企業ニュース
掲載開始日:
2024-01-17 00:00:00.0
当社は、シリコンカーバイド上のルチル構造二酸化ゲルマニウム製膜に成功した
Patentix株式会社との間で資本業務提携に関する合意書を締結することを
取締役会において決議いたしましたので、お知らせいたします。
また、この提携を機に当社は、同社の掲げる「琵琶湖半導体構想(案)」の
企業連携に参画いたします。
同社が開発を進めている二酸化ゲルマニウム(GeO2)は、現在主流の半導体材料である
シリコン(Si)やワイドバンドギャップ半導体材料であるシリコンカーバイド(SiC)、
窒化ガリウム(GaN)などに比べ、コスト面や様々な特長面で優位性を持ち、
新規半導体材料として有力視されています。
本提携により、今後は両社の得意とする技術領域を合わせ、更なる事業領域の
拡大を図るべく、GeO2半導体のエピウエハ製造を軸とした未来品質の創造に向けた
半導体ソリューションを展開いたします。
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