイオンガンを搭載
■プラズマCVD、ドライエッチャー等の当社装置とのクラスター化も可能
■複数ターゲットの搭載、デュアル・イオンガン・システムによるイオンアシスト機能等、
多彩な機能を選択可
※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
価格帯 | お問い合わせください |
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納期 | お問い合わせください |
用途/実績例 | 【用途】 ■FeNi,FeCoなどの強磁性体やPZT,AlScN,LiTaO3,LiNbO3などの強誘電体を始めとした 難しいエッチングプロセス ■Ta,Ti,W等の金属膜をはじめ、Ta2O5,Nb2O5等の酸化膜や、様々な材料の薄膜をバルクに 近い密度と高純度、優れた均一性での成膜 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。 |
お問い合わせ
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プラズマ・サーモ・ジャパン株式会社