上記では、電子ブックの一部をご紹介しております。
膜厚均一性に優れた成膜機構と高速排気を実現！高品質の電極膜を安定して形成可能
『ウェハプロセス用真空蒸着装置』は、6インチまでのウェハへの
電極膜形成に対応したバッチタイプ蒸着装置です。
ディスクリートIC、化合物IC、MEMSデバイスの量産用途に
豊富な実績を持っています。膜厚均一性に優れた成膜機構と高速排気を
実現するオイルフリー排気系により高品質の電極膜を安定して形成が可能。
量産用途の蒸着装置として高い稼働率を誇ります。
【特長】
■信頼性の高い基本構成
■豊富なオプション機構
・蒸発源、多連式電子銃（10kw）、抵抗加熱蒸発源、多元同時蒸着機構
・高温加熱（最高550℃）＝3面プラネタリードーム
・基板クリーニング、イオンガン、ＲＦボンバード機構
・基板ドーム、3面プラネタリードーム、公転ドーム、高温加熱用公転ドーム
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
電極膜形成に対応したバッチタイプ蒸着装置です。
ディスクリートIC、化合物IC、MEMSデバイスの量産用途に
豊富な実績を持っています。膜厚均一性に優れた成膜機構と高速排気を
実現するオイルフリー排気系により高品質の電極膜を安定して形成が可能。
量産用途の蒸着装置として高い稼働率を誇ります。
【特長】
■信頼性の高い基本構成
■豊富なオプション機構
・蒸発源、多連式電子銃（10kw）、抵抗加熱蒸発源、多元同時蒸着機構
・高温加熱（最高550℃）＝3面プラネタリードーム
・基板クリーニング、イオンガン、ＲＦボンバード機構
・基板ドーム、3面プラネタリードーム、公転ドーム、高温加熱用公転ドーム
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
関連情報
ウェハプロセス用真空蒸着装置
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【その他の特長】
■研摩後の薄ウェハのハンドリングに配慮した基板ドームや
電極膜の合金化を成膜と同時に行う高温加熱機能など豊富な選択機構
■多様なご要求に細やかにお答え可能
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
化合物半導体用蒸着装置（ＡＡＭＦ－Ｃ１６５０ＳＰＢ型）
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６連式電子銃と移動式多元抵抗加熱蒸発源を装備したバッチ式高真空蒸着装置
標準ウェハプロセス対応蒸着装置よりチャンバ径をコンパクト化し小径ウェハに対応。
リフトオフプロセスに対応した垂直蒸着用の公転ドームと大量処理用の３面プラネタリー自公転ドームの切替使用が可能。
基板加熱ヒーターを標準装備しており、成膜前の基板のべ―クと共に幅広い用タッチパネルによる全自動操作とデータロギングを標準装備し安定した稼動を実現しています。
オプション類も豊富で基板水冷機構・高温加熱機構・同時蒸着機構・ロードロック機構など実績機構より目的に合わせて選択可能
お問い合わせ
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神港精機株式会社 東京支店
