SiCの両面研削を実現！両面研削加工
今後の市場拡大が予想されるSiC(シリコンカーバイド)、
GaN(ガリウムナイトラ)などのパワーデバイスにおいて、コスト削減は
重要な課題です。
その中でも、従来の加工プロセスと異る方法でコスト
削減を実現した加工事例をご紹介いたします。
【研磨結果】
■表面粗さ＜0.5nm (後工程CMP)
■TTV＜2μm/Warp＜10μm
■高速圧研磨装置『EJD-6BY』と
固定砥石 『MAD Plate』を使用することで
SiCの両面研削加工を実現
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
【採用装置仕様】
■材質/寸法：SiC(シリコンカーバイド/2inch)
■用途：パワーデバイス、高周波デバイス、光デバイス
■要求精度：表面粗さ＜1nm TTV＜2μm/Warp＜10μm
■装置型式：EJD-6BY
■装置仕様：両面ラップ機
■研磨方法：固定砥石 MAD Plate 超微粒子ダイヤモンド砥石
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
■材質/寸法：SiC(シリコンカーバイド/2inch)
■用途：パワーデバイス、高周波デバイス、光デバイス
■要求精度：表面粗さ＜1nm TTV＜2μm/Warp＜10μm
■装置型式：EJD-6BY
■装置仕様：両面ラップ機
■研磨方法：固定砥石 MAD Plate 超微粒子ダイヤモンド砥石
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