上記では、電子ブックの一部をご紹介しております。
イオンプレーティング機構の装備により反応膜が容易に形成可能。
合金成膜対応(合金対応電子銃・抵抗加熱源追加)や高温加熱・冷却・
基板自公転機構等の多くの選択機能がお選びいただけます。
また、大学や公的研究機関における基礎研究を目的とした全手動操作による
簡易型真空蒸着装置「EM-645S型」もご用意しています。
【特長】
■研究開発用に特化
■イオンプレーティング機構の装備により反応膜を容易
■多くの機能を選択できる
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
関連情報
ICPプラズマエッチング装置『SERIO』
-
-
【仕様】
■ハード構成：ロードロック式 ロードロック室 エッチング室各1室構成
※量産用 マルチチャンバタイプもラインアップ
■処理基板：～φ8インチウェハ形状品（矩形基板対応可能）
■対応基板：Si、石英、セラミックス（アルミナ、AlTiC等）ガラス、
圧電体（LT，LN）等
■エッチング対象：基板Si、石英、
各膜種 Si系(SiO2、SiN)・有機膜 等
■対象プロセス：Si深掘り、SiN犠牲層形成、各種薄膜エッチング等
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ICPメタルエッチング装置
-
-
【仕様】
■ハード構成：ロードロック式 ロードロック室 エッチング室各１室構成
※量産用 マルチチャンバタイプもラインアップ
■処理基板：～φ８インチウェハ形状品（矩形基板対応可能）
■基板材質：Si、ガラス、化合物半導体基板（GaAS、サファイア）等
■エッチング対象：各膜種 Al系（AlSi、AlSiCu）・Cr等
：各基板 GaAS・サファイア等
■対象プロセス ：各種薄膜エッチング等
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
研究開発用真空蒸着装置
-
-
【その他の特長】
■コンパクトな筐体に電子蒸発源を標準装備した前扉型
・電子銃蒸発源により酸化膜や高融点金属の成膜に対応
・本格的な薄膜デバイスの研究開発・試作が可能
・複数タイプのイオンプレーティング機構も装備可能
・半導体・電子デバイスから新素材・表面処理用途まで幅広い用途で実績豊富
■全手動で抵抗加熱源を基本構成とした簡易実験型
・基板の高温加熱機構や水冷機構、またはリフトオフプロセス対応など
豊富なオプションをご用意
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
簡易実験用スパッタリング装置（ＳＲＶ３１００型）
-
-
成膜系：φ３インチカソード １元装備
：高周波電源 １源装備
：基板加熱機構標準装備
：排気系 拡散ポンプ＆油回転ポンプ
操作系：全手動
オプション機構
磁性材用カソード コンベンショナルカソード ＤＣバイアス
逆スパッタ機構 バイアススパッタ機構 基板高温加熱
主ポンプ変更（ターボ分子ポンプ採用）
全自動化
化合物半導体用蒸着装置（ＡＡＭＦ－Ｃ１６５０ＳＰＢ型）
-
-
６連式電子銃と移動式多元抵抗加熱蒸発源を装備したバッチ式高真空蒸着装置
標準ウェハプロセス対応蒸着装置よりチャンバ径をコンパクト化し小径ウェハに対応。
リフトオフプロセスに対応した垂直蒸着用の公転ドームと大量処理用の３面プラネタリー自公転ドームの切替使用が可能。
基板加熱ヒーターを標準装備しており、成膜前の基板のべ―クと共に幅広い用タッチパネルによる全自動操作とデータロギングを標準装備し安定した稼動を実現しています。
オプション類も豊富で基板水冷機構・高温加熱機構・同時蒸着機構・ロードロック機構など実績機構より目的に合わせて選択可能
お問い合わせ
※お問い合わせをすると、以下の出展者へ会員情報(会社名、部署名、所在地、氏名、TEL、FAX、メールアドレス)が通知されること、また以下の出展者からの電子メール広告を受信することに同意したこととなります。
神港精機株式会社 東京支店
