上記では、電子ブックの一部をご紹介しております。
GaN(ガリウムナイトライド)などのパワーデバイスにおいて、コスト削減は
重要な課題です。
その中でも、従来の加工プロセスと異る方法でコスト
削減を実現した加工事例をご紹介いたします。
【研磨結果】
■表面粗さ<0.5nm (後工程CMP)
■TTV<2μm/Warp<10μm
■高速圧研磨装置『EJD-6BY』と
固定砥石 『MAD Plate』を使用することで
SiCの両面研削加工を実現
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
関連情報
SiCの研削 加工事例
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【採用装置仕様】
■材質/寸法:SiC(シリコンカーバイド/2inch)
■用途:パワーデバイス、高周波デバイス、光デバイス
■要求精度:表面粗さ<1nm TTV<2μm/Warp<10μm
■装置型式:EJD-6BY
■装置仕様:両面ラップ機
■研磨方法:固定砥石 MAD Plate 超微粒子ダイヤモンド砥石
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焼結ダイヤモンドの研削 加工事例
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【採用装置仕様】
■材質/寸法:焼結ダイヤモンド( PCD )/ 外径 65mm
■用途:切削工具、耐摩耗部品アンビルスクライバー 等
■要求精度:表面粗さ<5nm 加工時間の短縮(現状10時間)
■装置型式:EJW-400HSP
■装置仕様:高速および高圧ラッピング仕様
■研磨方法:固定砥石 MAD Plate 加工熱温度制御
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ウェハボンディングマシン:EBM-250HSC
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【装置仕様】
■対応ウェハサイズ:Max.Φ248mm
■加熱方式:電熱(Max.300℃)
■冷却方式:チラー(タイマー制御)
■寸法:W778XD700XH1725mm
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