上記では、電子ブックの一部をご紹介しております。
幅広い用途に対応する高密度プラズマエッチング装置です。
実績豊富なICPプラズマ電極を搭載し、平滑なエッチング面と高い
加工精度を実現。スキャロップの無い平滑なエッチングが可能で、
ナノインプリントモールドの作成に適しています。
平滑なエッチング側面、加工面の垂直性、開口部の角度制御などナノイン
プリントモールドに必要な多くのプロセス性能を備えています。
【特長】
■スキャロップの無い平滑なエッチング側面
■高いＳｉ深掘り時の垂直性（９０°±２°）
■エッチングテーパー角の制御性
■高開口度エッチングに対応
■デモ機を常設でサンプルテスト対応が可能
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
関連情報
研究開発用真空蒸着装置
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【その他の特長】
■コンパクトな筐体に電子蒸発源を標準装備した前扉型
・電子銃蒸発源により酸化膜や高融点金属の成膜に対応
・本格的な薄膜デバイスの研究開発・試作が可能
・複数タイプのイオンプレーティング機構も装備可能
・半導体・電子デバイスから新素材・表面処理用途まで幅広い用途で実績豊富
■全手動で抵抗加熱源を基本構成とした簡易実験型
・基板の高温加熱機構や水冷機構、またはリフトオフプロセス対応など
豊富なオプションをご用意
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ICPメタルエッチング装置
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【仕様】
■ハード構成：ロードロック式 ロードロック室 エッチング室各１室構成
※量産用 マルチチャンバタイプもラインアップ
■処理基板：～φ８インチウェハ形状品（矩形基板対応可能）
■基板材質：Si、ガラス、化合物半導体基板（GaAS、サファイア）等
■エッチング対象：各膜種 Al系（AlSi、AlSiCu）・Cr等
：各基板 GaAS・サファイア等
■対象プロセス ：各種薄膜エッチング等
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ICPプラズマエッチング装置『SERIO』
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【仕様】
■ハード構成：ロードロック式 ロードロック室 エッチング室各1室構成
※量産用 マルチチャンバタイプもラインアップ
■処理基板：～φ8インチウェハ形状品（矩形基板対応可能）
■対応基板：Si、石英、セラミックス（アルミナ、AlTiC等）ガラス、
圧電体（LT，LN）等
■エッチング対象：基板Si、石英、
各膜種 Si系(SiO2、SiN)・有機膜 等
■対象プロセス：Si深掘り、SiN犠牲層形成、各種薄膜エッチング等
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
プラズマエッチング装置「ＥＸＡＭ」サンプルテスト受付中
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標準仕様
ステージ寸法：２５０ｍｍ□ エッチング方式：ＲＩＥ ＣＦ系ガス標準
シンプルな機構でＲＩＥ／ＤＰモード切替可能
ステージ温度制御（水冷／加熱）選択可能
ステージ寸法大型化（最大５００ｍｍ□）対応可能
超高真空スパッタリング装置（STM2323型）
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標準インラインタイプ
標準６室構成（ロードロック室、カセット室、搬送室、スパッタ室３室）
枚葉式CｔｏＣシステム
到達圧力：１０－⁷ｐａ Order（スパッタ室）
対象基板：φ２～４インチ
オプション機構
高効率強磁性体用カソード、基板磁化機構、エッチング室
カスタマイズ対応
水素アニール装置（電子デバイス用、サンプルテスト対応中）
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６インチウェハ対応の石英管の横型炉を標準とし、8インチ、縦型炉がオプション対応
高真空排気系も装備可能で、より純度の高い還元雰囲気熱処理が可能。
実績豊富な機器構成に加えボートローダーやデータロギング機構などの周辺機器も豊富にラインアップ。
不活性雰囲気アニールにも対応できる専用アニール装置。
ロードロックタイプスパッタリング装置（枚葉搬送タイプ）デモ対応中
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ロードロック室１室、スパッタ室１室を基本とした２００ｍｍウェハ対応のスパッタリング装置。
基板搬送は枚葉（ＣｔｏＣ）タイプを基本とし、基板のサイズ、形状によりトレイによるＣｔｏＣ搬送。
カソードは大型１元タイプと多元タイプが選択可能。基板加熱も高温および冷却が選択可能。
スパッタもＤＣ，ＲＦにパルスＤＣによるリアクティブスパッタモードより選択。緻密な酸化膜も形成可能で、化合物半導体のゲート酸化膜に対応
枚葉式プラズマエッチング装置「ＥＸＡＭ－Σ」
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３～８インチウェハ対応の大気搬送型ＣｔｏＣシステム。
平行平板型ＲＩＥ装置を基本とし、電極切替によるマルチモードプラズマによりソフトモードプラズマ処理を実現
ＣＦ系、Ｏ２、Ａｒ、Ｈ２などのガス系とプラズマモードの組み合わせにより差的なプロセスを選択可能。
オプションで両面処理機能・３００ｍｍウェハや矩形基板の処理に対応
プロセス室を追加したハイスループットタイプもラインナップ。
HCD型高密度プラズマエッチング装置
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シンプルな構造の高密度プラズマエッチング装置。大口径化が容易で２００ｍｍ以上のウェハやＡ４サイズの矩形基板の処理に適しています。
基板サイズは１ｍ□程度を想定しており、中小型ディスプレイパネル、大型フォトマスクのエッチング、アッシングおよび高密度プリント基板のクリーニング、ディスカム、親水化処理などの各種工程に対応しています。
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神港精機株式会社 東京支店
