株式会社クオルテック

ボンディング性評価のためのシリコンエッチング技術

最終更新日: 2023-05-19 15:15:51.0
ワイヤーボンディング部の接合面を平面から観察!数値による評価が可能となりました

IC等におけるワイヤーボンディング部の接合状態を正しく評価するためには、
接合面での金属間化合物の生成状態を観察する必要があります。

金属間化合物の面積が大きければ、接合面がそれだけ広い事になり、
ボンディングOKと評価できます。

一般的な断面観察では、金属間化合物の生成状態をある1点でしか確認できず、
評価の裏付けとしては弱さの残るものでした。

クオルテックでは、ボンディングされた箇所の裏面からシリコンをエッチング
する事で、金属間化合物の生成状態を、より明確に観察する技術を開発。
金属間化合物の面積を算出し、数値による評価が可能となりました。

【特長】
■ワイヤーボンディング部の接合面を断面ではなく平面から観察
■金属間化合物の生成状態を明確かつ定量的に評価することが可能

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