上記では、電子ブックの一部をご紹介しております。
蒸発源も多連式電子銃・抵抗加熱電極・低融点用蒸発源・有機物用蒸発源等各種選択機構装備可能
スパッタ室や加熱室との接合OK。高品位プロセス。複合プロセスに積極対応。
マルチチャンバ化・ＣｔｏＣ化実績対応
実績ハードより事前サンプルテストも含め完全個別対応
関連情報
プラズマエッチング装置「ＥＸＡＭ」サンプルテスト受付中
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標準仕様
ステージ寸法：２５０ｍｍ□ エッチング方式：ＲＩＥ ＣＦ系ガス標準
シンプルな機構でＲＩＥ／ＤＰモード切替可能
ステージ温度制御（水冷／加熱）選択可能
ステージ寸法大型化（最大５００ｍｍ□）対応可能
アニール装置『可変雰囲気熱処理装置』
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※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
リフトオフプロセス対応真空蒸着装置
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※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ウェハプロセス用真空蒸着装置
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【その他の特長】
■研摩後の薄ウェハのハンドリングに配慮した基板ドームや
電極膜の合金化を成膜と同時に行う高温加熱機能など豊富な選択機構
■多様なご要求に細やかにお答え可能
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ICPプラズマエッチング装置『SERIO』
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【仕様】
■ハード構成：ロードロック式 ロードロック室 エッチング室各1室構成
※量産用 マルチチャンバタイプもラインアップ
■処理基板：～φ8インチウェハ形状品（矩形基板対応可能）
■対応基板：Si、石英、セラミックス（アルミナ、AlTiC等）ガラス、
圧電体（LT，LN）等
■エッチング対象：基板Si、石英、
各膜種 Si系(SiO2、SiN)・有機膜 等
■対象プロセス：Si深掘り、SiN犠牲層形成、各種薄膜エッチング等
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化合物半導体用蒸着装置（ＡＡＭＦ－Ｃ１６５０ＳＰＢ型）
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６連式電子銃と移動式多元抵抗加熱蒸発源を装備したバッチ式高真空蒸着装置
標準ウェハプロセス対応蒸着装置よりチャンバ径をコンパクト化し小径ウェハに対応。
リフトオフプロセスに対応した垂直蒸着用の公転ドームと大量処理用の３面プラネタリー自公転ドームの切替使用が可能。
基板加熱ヒーターを標準装備しており、成膜前の基板のべ―クと共に幅広い用タッチパネルによる全自動操作とデータロギングを標準装備し安定した稼動を実現しています。
オプション類も豊富で基板水冷機構・高温加熱機構・同時蒸着機構・ロードロック機構など実績機構より目的に合わせて選択可能
お問い合わせ
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神港精機株式会社 東京支店
