上記では、電子ブックの一部をご紹介しております。
エッチングガスや周辺機器の変更でシリコン深堀及びメタルの細線（ナノレベル）エッチングに対応
・シリコンエッチング
スムースなエッチング面（側壁、底面）による高精度エッチングを実現。開口部の角度制御も可能でナノインプリントモールド作成に最適
・メタルエッチング
ナノレベルの配線エッチングに対応。要求に対し事前サンプルテストで確実にサポート。個別対応が特徴のエッチング装置
関連情報
プラズマエッチング装置「ＥＸＡＭ」サンプルテスト受付中
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標準仕様
ステージ寸法：２５０ｍｍ□ エッチング方式：ＲＩＥ ＣＦ系ガス標準
シンプルな機構でＲＩＥ／ＤＰモード切替可能
ステージ温度制御（水冷／加熱）選択可能
ステージ寸法大型化（最大５００ｍｍ□）対応可能
超高真空スパッタリング装置（STM2323型）
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標準インラインタイプ
標準６室構成（ロードロック室、カセット室、搬送室、スパッタ室３室）
枚葉式CｔｏＣシステム
到達圧力：１０－⁷ｐａ Order（スパッタ室）
対象基板：φ２～４インチ
オプション機構
高効率強磁性体用カソード、基板磁化機構、エッチング室
カスタマイズ対応
ICPメタルエッチング装置
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【仕様】
■ハード構成：ロードロック式 ロードロック室 エッチング室各１室構成
※量産用 マルチチャンバタイプもラインアップ
■処理基板：～φ８インチウェハ形状品（矩形基板対応可能）
■基板材質：Si、ガラス、化合物半導体基板（GaAS、サファイア）等
■エッチング対象：各膜種 Al系（AlSi、AlSiCu）・Cr等
：各基板 GaAS・サファイア等
■対象プロセス ：各種薄膜エッチング等
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
量産対応バッチタイプスパッタリング装置 （STH10311型）
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装置形態
平行平板型サイドスパッタリング装置
カソード：ロータリーマグトロンカソード３元
対応基板：φ４１０までの平板基板
カソード電源：DCおよびRF
付属機構：基板加熱機構、逆スパッタ、バイアススパッタ機構
オプション機構
同時スパッタ機構
CｔｏＣ化、インライン化
枚葉式プラズマリフロー装置（フラックスレスリフロー）テスト受付中
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チャージアップダメージフリープロセス。
信頼性の高い安定した搬送機構
均一な温度分布による３００ｍｍウェハ面内のリフロー温度プロファイル
３００ｍｍウェハの本格量産ラインに対応。各種上位通信、ＳＭＩＦポッド等規格対応。
テストから設計、納入、立上まで一貫したチームサポート
ICPプラズマエッチング装置『SERIO』
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【仕様】
■ハード構成：ロードロック式 ロードロック室 エッチング室各1室構成
※量産用 マルチチャンバタイプもラインアップ
■処理基板：～φ8インチウェハ形状品（矩形基板対応可能）
■対応基板：Si、石英、セラミックス（アルミナ、AlTiC等）ガラス、
圧電体（LT，LN）等
■エッチング対象：基板Si、石英、
各膜種 Si系(SiO2、SiN)・有機膜 等
■対象プロセス：Si深掘り、SiN犠牲層形成、各種薄膜エッチング等
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
枚葉式プラズマアッシング装置（ＳＷＰシリーズ）
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８インチ対応の枚葉式プラズマアッシング装置。
高密度表面波プラズマ源装備アッシング室２室装備。枚葉式ロードロック室１室装備。マルチチャンバタイプ。
コンパクトな設置寸法でハイスループットを実現。豊富なオプション類（ＲＩＥ室・ＩＣＰ室・加熱・冷却室・追加ガス系）による通常のアッシング岳でなく。マルチステップアッシング・各種有機膜エッチング・エッチング／アッシング複合装置として多くの用途・プロセスに対応
Ｃｕエッチング対応高密度プラズマエッチング装置
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基本構成を従来型エッチング装置「SERIO」「EXAM」と互換性を持つ高密度プラズマエッチング装置。
チャンバ構造・排気系・電源構成等は従来型エッチング装置「SERIO」とも互換性を持っており、電極交換によりＣｕエッチング等新プロセス対応にアップグレード可能。
大型基板用にＣToＣタイプも対応可能
Ｃｕ膜など難エッチングプロセスに対応し幅広い基板ウェハ’（Ｓｉ、ガラス、セラミックス）、ＦＰＤ、高密度プリント板、フォトマスク等幅広い用途に対応いたします。
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神港精機株式会社 東京支店
