最終更新日:
2024-10-09 15:43:30.0
DCパルススパッタリングが可能(導電性ターゲット使用した絶縁膜のリアクティブスパッタ)！
『ECLIPSE』は、フロント及びバックサイドメタライゼーション、
誘電体・圧電体成膜用のサイドスパッタ方式のスパッタリング装置です。
また、極薄ウェーハ、脆弱基板に対応する独自開発の搬送機構を有します。
バックサイドメタラーゼーション・アンダーバンプメタルなどの
スパッタリングプロセスにおいて連続成膜とウェーハ搬送に課題を
持っているエンジニアの方におすすめです。
【特長】
■非接触なウェーハ搬送機構
■生産用150mmウェハーに対応(ウェーハ厚さ：250um)
■生産用100mmウェーハにも対応(ウェーハ厚さ：130μm)
■ウェーハセルフセンタリングが可能
※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。
基本情報
【その他の特長】
■ターゲット使用効率の向上(〜40％)
■高スループット(＞50 ウェーハ/hr)
■高精度な基板温度制御(±7℃)
■リアクティブスパッタリングが可能(O2/N2)
■基板バイアス機能(RF/DC)
※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。
| 価格帯 | お問い合わせください |
|---|---|
| 納期 | お問い合わせください |
| 用途／実績例 | 【用途】 ■コンタクト層/バリア層/インターコネクト ■インクジェット応用(圧電薄膜) ■誘電体膜(セラミックターゲットまたは反応性スパッタリング用メタルターゲット) ■薄膜抵抗体：NiCr、NiO、SiCr、TaN、TaAlN ■透明導電膜：ITO、AZO、GZO ■バックサイドメタライゼーション(BGBM) ■アンダーバンプメタライゼーション(UBM) ■パワーデバイス応用(裏面電極成膜) ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。 |
お問い合わせ
※お問い合わせをすると、以下の出展者へ会員情報(会社名、部署名、所在地、氏名、TEL、FAX、メールアドレス)が通知されること、また以下の出展者からの電子メール広告を受信することに同意したこととなります。
プラズマ・サーモ・ジャパン株式会社
