株式会社アイテス

発光解析のための半導体の裏面研磨

最終更新日: 2023-01-12 17:18:04.0

上記では、電子ブックの一部をご紹介しております。

関連情報

パワーデバイスの故障解析
パワーデバイスの故障解析 製品画像
・パッケージ状態・開封済みチップ・チップ単体・Wafer状態の裏面研磨
 Siチップサイズ:200um~15mm

・IR-OBIRCH解析: ~100mA/10V ~100uA/25V まで対応
         感度:数十pA
         低倍最大視野:6.5mm角

・エミッション解析: ~2kV まで対応
          感度:数nA
          低倍最大視野:6.5mm角

・特定位置精度: ±0.3um、試料厚1.5um~0.1um

・機械研磨SEM観察: 大きな破壊箇所・異物・広範囲の観察

・拡散層観察: TEM試料加工前に不良箇所近傍にて観察可能
       構造により前処理が必要な場合あり

・FIB-SEM観察: クラック・形状異常・拡散層観察(~×50k)

・断面TEM観察: ゲート酸化膜の破壊・転位(~400k)
 
ICの不良解析
ICの不良解析 製品画像
【発光解析/OBIRCH解析 特長】
■発光/OBIRCH解析によりリーク箇所、あるいは関係しているネットを特定
■Layout Viewerによるレイアウト確認が可能
■カスタマイズされた装置により、様々なサンプルの解析に対応できる

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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