上記では、電子ブックの一部をご紹介しております。
スパッタリング装置です。
コスト、プロセスにあわせターゲットも1元から最大5元まで装備可能。
バッチタイプでは実現できないデバイスの高機能化、研究開発の効率化に
貢献します。
また、ローコスト版のスパッタリング装置「SRVシリーズ」もご用意
しております。
【特長】
■シンプルな構造
■多くの機構を搭載可能
■ロードロックタイプ
■コスト、プロセスにあわせターゲットも1元から最大5元まで装備できる
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
関連情報
ICPプラズマエッチング装置『SERIO』
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【仕様】
■ハード構成：ロードロック式 ロードロック室 エッチング室各1室構成
※量産用 マルチチャンバタイプもラインアップ
■処理基板：～φ8インチウェハ形状品（矩形基板対応可能）
■対応基板：Si、石英、セラミックス（アルミナ、AlTiC等）ガラス、
圧電体（LT，LN）等
■エッチング対象：基板Si、石英、
各膜種 Si系(SiO2、SiN)・有機膜 等
■対象プロセス：Si深掘り、SiN犠牲層形成、各種薄膜エッチング等
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ICPメタルエッチング装置
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【仕様】
■ハード構成：ロードロック式 ロードロック室 エッチング室各１室構成
※量産用 マルチチャンバタイプもラインアップ
■処理基板：～φ８インチウェハ形状品（矩形基板対応可能）
■基板材質：Si、ガラス、化合物半導体基板（GaAS、サファイア）等
■エッチング対象：各膜種 Al系（AlSi、AlSiCu）・Cr等
：各基板 GaAS・サファイア等
■対象プロセス ：各種薄膜エッチング等
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
研究開発用真空蒸着装置
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【その他の特長】
■コンパクトな筐体に電子蒸発源を標準装備した前扉型
・電子銃蒸発源により酸化膜や高融点金属の成膜に対応
・本格的な薄膜デバイスの研究開発・試作が可能
・複数タイプのイオンプレーティング機構も装備可能
・半導体・電子デバイスから新素材・表面処理用途まで幅広い用途で実績豊富
■全手動で抵抗加熱源を基本構成とした簡易実験型
・基板の高温加熱機構や水冷機構、またはリフトオフプロセス対応など
豊富なオプションをご用意
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
簡易実験用スパッタリング装置（ＳＲＶ３１００型）
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成膜系：φ３インチカソード １元装備
：高周波電源 １源装備
：基板加熱機構標準装備
：排気系 拡散ポンプ＆油回転ポンプ
操作系：全手動
オプション機構
磁性材用カソード コンベンショナルカソード ＤＣバイアス
逆スパッタ機構 バイアススパッタ機構 基板高温加熱
主ポンプ変更（ターボ分子ポンプ採用）
全自動化
超高真空スパッタリング装置（STM2323型）
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標準インラインタイプ
標準６室構成（ロードロック室、カセット室、搬送室、スパッタ室３室）
枚葉式CｔｏＣシステム
到達圧力：１０－⁷ｐａ Order（スパッタ室）
対象基板：φ２～４インチ
オプション機構
高効率強磁性体用カソード、基板磁化機構、エッチング室
カスタマイズ対応
ＡｌＮテンプレート作成装置（配向性ＡｌＮ膜用スパッタリング装置）
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標準型ロードロックタイプスパッタリング装置より成膜系（カソード、チャンバ、プロセス）を大きく改善。
Ｒ＆Ｄタイプの小型カソード使用装置と量産用の大型カソード１元の２タイプをラインナップ。
お問い合わせ
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神港精機株式会社 東京支店
