最終更新日:
2022-11-24 11:45:30.0
絶縁物の測定が可能！金属・半導体・高分子等さまざまな材料の研究開発や不良解析に利用されています
「X線光電子分光法」は、試料表面の元素分析・化学状態分析を行う手法です。
絶縁物の測定が可能なため、金属・半導体・高分子・セラミック・
ガラス等さまざまな材料に適用可能。
表面分析の中でも多用されている手法の一つであり、材料の研究開発や
不良解析に利用されています。
【分析項目】
■表面の組成分析（定性・定量）：ワイドスキャン、ナロースキャン
■化学シフトによる結合状態評価：ナロースキャン、波形分離
■イオンスパッタを使用した深さ方向の組成分析：デプスプロファイル
■X線を走査することにより面分析（マッピング）や線分析も可能
※詳しくは関連リンクページをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
基本情報
【装置仕様】
■装置名：アルバック・ファイ製 PHI5000 VersaProbe III
■X線源：単色化AlKα
■X線ビーム径：φ10～200µm
■スパッタイオン銃：アルゴンイオン
■走査型オージェ電子銃を搭載、XPSと同一箇所をそのままAES分析可能
※詳しくは関連リンクページをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
| 価格帯 | お問い合わせください |
|---|---|
| 納期 | お問い合わせください |
| 用途／実績例 | 【分析用途】 ■表面汚染の評価 ■表面改質による高分子の官能基評価 ■金属の価数評価 ■酸化・水酸化物等結合状態の評価 ■酸化膜厚値の算出（SiO2換算） ■剥離・変色の原因調査 ■はんだ濡れ不良解析 ■多層膜試料の膜厚算出（SiO2換算） ※詳しくは関連リンクページをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 |
関連カタログ
お問い合わせ
※お問い合わせをすると、以下の出展者へ会員情報(会社名、部署名、所在地、氏名、TEL、FAX、メールアドレス)が通知されること、また以下の出展者からの電子メール広告を受信することに同意したこととなります。
株式会社クオルテック
