『CGD65B200S2』は、エンハンスメント モードのGaNオンシリコン
パワートランジスタです。
外付けがないのでセンス抵抗が必要な場合は、デバイスを直接接続可能。
グランドの広い銅領域にはんだ付けされているため、平面、熱性能の向上、
熱設計を簡素化します。
高周波をサポートするDFN 5x6 SMDパッケージです。
【特長】
■簡単設計
■高信頼性
■650V-8.5AeモードGaNパワースイッチ
※英語版カタログをダウンロードいただけます。
※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
基本情報
【スペック】
■650V-8.5AeモードGaNパワースイッチ
■ハイゲート用のICeGaNゲート技術、しきい値と広いゲート電圧ウィンドウ、
ゲートドライバおよびコントローラと互換性あり、Si MOSFET用
■ゲート駆動電圧9V~20V
■電流検出機能
■RDS(on)=200mΩ
■非常に高いスイッチング周波数に適している
■ケルビン接触
■5x6mm2の小さなPCB設置面積
■底面冷却型DFNパッケージ
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