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断面研磨・加工・観察・分析のトータルサポートサービス

最終更新日: 2023-05-17 10:14:10.0

上記では、電子ブックの一部をご紹介しております。

さまざまな部品・材料の断面を受託加工作製します
アイテスでは電子部品、実装基板、半導体、化合物半導体、パワーデバイス、
フィルム、樹脂成形品、太陽パネル、液晶ガラスなど
さまざまな部品・材料の断面を受託加工作製します。

また作製した断面の観察や分析を行い、不良解析や出来栄え評価などを
受託分析いたします。

【サービス一覧】
■機械研磨
■CP加工
■ミクロトーム
■FIB加工
■半導体拡散層の解析　など

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

関連情報

Cuワイヤボンディングの接合界面について
Cuワイヤボンディングの接合界面について 製品画像
【その他の掲載内容（抜粋）】
■被覆Pdの確認
■Cuグレインの観察
■Cu-Al化合物の確認
■Al電極上の酸化膜の確認
■接合中央部のCu-Al化合物と微小ボイド
■接合中央部の化合物とボイドの特徴的配列
■Cu-Al化合物の成長（拡散）
■パッケージ開封後のAl接合面の観察

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【資料】Cuワイヤボンディングの接合界面について
【資料】Cuワイヤボンディングの接合界面について 製品画像
【その他の掲載内容（抜粋）】
■結果及び考察
・ボンディング部の観察
・断面作製法の選択
・被覆Pdの分布
・EBSDによるCuグレインの観察
・Cu-Al接合界面
・開封エッチング後のAl 接合面の観察

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【資料】液晶材料とその分析技術
【資料】液晶材料とその分析技術 製品画像
【その他の掲載内容】
■LCP分子構造解説（一例）
■アイテス保有のGC-MS装置
■低分子液晶
■低分子液晶構造解説（一例）
■GC-MS分析による低分子液晶（for LCD）のTICデータ、および検出物質
■液晶構造機能解説

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クロスビームFIBによる断面観察
クロスビームFIBによる断面観察 製品画像
半導体デバイス、MEMS、TFTトランジスタなど
ナノスケールで製造されるエレクトロニクス製品の構造解析を
クロスビームFIBによる断面観察で行います。

１）FIB加工をリアルタイムで観察できるため目的の箇所を確実に捉えます。
２）2つの二次電子検出器（In-Lens/チャンバーSE）により試料から様々な情報が得られます。
３）加工用FIBと観察用低加速SEMを1つのチャンバーに集約し大気に曝すことなく観察。
４）拡散層：PN界面の可視化が可能。N+/N-及びP+/P-の濃度差は検出不可。
EBSD解析
EBSD解析 製品画像
【マップ例】
■IQマップ(イメージクオリティーマップ)
■IPFマップ(逆極点図方位マップ)
■Crystal Directionマップ(結晶方位マップ)
■GRODマップ
■極点図
■逆極点図

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EBSD法によるCu結晶解析
EBSD法によるCu結晶解析 製品画像
【Cu板における圧縮前後での変化観察】
■IQマップ
■GRODマップ
■IPFマップ(Axis3方向)

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EBSD法による解析例
EBSD法による解析例 製品画像
【金ワイヤーボンド接合部　解析例】
■逆極点図方位マップ(Inverse Pole Figure:IPFマップ)
■逆極点図を基にした結晶方位マップ
■Grain Reference Orientation Deviation:GRODマップ
■結晶粒内での結晶方位差によるマップ

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【受託分析】レーザー顕微鏡（観察＆測定）
【受託分析】レーザー顕微鏡（観察＆測定） 製品画像
【仕様】
＜対物レンズ倍率：観察測定範囲（横）＞
■10x：1350μm
■20x：675μm
■50x：270μm
■150x：90μm

＜対物レンズ倍率：観察測定範囲（縦）＞
■10x：1012μm
■20x：506μm
■50x：202μm
■150x：67μm

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EELS分析手法による膜質評価
EELS分析手法による膜質評価 製品画像
【EELS分析とEDS分析との比較】
<EELS>
■分析に使用するパラメータ：エネルギー損失電子
■エネルギー分解能：1eV以下
■長所：状態分析軽元素分析（Li,B）
■短所：広範囲の元素を同時分析が困難
■測定時間：5s
■TEM試料厚：約50nm以下
<EDS>
■分析に使用するパラメータ：特性X線
■エネルギー分解能：100eV前後
■長所：全元素についての分析
■短所：近接するエネルギーを持つ元素のピーク分離が困難
■測定時間：30s
■TEM試料厚：約300nm以下

