上記では、電子ブックの一部をご紹介しております。
【特長】
・プロセスの残留酸素の影響を低限。
・多彩な選択機能を備え、高温加熱による緻密な膜質の実現。
・独自のカソード構造と印加回路による複数カソードによる安定放電および組成制御の実現。
来年度に向けて、お客様相談会と無料サンプル対応を同時開催中。
関連情報
標準バッチタイプスパッタリング装置（ＳＲＶシリーズ）
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シリーズは基本的に４インチカソード、６インチカソード、８インチカソードを装備したバッチタイプ（標準各３元装備）。それぞれカソードの倍以上の面積を有効成膜範囲としています。
スパッタ方向（アップ、ダウン）も目的に合わせて選択可能でチャンバサイズに合わせて標準型以外の大型カソードも搭載できます。
カソードも膜種に合わせて強磁性体用、コンベンショナルタイプなどの各タイプが選択できます。
その他機構も高温加熱、基板冷却（水冷）、多元同時スパッタなど多くのオプションにより幅広い用途に対応いたします。
超高真空スパッタリング装置（STM2323型）
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標準インラインタイプ
標準６室構成（ロードロック室、カセット室、搬送室、スパッタ室３室）
枚葉式CｔｏＣシステム
到達圧力：１０－⁷ｐａ Order（スパッタ室）
対象基板：φ２～４インチ
オプション機構
高効率強磁性体用カソード、基板磁化機構、エッチング室
カスタマイズ対応
水素アニール装置（電子デバイス用、サンプルテスト対応中）
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６インチウェハ対応の石英管の横型炉を標準とし、8インチ、縦型炉がオプション対応
高真空排気系も装備可能で、より純度の高い還元雰囲気熱処理が可能。
実績豊富な機器構成に加えボートローダーやデータロギング機構などの周辺機器も豊富にラインアップ。
不活性雰囲気アニールにも対応できる専用アニール装置。
ロードロックタイプスパッタリング装置（枚葉搬送タイプ）デモ対応中
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ロードロック室１室、スパッタ室１室を基本とした２００ｍｍウェハ対応のスパッタリング装置。
基板搬送は枚葉（ＣｔｏＣ）タイプを基本とし、基板のサイズ、形状によりトレイによるＣｔｏＣ搬送。
カソードは大型１元タイプと多元タイプが選択可能。基板加熱も高温および冷却が選択可能。
スパッタもＤＣ，ＲＦにパルスＤＣによるリアクティブスパッタモードより選択。緻密な酸化膜も形成可能で、化合物半導体のゲート酸化膜に対応
ＡｌＮテンプレート作成装置（配向性ＡｌＮ膜用スパッタリング装置）
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標準型ロードロックタイプスパッタリング装置より成膜系（カソード、チャンバ、プロセス）を大きく改善。
Ｒ＆Ｄタイプの小型カソード使用装置と量産用の大型カソード１元の２タイプをラインナップ。
マルチチャンバスパッタリング装置
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搬送室を中心としたクラスター型スパッタリング装置。
基板搬送もベア及びトレイ（サセプター）も標準対応。矩形・小径・不定形
多くの基板に積極対応。
最大8インチ及び8インチ相当の矩形基板に対応。6角形タイプと4角形タイプの２機種を標準ラインナップ。
半導体以外の用途にも半導体の性能とクリーンネスを実現。
次世代開発用スパッタリング装置
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神港精機株式会社 東京支店
