日本エンギス株式会社

SiCの研削 加工事例

最終更新日: 2019-02-12 14:05:00.0

上記では、電子ブックの一部をご紹介しております。

SiCの両面研削を実現!両面研削加工
今後の市場拡大が予想されるSiC(シリコンカーバイド)、
GaN(ガリウムナイトライド)などのパワーデバイスにおいて、コスト削減は
重要な課題です。

その中でも、従来の加工プロセスと異る方法でコスト
削減を実現した加工事例をご紹介いたします。

【研磨結果】
■表面粗さ<0.5nm (後工程CMP)
■TTV<2μm/Warp<10μm
■高速圧研磨装置『EJD-6BY』と
 固定砥石 『MAD Plate』を使用することで
 SiCの両面研削加工を実現

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

関連情報

SiCの研削 加工事例
SiCの研削 加工事例 製品画像

【採用装置仕様】
■材質/寸法:SiC(シリコンカーバイド/2inch)
■用途:パワーデバイス、高周波デバイス、光デバイス
■要求精度:表面粗さ<1nm TTV<2μm/Warp<10μm
■装置型式:EJD-6BY
■装置仕様:両面ラップ機
■研磨方法:固定砥石 MAD Plate 超微粒子ダイヤモンド砥石

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

焼結ダイヤモンドの研削 加工事例
焼結ダイヤモンドの研削 加工事例 製品画像

【採用装置仕様】
■材質/寸法:焼結ダイヤモンド( PCD )/ 外径 65mm
■用途:切削工具、耐摩耗部品アンビルスクライバー 等
■要求精度:表面粗さ<5nm 加工時間の短縮(現状10時間)
■装置型式:EJW-400HSP
■装置仕様:高速および高圧ラッピング仕様
■研磨方法:固定砥石 MAD Plate 加工熱温度制御

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

ウェハボンディングマシン:EBM-250HSC
ウェハボンディングマシン:EBM-250HSC 製品画像

【装置仕様】
■対応ウェハサイズ:Max.Φ248mm
■加熱方式:電熱(Max.300℃)
■冷却方式:チラー(タイマー制御)
■寸法:W778XD700XH1725mm


※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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