上記では、電子ブックの一部をご紹介しております。
関連情報
プラズマエッチング装置「EXAM」サンプルテスト受付中
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標準仕様
ステージ寸法:250mm□ エッチング方式:RIE CF系ガス標準
シンプルな機構でRIE/DPモード切替可能
ステージ温度制御(水冷/加熱)選択可能
ステージ寸法大型化(最大500mm□)対応可能
ICPプラズマエッチング装置『SERIO』
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【仕様】
■ハード構成:ロードロック式 ロードロック室 エッチング室各1室構成
※量産用 マルチチャンバタイプもラインアップ
■処理基板:~φ8インチウェハ形状品(矩形基板対応可能)
■対応基板:Si、石英、セラミックス(アルミナ、AlTiC等)ガラス、
圧電体(LT,LN)等
■エッチング対象:基板Si、石英、
各膜種 Si系(SiO2、SiN)・有機膜 等
■対象プロセス:Si深掘り、SiN犠牲層形成、各種薄膜エッチング等
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ICPメタルエッチング装置
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【仕様】
■ハード構成:ロードロック式 ロードロック室 エッチング室各1室構成
※量産用 マルチチャンバタイプもラインアップ
■処理基板:~φ8インチウェハ形状品(矩形基板対応可能)
■基板材質:Si、ガラス、化合物半導体基板(GaAS、サファイア)等
■エッチング対象:各膜種 Al系(AlSi、AlSiCu)・Cr等
:各基板 GaAS・サファイア等
■対象プロセス :各種薄膜エッチング等
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
HCD型高密度プラズマエッチング装置
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シンプルな構造の高密度プラズマエッチング装置。大口径化が容易で200mm以上のウェハやA4サイズの矩形基板の処理に適しています。
基板サイズは1m□程度を想定しており、中小型ディスプレイパネル、大型フォトマスクのエッチング、アッシングおよび高密度プリント基板のクリーニング、ディスカム、親水化処理などの各種工程に対応しています。
お問い合わせ
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神港精機株式会社 東京支店