繊細なメンブレンチップを1μm以下のポストボンディング精度で積層しています！
シュトゥットガルトのマイクロエレクトロニクス研究所は、シリコン技術、
特定用途向け回路（ASIC）、ナノ構造、イメージセンサー技術などの分野で
ビジネス志向の研究を行い、専門的なトレーニングを提供しています。
新しいアプリケーションでは、数cmの大きさのメンブレンチップを非常に
高い精度で積み重ねることが重要な要件となりました。
配置と積層のすべてのステップが完了した後、プロセス全体としての
ポストボンディング精度は1μm未満でなければなりませんでした。
当事例では、“ポストボンディング精度1μmのメンブレンチップの
スタッキング実装対応ダイボンダー”について紹介しています。
※事例の詳細内容は、PDF資料より閲覧いただけます。
詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
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【顧客事例】メンブレンチップのスタッキング実装対応ダイボンダー
上記では、電子ブックの一部をご紹介しております。
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