上記では、電子ブックの一部をご紹介しております。
急速昇温タイプのヒーターと加熱の冷却用の基板水冷機構を装備。急昇温と加熱後の基板の急速冷却を実現。
簡易ロードロックタイプによるハイスループット化を実現。
オプションで高温化・枚葉化にも対応。多用途対応のコンパクト型アニール装置
関連情報
化合物半導体用蒸着装置（ＡＡＭＦ－Ｃ１６５０ＳＰＢ型）
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６連式電子銃と移動式多元抵抗加熱蒸発源を装備したバッチ式高真空蒸着装置
標準ウェハプロセス対応蒸着装置よりチャンバ径をコンパクト化し小径ウェハに対応。
リフトオフプロセスに対応した垂直蒸着用の公転ドームと大量処理用の３面プラネタリー自公転ドームの切替使用が可能。
基板加熱ヒーターを標準装備しており、成膜前の基板のべ―クと共に幅広い用タッチパネルによる全自動操作とデータロギングを標準装備し安定した稼動を実現しています。
オプション類も豊富で基板水冷機構・高温加熱機構・同時蒸着機構・ロードロック機構など実績機構より目的に合わせて選択可能
ＡｌＮテンプレート作成装置（配向性ＡｌＮ膜用スパッタリング装置）
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標準型ロードロックタイプスパッタリング装置より成膜系（カソード、チャンバ、プロセス）を大きく改善。
Ｒ＆Ｄタイプの小型カソード使用装置と量産用の大型カソード１元の２タイプをラインナップ。
ICPプラズマエッチング装置『SERIO』
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【仕様】
■ハード構成：ロードロック式 ロードロック室 エッチング室各1室構成
※量産用 マルチチャンバタイプもラインアップ
■処理基板：～φ8インチウェハ形状品（矩形基板対応可能）
■対応基板：Si、石英、セラミックス（アルミナ、AlTiC等）ガラス、
圧電体（LT，LN）等
■エッチング対象：基板Si、石英、
各膜種 Si系(SiO2、SiN)・有機膜 等
■対象プロセス：Si深掘り、SiN犠牲層形成、各種薄膜エッチング等
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
化合物半導体用電極膜アニール装置（可変雰囲気熱処理装置）
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横型石英管タイプを標準とし４００～１０００℃程度の加熱に対応しています。
４～６インチウェハの本格量産用途に対応した縦型タイプ（ウェハ自動搬送機構付）と４インチ以下のウェハに対応した横型タイプの２機種をラインナップ。
目的に合わせて開閉型の加熱炉体や急冷用空冷ファンの装備が可能で、高真空排気系・Ｏ２ガス系・ＡＰＣ機構など多くのオプション類を揃えています。
真空及び不活性雰囲気中の処理を標準としており、オプションで還元雰囲気中での処理にも対応いたします。
高真空排気後の大気圧水素雰囲気処理により電極膜のアニールだけでなく半導体膜、結晶膜の高温還元熱処理も可能です。
基板に合わせて温度の均一性と基板のハンドリングを容易にするため温度均一板や専用治具など細やかな対応を行っています。
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神港精機株式会社 東京支店
