SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL

パワートランジスタ『CGD65B200S2』

最終更新日: 2024-04-10 11:26:52.0
幅広い電子機器のスイッチング周波数に対して、互換性を実現!

『CGD65B200S2』は、エンハンスメント モードのGaNオンシリコン
パワートランジスタです。

外付けがないのでセンス抵抗が必要な場合は、デバイスを直接接続可能。
グランドの広い銅領域にはんだ付けされているため、平面、熱性能の向上、
熱設計を簡素化します。

高周波をサポートするDFN 5x6 SMDパッケージです。

【特長】
■簡単設計
■高信頼性
■650V-8.5AeモードGaNパワースイッチ

※英語版カタログをダウンロードいただけます。
※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。

基本情報

【スペック】
■650V-8.5AeモードGaNパワースイッチ
■ハイゲート用のICeGaNゲート技術、しきい値と広いゲート電圧ウィンドウ、
 ゲートドライバおよびコントローラと互換性あり、Si MOSFET用
■ゲート駆動電圧9V~20V
■電流検出機能
■RDS(on)=200mΩ
■非常に高いスイッチング周波数に適している
■ケルビン接触
■5x6mm2の小さなPCB設置面積
■底面冷却型DFNパッケージ

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