プラズマ・サーモ・ジャパン株式会社

イオンビームエッチング(IBE)・成膜装置(IBD)

最終更新日: 2024-06-14 15:24:05.0
R&D用特殊仕様から量産向けまで対応可能!一般的なグリッドと比較して約3倍の長寿命化

当社で取り扱う、「イオンビームエッチング(IBE)・成膜装置(IBD)」を
ご紹介いたします。

標準的なエントリーモデルから、膜厚均一性等の精密な制御が可能な
ハイエンドモデルまでラインアップ。企業、アカデミアでの研究開発向けに、
グローブボックス付属等の特殊仕様にも対応します。

また、R&Dのラボスケールから量産まで対応し、難エッチング材料のエッチング
プロセスや、デュアルイオンガンシステムを搭載した様々な材料の均一性及び
膜厚分布を重視した成膜が可能です。

【特長】
■標準的なエントリーモデルから、膜質等の精密制御の可能な
 ハイエンドクラスまで、要求性能に合わせたモデルのご提案が可能
■R&D、アカデミアでの研究用途に、グローブボックスの接続やその他の
 特殊仕様にも対応が可能
■膜厚均一性は200mmウェーハで<0.6%(3σ)達成

※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。

基本情報

【その他の特長】
■Marathon gridsは、一般的なグリッドと比較して3倍の長寿命化達成
 (他社製品への搭載可)
■独自技術によりRFシャントおよびアノード消失を防止したイオンガンを搭載
■プラズマCVD、ドライエッチャー等の当社装置とのクラスター化も可能
■複数ターゲットの搭載、デュアル・イオンガン・システムによるイオンアシスト機能等、
 多彩な機能を選択可

※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。

価格帯 お問い合わせください
納期 お問い合わせください
用途/実績例 【用途】
■FeNi,FeCoなどの強磁性体やPZT,AlScN,LiTaO3,LiNbO3などの強誘電体を始めとした
 難しいエッチングプロセス
■Ta,Ti,W等の金属膜をはじめ、Ta2O5,Nb2O5等の酸化膜や、様々な材料の薄膜をバルクに
 近い密度と高純度、優れた均一性での成膜

※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。

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