【測定法】電子顕微鏡観察・分析
◆AES（オージェ電子分光法）
◆SEM（走査電子顕微鏡法）
◆EBIC（電子線誘起電流法)
◆EBSD（電子後方散乱回折法）
◆EDX（エネルギー分散型X線分光法）
◆EPMA（電子線マイクロ分析法）
◆TEM（透過電子顕微鏡法）
◆EELS（電子エネルギー損失分光法)
◆SIM（走査イオン顕微鏡法)
◆SEM（走査電子顕微鏡法）
◆EBIC（電子線誘起電流法)
◆EBSD（電子後方散乱回折法）
◆EDX（エネルギー分散型X線分光法）
◆EPMA（電子線マイクロ分析法）
◆TEM（透過電子顕微鏡法）
◆EELS（電子エネルギー損失分光法)
◆SIM（走査イオン顕微鏡法)
【分析事例】二次電池負極SEI被膜の元素分布評価・化学状態評価
容量低下の要因となるSEI被膜のマッピング評価・化学状態評価が可能です。
最終更新日：
2022-10-13 09:56:48.0製品カタログ
【分析事例】バッテリー正極材の活物質抽出およびデータ解析_C0690
深層学習×データ解析によりSEM像から活物質の粒径を求めました
最終更新日：
2023-03-09 14:27:49.0製品カタログ
【分析事例】ノーマリーオフ型 GaN HEMT 二次元電子ガス層評価_C0702
製品調査の複合解析をワンストップでご提案可能です
最終更新日：
2023-11-30 11:55:59.0技術資料・事例集
【分析事例】トレンチ型Si-MOSFETのIDSSリーク箇所の複合解析_C0707
デバイスの不良箇所特定から要因解析までワンストップでご提供
最終更新日：
2024-04-04 10:18:18.0技術資料・事例集
【分析事例】SiCパワートランジスタリーク箇所のSlice&view_3D-SEM_による故障解_C0710
SEM像の3D化でリークパスを確認
最終更新日：
2024-05-23 14:47:39.0技術資料・事例集
【分析事例】SiCパワートランジスタリーク箇所の成分分析_C0711
Slice＆Viewで特定したゲート破壊箇所で拡大観察やEDX分析が可能
最終更新日：
2024-05-23 15:48:55.0技術資料・事例集
【測定法】質量分析法
【測定法】光電子分光法
【測定法】電子顕微鏡観察・分析
【測定法】振動分光
【測定法】X線回折関連
【測定法】SPM関連
【測定法】故障解析
【測定法】そのほかの測定法
【加工法・処理法】
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【分析事例】LSI・メモリ
【分析事例】光デバイス
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