最終更新日:
2020-11-16 11:44:10.0
他手法より短納期！FIB-SEMによる形状観察と、拡散層観察の両方を実施できます！
当社では、『FIB-SEMによる半導体の拡散層観察』を行っております。
FIB法による断面作製とSEM観察によって半導体の拡散層を可視化、
形状評価を行いました。
SEMのInlens 検出器によって内蔵電位の違いを可視化した事例では
内蔵電位によりN型とP型領域で発生する二次電子のエネルギーに差が発生。
それによって生まれる軌道の差をSEMの検出器で検出します。
【特長】
■FIB-SEMによる形状観察と、拡散層観察の両方を実施することが可能
■他手法より短納期で対応
■濃度は10E16まで検出可能
■PN界面が可視化されるが、N+/N-,及びP+/P-の濃度差は検出不可
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
基本情報
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
| 価格帯 | お問い合わせください |
|---|---|
| 納期 | お問い合わせください |
| 用途／実績例 | ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 |
お問い合わせ
※お問い合わせをすると、以下の出展者へ会員情報(会社名、部署名、所在地、氏名、TEL、FAX、メールアドレス)が通知されること、また以下の出展者からの電子メール広告を受信することに同意したこととなります。
株式会社アイテス
