株式会社アイテス

SiCデバイスの裏面発光解析

最終更新日: 2020-11-16 11:39:04.0
SiCデバイスの前加工→リーク箇所特定→物理解析/成分分析までスルー対応!

当社では、『SiCデバイスの裏⾯発光解析』を行っております。

SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ない
パワーデバイスであり注目を集めていますが、Si半導体とは
物性が異なるため、故障解析も新たな手法が必要となります。

SiC MOSFET裏面発光解析事例では、海外製SiC MOSFETをESDにより、
G-(D,S)間リークを作製、発光解析にて、リーク箇所を示す多数の
発光を検出。

発光箇所をTEM観察したところ、SiO2膜の破壊、SiC結晶にダメージが
認められました。

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

基本情報

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

価格帯 お問い合わせください
納期 お問い合わせください
用途/実績例 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

お問い合わせ

下記のフォームにお問い合わせ内容をご記入ください。
※お問い合わせには会員登録が必要です。

至急度  必須
ご要望  必須
目的  必須
添付資料
お問い合わせ内容 
【ご利用上の注意】
お問い合わせフォームを利用した広告宣伝等の行為は利用規約により禁止しております。
はじめてイプロスをご利用の方 はじめてイプロスをご利用の方 すでに会員の方はこちら
イプロス会員(無料)になると、情報掲載の企業に直接お問い合わせすることができます。
メールアドレス

※お問い合わせをすると、以下の出展者へ会員情報(会社名、部署名、所在地、氏名、TEL、FAX、メールアドレス)が通知されること、また以下の出展者からの電子メール広告を受信することに同意したこととなります。

株式会社アイテス

製品・サービス一覧(330件)を見る