【分析事例】パワーデバイス カタログ一覧

【分析事例】ウエハ・チップの特定箇所の前処理技術

目的箇所のみサンプリングし、ウェハを割らずにサンプル作製します

最終更新日： 2016-02-15 14:09:43.0技術資料・事例集

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【分析事例】極薄SiON膜の組成・膜厚評価_C0002

XPSを用いたウエハ表面数nmの膜厚の見積もり

最終更新日： 2021-05-19 11:42:12.0技術資料・事例集

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【分析事例】パワートランジスタ（DMOSFET）の拡散層評価

ゲート・ソース層・ボディ層の位置関係がわかります

最終更新日： 2016-02-15 12:59:15.0技術資料・事例集

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【分析事例】SiC表面の結合状態・膜厚評価_C0394

XPSによる詳細な結合状態評価と膜厚計算

最終更新日： 2021-06-10 14:24:01.0技術資料・事例集

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【分析事例】水素注入サンプルのSRA/SIMS評価事例_C0322

ライフタイム制御サンプルのキャリア濃度分析事例紹介

最終更新日： 2021-06-01 18:47:10.0技術資料・事例集

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【分析事例】パッケージ品のロックイン発熱解析

Si系パワーダイオードのリーク箇所非破壊分析

最終更新日： 2016-08-25 10:38:12.0技術資料・事例集

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【分析事例】SiCパワーMOSFETのコンタクト電極評価

コンタクト電極/SiC層の界面の相同定・元素分布評価

最終更新日： 2016-10-31 13:19:23.0技術資料・事例集

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【分析事例】SIMS・SCM・TEMによるSiCパワーMOSFETの活性層評価_C0291

活性層の形状とドーパントを評価

最終更新日： 2023-04-04 10:16:38.0技術資料・事例集

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【分析事例】SiC中ドーパント元素の深さ方向分析2

目的に応じた分析条件で測定します

最終更新日： 2016-03-10 11:49:11.0技術資料・事例集

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【分析事例】SiC基板におけるSSDP-SIMS分析_C0284

SiC基板側からドーパント濃度プロファイルを取得可能

最終更新日： 2021-06-01 18:30:55.0技術資料・事例集

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【分析事例】SiC基板のゲート酸化膜評価

膜厚・密度・結合状態を評価

最終更新日： 2016-03-10 10:06:56.0技術資料・事例集

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【分析事例】NPT-IGBT中ドーパント調査

イメージングSIMSによって局在する元素の評価が可能

最終更新日： 2016-03-10 09:34:06.0技術資料・事例集

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【分析事例】SiC Schottky Barrier Diodeのフォトルミネッセンスマッピング測定

SiC中積層欠陥の検出事例

最終更新日： 2016-03-09 14:45:22.0技術資料・事例集

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【分析事例】SiC Schottky diode中Alの深さ方向分析

イメージングSIMSにより、局在する元素の評価が可能

最終更新日： 2016-03-01 15:01:45.0技術資料・事例集

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【分析事例】SiCパワーMOS FET中ドーパント評価

イメージングSIMSにより、局在する元素の評価が可能

最終更新日： 2016-03-01 14:54:41.0技術資料・事例集

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【分析事例】SiC中ドーパント元素の深さ方向分析1

SiC中B,Al,N,P,Asについて、高感度で深さ方向分布の評価が可能

最終更新日： 2016-03-01 14:47:40.0技術資料・事例集

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【分析事例】SiC Planer Power MOSのSCM分析

SiC デバイスの拡散層構造を可視化できます

最終更新日： 2016-03-01 14:16:36.0技術資料・事例集

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【分析事例】600V耐圧SiC Schottky Diodeのブレークダウン観察

前処理から発光箇所特定まで一貫解析

最終更新日： 2016-02-15 14:07:21.0技術資料・事例集

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【分析事例】SIMSによるGaN系LED構造の組成分析

GaN系LEDの主成分元素の組成を深さ方向に評価可能

最終更新日： 2016-08-25 13:22:32.0技術資料・事例集

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【分析事例】化合物積層構造試料のSIMS分析_C0269

前処理により化合物層を選択的に除去してから分析が可能

最終更新日： 2023-04-19 17:49:06.0技術資料・事例集

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【分析事例】XAFSによるシリコン酸化膜評価

シリコン周囲の局所構造解析、中間酸化物の定量、バルク・界面の評価

最終更新日： 2016-10-21 13:41:16.0技術資料・事例集

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【分析事例】酸化ガリウムGa2O3膜表面近傍の金属元素濃度評価

極浅い領域でも高感度に分析

最終更新日： 2016-09-30 09:20:46.0技術資料・事例集

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【分析事例】イオン注入及びアニール処理を行ったSiの低温フォトルミネッセンススペクトル

照射欠陥やアニールによる結晶性の回復を確認することが可能です

最終更新日： 2016-07-29 13:36:15.0技術資料・事例集

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【分析事例】酸化ガリウムGa2O3膜の不純物濃度評価

不純物元素の定量評価が可能です

最終更新日： 2016-04-19 11:03:07.0技術資料・事例集

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【分析事例】SiC中不純物の超高感度測定

ppb～pptレベルのバルク濃度を評価します

最終更新日： 2016-04-19 10:28:01.0技術資料・事例集

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【分析事例】高電子移動度トランジスタの評価_C0410

Csコレクタ付STEMにより結晶整合性および組成分布の評価が可能

最終更新日： 2023-04-10 16:13:47.0技術資料・事例集

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【分析事例】ABF-STEM観察によるGaNの極性評価_C0409

Csコレクタ付STEMにより原子レベルでの観察が可能です

最終更新日： 2023-04-10 14:22:57.0技術資料・事例集

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【分析事例】電子回折の種類と特徴

TEM：透過電子顕微鏡法

最終更新日： 2016-10-31 11:29:57.0

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【分析事例】ケミカルシフトによる金属酸化物の価数評価

XPS：X線光電子分光法

最終更新日： 2023-03-29 16:59:03.0技術資料・事例集

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【分析事例】ウエットエッチングによる有機付着物除去

低ダメージで表面汚染を除去してXPSによる評価を行います

最終更新日： 2022-10-13 09:57:44.0技術資料・事例集

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