上記では、電子ブックの一部をご紹介しております。
半導体（化合物ＩＣ・ディスクリートＩＣ）ＭＥＭＳ、磁気デバイス、小型ＦＰＤ、先端実装基板など多様な基板や用途に個別対応。
社内デモ機によるテストを基に御要求にプロセス＆ハード開発
酸化膜・強磁性体膜・リアクティブ用・各種カソード＆チャンバでラインナップ。ＲＴＡ・ＣＶＤ・蒸着など異種プロセス室も接続可能。
新型成膜機構も開発中。グレードアップ可能なマルチチャンバシステム
関連情報
ＡｌＮテンプレート作成装置（配向性ＡｌＮ膜用スパッタリング装置）
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標準型ロードロックタイプスパッタリング装置より成膜系（カソード、チャンバ、プロセス）を大きく改善。
Ｒ＆Ｄタイプの小型カソード使用装置と量産用の大型カソード１元の２タイプをラインナップ。
ロードロックタイプスパッタリング装置（枚葉搬送タイプ）デモ対応中
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ロードロック室１室、スパッタ室１室を基本とした２００ｍｍウェハ対応のスパッタリング装置。
基板搬送は枚葉（ＣｔｏＣ）タイプを基本とし、基板のサイズ、形状によりトレイによるＣｔｏＣ搬送。
カソードは大型１元タイプと多元タイプが選択可能。基板加熱も高温および冷却が選択可能。
スパッタもＤＣ，ＲＦにパルスＤＣによるリアクティブスパッタモードより選択。緻密な酸化膜も形成可能で、化合物半導体のゲート酸化膜に対応
超高真空スパッタリング装置（STM2323型）
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標準インラインタイプ
標準６室構成（ロードロック室、カセット室、搬送室、スパッタ室３室）
枚葉式CｔｏＣシステム
到達圧力：１０－⁷ｐａ Order（スパッタ室）
対象基板：φ２～４インチ
オプション機構
高効率強磁性体用カソード、基板磁化機構、エッチング室
カスタマイズ対応
ICPメタルエッチング装置
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【仕様】
■ハード構成：ロードロック式 ロードロック室 エッチング室各１室構成
※量産用 マルチチャンバタイプもラインアップ
■処理基板：～φ８インチウェハ形状品（矩形基板対応可能）
■基板材質：Si、ガラス、化合物半導体基板（GaAS、サファイア）等
■エッチング対象：各膜種 Al系（AlSi、AlSiCu）・Cr等
：各基板 GaAS・サファイア等
■対象プロセス ：各種薄膜エッチング等
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ICPプラズマエッチング装置『SERIO』
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【仕様】
■ハード構成：ロードロック式 ロードロック室 エッチング室各1室構成
※量産用 マルチチャンバタイプもラインアップ
■処理基板：～φ8インチウェハ形状品（矩形基板対応可能）
■対応基板：Si、石英、セラミックス（アルミナ、AlTiC等）ガラス、
圧電体（LT，LN）等
■エッチング対象：基板Si、石英、
各膜種 Si系(SiO2、SiN)・有機膜 等
■対象プロセス：Si深掘り、SiN犠牲層形成、各種薄膜エッチング等
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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神港精機株式会社 東京支店