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ウィスカ評価
ウィスカ評価 製品画像
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超微⼩硬度計による材料評価
超微⼩硬度計による材料評価 製品画像
【試験から得られる結果】
■設定荷重まで段階的に荷重を増加させて測定するため、表層からの連続的な
　硬さや押し込み深さ、材料への影響情報などのプロファイルが得られる
■圧⼦を材料中に押し込む侵⼊深さと、除荷後回復する荷重／侵⼊深さ曲線
　より硬さ値を求めるため、硬度以外にヤング率・塑性硬さ・塑性変形量・弾性割合・
　クリープなどの多くの物性を解析可能
■測定n数を増やして硬さなどのばらつきを標準偏差によって表すことができる

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デジタルマイクロスコープによる外観観察
デジタルマイクロスコープによる外観観察 製品画像
【傾斜観察概要】
<デジタルマイクロスコープ：KEYENCE VHX-5000（使用レンズVH-Z50L）使用>
■-60°～+90°まで傾斜可能なレンズ機構により、実装部品の
　側面などをそのまま観察することが可能
■深度合成機能を持つデジタルマイクロスコープにより、
　サンプル全体に焦点のあった合成画像が取得できる
■電動ステージにより、高倍での連結画像の作成が可能

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【資料】ウィスカ観察
【資料】ウィスカ観察 製品画像
【サービスの流れ】
■信頼性試験（輸送リスクの排除）
■発生頻度観察（見逃しがないようダブルチェック）
■写真撮影
■3次元測長
■ご報告

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【保有設備】FIB（Focused Ion Beam)
【保有設備】FIB（Focused Ion Beam) 製品画像
【特長】
■クロスビームFIB「Carl Zeiss 1540XB」
・FIBで断面加工しながリアルタイムでSEM観察が出来るため、
　ピンポイントで精度よく断面を出すことが可能
・SEM/SIMの観察が可能
■シングルビームFIB「SEIKO SMI 2200」
・TEM試料作製やSIM観察断面の作製、微細加工などの加工が可能

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X線透視・CT検査装置『Cheetah EVO』
X線透視・CT検査装置『Cheetah EVO』 製品画像
【事例】
・X線透視・CT検査装置（リフローシミュレータ）【動画あり】
・X線透視・CT検査装置（BGAはんだクラック解析事例）
・X線透視・CT検査装置（LED不良透視観察事例）【動画あり】など

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TEMによる電子部品・材料の解析
TEMによる電子部品・材料の解析 製品画像
■エミッション発光にて特定した故障部位は
　FIBにより薄片化しながら観察します。

■電子の透過力の大きい加速電圧400kVのTEMにて
　故障部位を試料厚内に閉じ込めた状態での透過観察とFIB加工を繰り返し
　最適な像を得ることができます。

■TEM像倍率をあらかじめ校正しておき
　2%以下の誤差で測長することもできます。
EPMA分析
EPMA分析 製品画像
【装置仕様】
■日本電子（株）製 Jeol-8200
■分析方式：波長分散型X線分析（WDX）
■分析可能元素：B～U
■エネルギー分解能：20eV（EDXは約130eV）
■検出限界：0.01％～
■最大試料寸法：100×100mm

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FE-SEM観察（Alワイヤボンディング部結晶粒観察）
FE-SEM観察（Alワイヤボンディング部結晶粒観察） 製品画像
【適応対象】
■ICパッケージ、実装・接合部品、実装基板、LSIデバイス、LCD薄膜、
　⾦属表⾯状態、結晶粒の観察・分析など

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真贋調査（比較観察）
真贋調査（比較観察） 製品画像
【調査方法】
■外観観察
■X線観察
■電気的測定
■開封観察
■信頼性試験
■材料調査

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ダイヤモンドのクラリティ観察
ダイヤモンドのクラリティ観察 製品画像
【マイクロスコープ　概要】
■Keyence VHX-5000
■レンズ：VH-Z50L/VH-Z00R

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積層基板の斜めCT観察
積層基板の斜めCT観察 製品画像
【積層基板の観察事例（斜めCT観察）】
■Cheetah EVOでは、凹凸が少なく大きさが200mmほどの試料であれば破壊することなく、
　そのままCT観察することが可能
■X線による透過観察では、斜めCTで像を取得することで各層のパターンを確認することが可能
■測長ツールを用いることで長さを測定することもできる
■測定結果は光学顕微鏡像の測定結果に対し約7～14%の差が見られたが、非破壊で内部構造を
　把握したいという場合には有効

