SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL

パワートランジスタ『CGD65A130SH2』

最終更新日: 2024-04-10 11:26:52.0
無負荷状態でのデバイス損失がゼロに近くなる!高電流、高耐圧を実現

『CGD65A130SH2』は、独自の材料を活用したエンハンスメントモード
GaNオンシリコンパワートランジスタです。

ICeGaNゲート技術により、事実上すべてのゲートドライバーと
コントローラーチップが利用可能。グランドプレーンを強化し、
熱性能を向上させ、 熱設計を簡素化します。

また、デバイスは、大きな銅領域に直接はんだ付けできます。

【特長】
■簡単設計
■高信頼性
■650V-12AeモードGaNパワースイッチ

※英語版カタログをダウンロードいただけます。
※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。

基本情報

【スペック】
■650V?12AeモードGaNパワースイッチ
■ICeGaNゲート技術により、高いゲート閾値、広いゲート閾値を実現、
 ゲート電圧ウィンドウと優れたゲート堅牢性
■ゲート駆動電圧9V~20V
■革新的なNL3無負荷、軽負荷昇圧回路効率
■電流検出機能
■0Vターンオフ用の統合ミラークランプ
■RDS(on)=130mΩ
■非常に高いスイッチング周波数に適している
■8x8mm2の小さなPCB設置面積
■底面冷却型DFNパッケージ

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