上記では、電子ブックの一部をご紹介しております。
関連情報
ポリイミドキュア装置（３００ｍｍウェハ対応 クリーンベーク装置）
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低酸素雰囲気中で熱風加熱。温度均一性とクリーンネスを両立。先端デバイスの量産ラインで採用実績豊富な高信頼性装置。
半導体用ポリイミドキュアだけでなくフレキシブル基板ベーク・太陽電池セルアニール等幅広い用途に対応。
オプションにて高真空タイプ。高温処理タイプ対応。
ウェハプロセス対応の石英管型ＣｔｏＣタイプもラインアップ
縦型真空アニール装置
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Ｓｉウェハへの対応を基本とし各種基板・用途に柔軟に対応カスタマイズ
サファイア、石英、ガラス、ＰＣＢ等多用途対応。
雰囲気も真空（低真空・高真空）不活性（Ｎ２，Ａｒ）酸化、還元（Ｈ２，フォーミングガス）等豊富な実績機能より選択可能。
超高真空スパッタリング装置（STM2323型）
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標準インラインタイプ
標準６室構成（ロードロック室、カセット室、搬送室、スパッタ室３室）
枚葉式CｔｏＣシステム
到達圧力：１０－⁷ｐａ Order（スパッタ室）
対象基板：φ２～４インチ
オプション機構
高効率強磁性体用カソード、基板磁化機構、エッチング室
カスタマイズ対応
水素アニール装置（電子デバイス用、サンプルテスト対応中）
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６インチウェハ対応の石英管の横型炉を標準とし、8インチ、縦型炉がオプション対応
高真空排気系も装備可能で、より純度の高い還元雰囲気熱処理が可能。
実績豊富な機器構成に加えボートローダーやデータロギング機構などの周辺機器も豊富にラインアップ。
不活性雰囲気アニールにも対応できる専用アニール装置。
大型真空オーブン
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６００ｍｍ□×６００ｍｍＨ／バッチの大量バッチ処理
炉内全面ヒーターの均一加熱
ドライポンプ＋ターボ分子ポンプの完全ドライ排気系
高真空・低真空・大気圧の各圧力下での加熱処理対応
基板と目的に合わせて排気系・ガス系・処理温度・炉内構造・治具選択可能
横型蒸着装置
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φ７５０から最大φ１０００まで基板寸法と生産量に合わせて最適な処理量と蒸発源等各種機構が選択できます。
イオンプレーティング機構の追加により膜の密着力の向上と反応性生成膜の形成が可能
窒化膜、酸化膜、高密着性電極膜等スパッタよりハイレートで低ダメージの薄膜形成が可能
ロードロックタイプスパッタリング装置（枚葉搬送タイプ）デモ対応中
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ロードロック室１室、スパッタ室１室を基本とした２００ｍｍウェハ対応のスパッタリング装置。
基板搬送は枚葉（ＣｔｏＣ）タイプを基本とし、基板のサイズ、形状によりトレイによるＣｔｏＣ搬送。
カソードは大型１元タイプと多元タイプが選択可能。基板加熱も高温および冷却が選択可能。
スパッタもＤＣ，ＲＦにパルスＤＣによるリアクティブスパッタモードより選択。緻密な酸化膜も形成可能で、化合物半導体のゲート酸化膜に対応
真空熱処理装置（ホットプレートタイプ）
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急速加熱用熱板で３００ｍｍ□の基板の処理に対応。基板冷却機構により短時間・短タクト処理を実現。
長時間の加熱によるダメージが問題となる基板に安定した加熱プロセスを提供。
標準バッチタイプの評価を基にインラインタイプへのシステムアップが容易
化合物半導体用電極膜アニール装置（可変雰囲気熱処理装置）
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横型石英管タイプを標準とし４００～１０００℃程度の加熱に対応しています。
４～６インチウェハの本格量産用途に対応した縦型タイプ（ウェハ自動搬送機構付）と４インチ以下のウェハに対応した横型タイプの２機種をラインナップ。
目的に合わせて開閉型の加熱炉体や急冷用空冷ファンの装備が可能で、高真空排気系・Ｏ２ガス系・ＡＰＣ機構など多くのオプション類を揃えています。
真空及び不活性雰囲気中の処理を標準としており、オプションで還元雰囲気中での処理にも対応いたします。
高真空排気後の大気圧水素雰囲気処理により電極膜のアニールだけでなく半導体膜、結晶膜の高温還元熱処理も可能です。
基板に合わせて温度の均一性と基板のハンドリングを容易にするため温度均一板や専用治具など細やかな対応を行っています。
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神港精機株式会社 東京支店