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塗膜の観察
塗膜の観察 製品画像
【特長】
■トリプルイオンポリッシャー(CP)
・硬・軟材料の共存する試料であっても、ダメージのない加工が可能
■ミクロトーム
・断面作製のみならず、平面傾斜切削も可能
■卓上斜め切削機
・表面情報として元の厚みの6～300倍のサンプル面を取り出すことが可能
■卓上型SEM(電子顕微鏡)
・低真空下での観察が可能なモード(帯電軽減)があり、揮発成分が出る試料の観察や元素分析が可能

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ガイドネットマップ法を用いたEPMA分析例
ガイドネットマップ法を用いたEPMA分析例 製品画像
【分析例】
＜錠剤表面の元素分析＞
■2×2や3×3など任意に測定範囲を分割し、測定することによって、広範囲の測定が可能になる
■高低差があるため、SEM-EDXでの測定は局所的になってしまい、錠剤表面の元素分布の把握が困難
＜面分析（3×3mm範囲でSiの面分析）＞
■通常測定では試料中央の凸部にフォーカスが合わず正しい分布が得られない
■ガイドネットマップ法を用いることで、高低差の影響を受けることなく正しい分布を得ることができた

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超音波顕微鏡『SAM』
超音波顕微鏡『SAM』 製品画像
【その他の仕様】
■最大測定範囲：314mm×314mm　最小ピッチ：0.5μm
■画像取得数(1スキャン)：100枚(ゲート)

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エネルギー分散X線分光法(EDS)
エネルギー分散X線分光法(EDS) 製品画像
【その他のEDSによる分析】
■線分析
　・SEM画像で指定した線状の各元素の濃度分布をプロファイルすることができる
　・層状に異なる組成が存在している試料に対し有効な場合がある
■面分析
　・各元素の分布を2次元的に見ることができる
　・いくつかの元素を重ね合わせた画像を表示することも可能

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【EDSによる分析事例】Cuパッドの接合界面
【EDSによる分析事例】Cuパッドの接合界面 製品画像
【その他のEDSによる分析の特長】
■面分析
　・各元素の分布を2次元的に見ることができる
　・複数の元素を重ね合わせた画像を表示することも可能

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機械研磨による3D構築
機械研磨による3D構築 製品画像
【X線CTとFIBスライス断面による3D構築のメリット・デメリット（抜粋）】
■X線CT
・方式：試料を回転させ360度の連続透視像を取得し、3D像を構築
・メリット：非破壊による3D化が可能
・デメリット：重金属や厚い試料はX線が透過できない為、撮影に向かない
■FIBスライス3D
・方式：FIBスライス加工にて複数の断面を作製し、都度、像を取得
・メリット：数万倍まで拡大した像が得られ、サブミクロンオーダーの3D化が可能
・デメリット：FIB加工を行う為、非破壊では無い

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ワンショット3D形状測定機『VR-6200』
ワンショット3D形状測定機『VR-6200』 製品画像
【仕様（一部）】
■倍率：12～160倍
■観察可能範囲：W約300mm×D約125mm×H約70mm
■耐荷重：4.5kg
■表示分解能：0.1μm
■正確さ
・高さ測定：連結なし±2.5μm、連結あり±4μm
・幅測定：低倍±5μm、高倍±2μm

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液晶パネルに実装されたICチップ表面観察
液晶パネルに実装されたICチップ表面観察 製品画像
【その他概要】
＜液晶パネルのICチップ＞
■観察対象は液晶パネルにCOG実装方式で接続されたICチップ
■ICチップとガラス基板はACFで接着されており、ICチップは取り外せない構造
■ガラス基板越しにICチップ回路面の観察を試みたが、ガラス基板配線や導電粒子に阻まれ、
　ICチップ回路面を確認することができなかった

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CP加工装置Arblade5000_ワイドエリア断面ミリング
CP加工装置Arblade5000_ワイドエリア断面ミリング 製品画像
【Arblade5000 仕様】
■最大ミリングレート(材料Si)：1mm/h以上
■最大試料サイズ：20(W)×12(D)×7(H)mm
■加工幅：8mm
■冷却温度設定範囲：0℃～-100℃

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