上記では、電子ブックの一部をご紹介しております。
マルチモード（ＲＩＥ・ＤＰ）電極切替により複合プロセスで多用途に対応。
シリコン酸化膜・窒化膜・レジスト・有機膜等各種薄膜やシリコンバルクエッチング・表面処理（表面粗化＝ブラックシリコン化）に実績
実績豊富な低コスト・コンパクト・マルチパーパスのプラズマエッチング装置
常設テスト機によるプロセスサポートで新プロセスへのトライを積極サポート。上位機種と機構の標準化により量産への移管が容易なステップアップシステム。
関連情報
プラズマクリーニング装置「POEM」（プラズマクリーナー）
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コンパクトな筐体に電極切替機構や複数のガス系を装備効果大の真空プラズマ装置
φ２３０処理の小型タイプから５００ｍｍ□（φ６００ｍｍ）対応の大型までラインアップ
基板寸法や生産ライン構成・生産量に合わせて自動搬送機構を個別設計。ラインの自動化とハイスループット化に対応
クリーニング、親水処理、アッシング、ライトエッチング、撥水処理、サンプルテストにより個別プロセス開発に実績豊富
ICPメタルエッチング装置
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【仕様】
■ハード構成：ロードロック式 ロードロック室 エッチング室各１室構成
※量産用 マルチチャンバタイプもラインアップ
■処理基板：～φ８インチウェハ形状品（矩形基板対応可能）
■基板材質：Si、ガラス、化合物半導体基板（GaAS、サファイア）等
■エッチング対象：各膜種 Al系（AlSi、AlSiCu）・Cr等
：各基板 GaAS・サファイア等
■対象プロセス ：各種薄膜エッチング等
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
プラズマエッチング装置「ＥＸＡＭ」サンプルテスト受付中
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標準仕様
ステージ寸法：２５０ｍｍ□ エッチング方式：ＲＩＥ ＣＦ系ガス標準
シンプルな機構でＲＩＥ／ＤＰモード切替可能
ステージ温度制御（水冷／加熱）選択可能
ステージ寸法大型化（最大５００ｍｍ□）対応可能
ICPプラズマエッチング装置『SERIO』
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【仕様】
■ハード構成：ロードロック式 ロードロック室 エッチング室各1室構成
※量産用 マルチチャンバタイプもラインアップ
■処理基板：～φ8インチウェハ形状品（矩形基板対応可能）
■対応基板：Si、石英、セラミックス（アルミナ、AlTiC等）ガラス、
圧電体（LT，LN）等
■エッチング対象：基板Si、石英、
各膜種 Si系(SiO2、SiN)・有機膜 等
■対象プロセス：Si深掘り、SiN犠牲層形成、各種薄膜エッチング等
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
水素アニール装置（電子デバイス用、サンプルテスト対応中）
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６インチウェハ対応の石英管の横型炉を標準とし、8インチ、縦型炉がオプション対応
高真空排気系も装備可能で、より純度の高い還元雰囲気熱処理が可能。
実績豊富な機器構成に加えボートローダーやデータロギング機構などの周辺機器も豊富にラインアップ。
不活性雰囲気アニールにも対応できる専用アニール装置。
撥水コーティング装置 テスト受付中
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標準２５０ｍｍ□の処理ステージで各種表面処理（撥水化・親水化・表面酸化・クリーニング）
基板と目的に合わせて各種機能プラズマモード（ＲＩＥ／ＤＰ）・ガス種（ｆ系・ＣＨ系）・基板温度（水冷／加熱）が選択可能
サンプルテストで実基板評価が可能。同コンセプト装置で大型化・連続処理化も容易
枚葉式プラズマアッシング装置（ＳＷＰシリーズ）
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８インチ対応の枚葉式プラズマアッシング装置。
高密度表面波プラズマ源装備アッシング室２室装備。枚葉式ロードロック室１室装備。マルチチャンバタイプ。
コンパクトな設置寸法でハイスループットを実現。豊富なオプション類（ＲＩＥ室・ＩＣＰ室・加熱・冷却室・追加ガス系）による通常のアッシング岳でなく。マルチステップアッシング・各種有機膜エッチング・エッチング／アッシング複合装置として多くの用途・プロセスに対応
大型プラズマエッチング装置
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標準５００ｍｍ□のステージを装備したバッチタイプ平行平板型プラズマエッチング装置。
高周波プラズマを標準とし電極の切替によりRIE・プラズマエッチングのどちらのモードにも対応。
Ｆ系ガスによるエッチング・アッシングを標準的なプロセスとしＳｉ系・ＳｉＯ2系・ＳｉN系のエッチング及びアッシングに対応。またＡｒガスを主とした基板のクリーニングやＯ2ガスによる表面改質など多様な用途に実績。
基板の種類や目的に合わせ通常の平行平板高周波プラズマだけでなく。パルスDCによる直流放電機構も装備可能。
生産量に合わせてインライン化・CtoC化も容易で試作ラインから本格量産ラインへの移管を容易にします。
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神港精機株式会社 東京支店
