『CGD65A055S2』は、エンハンスメント モードのGaNオンシリコン
パワートランジスタです。
幅広い電子機器のスイッチング周波数に対して、互換性を実現する
ICeGaNゲート技術には、事実上すべてのゲートドライバーと
コントローラーチップを搭載。
電流検出機能を内蔵することにより別個の電流検出抵抗が不要になります。
【特長】
■簡単設計
■高信頼性
■650V-27AeモードGaNパワースイッチ
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※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
基本情報
【スペック】
■650V-27AeモードGaNパワースイッチ
■ハイゲート用のICeGaNゲート技術、しきい値と広いゲート電圧ウィンドウ、
Si MOSFET用のゲートドライバと互換性あり
■ゲート駆動電圧9V~20V
■電流検出機能
■RDS(on)=55mΩ
■非常に高いスイッチング周波数に適している
■ケルビン接触
■8x8mm2の小さなPCB設置面積
■底面冷却型DFNパッケージ
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