上記では、電子ブックの一部をご紹介しております。
Φ４インチカソード３元のＲ％ＤタイプからΦ８インチカソード３元の量産用まで。
大口径主排気系による高速排気と膜厚分布均一性に優れ、薄膜デバイスの高品質化に貢献いたします。
豊富なオプション機構も取り揃えており幅広い用途に豊富な実績
関連情報
プラズマエッチング装置「ＥＸＡＭ」サンプルテスト受付中
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標準仕様
ステージ寸法：２５０ｍｍ□ エッチング方式：ＲＩＥ ＣＦ系ガス標準
シンプルな機構でＲＩＥ／ＤＰモード切替可能
ステージ温度制御（水冷／加熱）選択可能
ステージ寸法大型化（最大５００ｍｍ□）対応可能
ポリイミドキュア装置（３００ｍｍウェハ対応 クリーンベーク装置）
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低酸素雰囲気中で熱風加熱。温度均一性とクリーンネスを両立。先端デバイスの量産ラインで採用実績豊富な高信頼性装置。
半導体用ポリイミドキュアだけでなくフレキシブル基板ベーク・太陽電池セルアニール等幅広い用途に対応。
オプションにて高真空タイプ。高温処理タイプ対応。
ウェハプロセス対応の石英管型ＣｔｏＣタイプもラインアップ
標準バッチタイプスパッタリング装置（ＳＲＶシリーズ）
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シリーズは基本的に４インチカソード、６インチカソード、８インチカソードを装備したバッチタイプ（標準各３元装備）。それぞれカソードの倍以上の面積を有効成膜範囲としています。
スパッタ方向（アップ、ダウン）も目的に合わせて選択可能でチャンバサイズに合わせて標準型以外の大型カソードも搭載できます。
カソードも膜種に合わせて強磁性体用、コンベンショナルタイプなどの各タイプが選択できます。
その他機構も高温加熱、基板冷却（水冷）、多元同時スパッタなど多くのオプションにより幅広い用途に対応いたします。
アニール装置『可変雰囲気熱処理装置』
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※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
量産対応バッチタイプスパッタリング装置 （STH10311型）
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装置形態
平行平板型サイドスパッタリング装置
カソード：ロータリーマグトロンカソード３元
対応基板：φ４１０までの平板基板
カソード電源：DCおよびRF
付属機構：基板加熱機構、逆スパッタ、バイアススパッタ機構
オプション機構
同時スパッタ機構
CｔｏＣ化、インライン化
縦型真空アニール装置
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Ｓｉウェハへの対応を基本とし各種基板・用途に柔軟に対応カスタマイズ
サファイア、石英、ガラス、ＰＣＢ等多用途対応。
雰囲気も真空（低真空・高真空）不活性（Ｎ２，Ａｒ）酸化、還元（Ｈ２，フォーミングガス）等豊富な実績機能より選択可能。
リフトオフプロセス対応真空蒸着装置
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※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ウェハプロセス用真空蒸着装置
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【その他の特長】
■研摩後の薄ウェハのハンドリングに配慮した基板ドームや
電極膜の合金化を成膜と同時に行う高温加熱機能など豊富な選択機構
■多様なご要求に細やかにお答え可能
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ICPプラズマエッチング装置『SERIO』
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【仕様】
■ハード構成：ロードロック式 ロードロック室 エッチング室各1室構成
※量産用 マルチチャンバタイプもラインアップ
■処理基板：～φ8インチウェハ形状品（矩形基板対応可能）
■対応基板：Si、石英、セラミックス（アルミナ、AlTiC等）ガラス、
圧電体（LT，LN）等
■エッチング対象：基板Si、石英、
各膜種 Si系(SiO2、SiN)・有機膜 等
■対象プロセス：Si深掘り、SiN犠牲層形成、各種薄膜エッチング等
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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神港精機株式会社 東京支店
