『CGD65B240SH2』は、独自の材料を活用したエンハンスメントモード
GaNオンシリコンパワートランジスタです。
当製品はICeGaNゲート技術により、事実上すべてのゲートドライバー
とコントローラーチップが利用可能。デバイスは、大きな銅領域に
直接はんだ付けできます。
グランドプレーンを強化し、熱性能を向上させ、熱設計を簡素化します。
【特長】
■簡単設計
■高信頼性
■650V-7.0AeモードGaNパワースイッチ
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※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
基本情報
【スペック】
■650V?7.0AeモードGaNパワースイッチ
■ICeGaN ゲート技術により、高いゲート閾値、広いゲート閾値を実現、
ゲート電圧ウィンドウと優れたゲート堅牢性
■ゲート駆動電圧9V~20V
■革新的な NL3 無負荷、軽負荷昇圧回路効率
■電流検出機能
■0Vターンオフ用の統合ミラークランプ
■RDS(on)=240mΩ
■非常に高いスイッチング周波数に適している
■5x6mm2の小さなPCB設置面積
■底面冷却型DFNパッケージ
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