※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
関連情報
・パッケージ状態・開封済みチップ・チップ単体・Wafer状態の裏面研磨
Siチップサイズ:200um~15mm
・IR-OBIRCH解析: ~100mA/10V ~100uA/25V まで対応
感度:数十pA
低倍最大視野:6.5mm角
・エミッション解析: ~2kV まで対応
感度:数nA
低倍最大視野:6.5mm角
・特定位置精度: ±0.3um、試料厚1.5um~0.1um
・機械研磨SEM観察: 大きな破壊箇所・異物・広範囲の観察
・拡散層観察: TEM試料加工前に不良箇所近傍にて観察可能
構造により前処理が必要な場合あり
・FIB-SEM観察: クラック・形状異常・拡散層観察(~×50k)
・断面TEM観察: ゲート酸化膜の破壊・転位(~400k)
Siチップサイズ:200um~15mm
・IR-OBIRCH解析: ~100mA/10V ~100uA/25V まで対応
感度:数十pA
低倍最大視野:6.5mm角
・エミッション解析: ~2kV まで対応
感度:数nA
低倍最大視野:6.5mm角
・特定位置精度: ±0.3um、試料厚1.5um~0.1um
・機械研磨SEM観察: 大きな破壊箇所・異物・広範囲の観察
・拡散層観察: TEM試料加工前に不良箇所近傍にて観察可能
構造により前処理が必要な場合あり
・FIB-SEM観察: クラック・形状異常・拡散層観察(~×50k)
・断面TEM観察: ゲート酸化膜の破壊・転位(~400k)
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【発光解析/OBIRCH解析 特長】
■発光/OBIRCH解析によりリーク箇所、あるいは関係しているネットを特定
■Layout Viewerによるレイアウト確認が可能
■カスタマイズされた装置により、様々なサンプルの解析に対応できる
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■Layout Viewerによるレイアウト確認が可能
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株式会社アイテス