テルモセラ・ジャパン株式会社

【PyroNFC】スマートホン設定式赤外線放射温度センサー

最終更新日: 2022-06-11 23:36:03.0

上記では、電子ブックの一部をご紹介しております。

カタログ発行日:2022/06/11

温度範囲・放射率・アラーム等のパラメータをスマートホン、タブレットで設定 表示計器、計器用電源を必要とせず簡単に設定できます。
● スマホ・タブレットを使い設定を行う事ができます。
● 専用アプリをGoogle Playから無料ダウンロード(Android4.1〜5.1)
● AndroidのNFC通信を使い、センサ部にタッチするだけで読込み・書出しをします。
● 超小型センサ(Φ31mm x t29mm)狭い場所でも温度測定が可能。
● 高速応答125msec、高精度±1.5%
● 電圧出力(0-5V or 0-10V)、又はK熱電対出力

関連情報

【PyroNFC】スマートホン設定式赤外線放射温度センサー
【PyroNFC】スマートホン設定式赤外線放射温度センサー 製品画像

【その他仕様】
◉ 視野角:15:1
◉ 温度範囲:0℃〜1000℃
◉ 測定波長領域:8〜14μm
◉ 放射率: 0.2〜1.0
◉ 電源:24VDC(最小6V/10V〜最大28VDC)
◉ ケーブル:1m付属(最長30m延長可能)

【オプション】
◉ 本体固定金具
◉ 延長ケーブル
◉ エアパージキット

【PyroUSB】USB接続式 高精度赤外線温度センサー
【PyroUSB】USB接続式 高精度赤外線温度センサー 製品画像

【その他仕様】
◉ 視野角:15:1, 25:1, 30:1, もしくは75:1
◉ 温度範囲:
・PUA2:-45℃〜2000℃
・PUA5:50℃〜1650℃
・PUA8:-40℃〜1000℃
◉ 放射率設定範囲:0.1〜1.0
◉ 電源:24VDC
◉ 本体寸法:Φ27.6mm(径) x 61mm(長さ)
◉ 重量:約155g
◉ アナログ信号ケーブル1m(標準付属、延長最長30mまで)
*USBケーブル1.8m(USBケーブルは延長不可)

【オプション】
◉ 本体固定金具
◉ 延長ケーブル
◉ 水冷ジャケット
◉ エアパージキット

【PyroMini】小型高性能赤外線温度センサー
【PyroMini】小型高性能赤外線温度センサー 製品画像

【その他仕様】
◉ PMモデル  視野角:
・PM-21:2:1
・PM-151:15:1
・PM-201:20:1
・PM-301:30:1
・PM-CF:φ5mm@100mm
・PM2.2-151:15:1
・PM2.2-251:25:1
・PM2.2-751:75:1
・PM2.2-CF:φ7.5mm@500mm
◉ 温度範囲:
・PMモデル:-20℃〜1000℃
・PM2.2モデル:100〜2000℃
◉ 測定波長領域:
・PM:8-14um
・PM2.2:2.0〜2.2um
◉ 放射率:
・PM:0.2〜1.0
・PM2.2:0.1〜1.0
◉ 電源:24VDC
◉ センサ部寸法:Φ18mm(径) x 45mm(長さ)

【オプション】
◉ 本体固定金具(固定式、アングル式)
◉ 水冷ジャケット
◉ エアパージジャケット
◉ デュアルレーザー照準器

【ExTemp】本質安全防爆型赤外線放射温度センサー
【ExTemp】本質安全防爆型赤外線放射温度センサー 製品画像

● 危険場所Zone 0、1 及び2(特別危険箇所、第一類危険箇所及び第二類危険箇所)で使用可
● 測定温度範囲:-20℃ ~ +1000℃
● 最大最小設定可能スパン:Max1000℃, Mini100℃(-20〜1000℃範囲で設定可能)
● 2線式、4-20mA出力
● 本質安全防爆絶縁バリヤ付属
● USB接続コンフィグレーション設定器「LCT設定器」付属:WindowsPCで付属の専用ソフトでスケーリング・スパン調整・放射率などの設定が可能
● オプション:固定金具, エアパージキット, 延長ケーブル(10m, 25m)
● 過酷な環境に対応、316 ステンレス容器採用
● 保護等級IP65

【PyroCouple】 (パイロカップル)赤外線温度センサー
【PyroCouple】 (パイロカップル)赤外線温度センサー 製品画像

【その他仕様】
◉ 視野角:2:1, もしくは15:1
◉ 温度範囲:
・LT(-20℃〜100℃)
・MT(0〜250℃)
・HT(0〜500℃)
◉ 測定波長領域:8〜14μm
◉ 放射率:0.95(固定)
◉ 電源:24VDC
◉ 本体寸法:Φ18mm(径) x 103mm(長さ)
◉ 重量:約95g
◉ ケーブル1m(標準付属):延長最長3m(オプション)

【オプション】
◉ 本体固定金具
◉ 延長ケーブル
◉ 耐熱用延長ケーブル
◉ 水冷ジャケット
◉ エアパージキット

【PyroMini USB】USB接続式小型赤外線温度センサー
【PyroMini USB】USB接続式小型赤外線温度センサー 製品画像

【その他仕様】
◉ 視野角:
・PMU21:2:1
・PMU201:20:1
◉ 測定波長領域:8-14um
◉ 放射率調整範囲:0.2〜1.0
◉ 電源:不要(PCからUSB経由でバスパワー動作)
◉ 本体寸法:Φ18mm(径) x 45mm(長さ)
◉ 重量:約85g
◉ USBケーブル1.5m(*延長不可)

【オプション】
◉ 本体固定金具(固定式、アングル式)
◉ 水冷ジャケット
◉ エアパージジャケット

実験炉・ヒーター_「PRODUCTS GUIDE_2022」
実験炉・ヒーター_「PRODUCTS GUIDE_2022」 製品画像

◉ 超高温実験炉シリーズ:
※3種類のヒーター素線オプションを用意
・C/Cコンポジット
・SiC3立方晶炭化珪素コーティンググラファイト
・TiC3チタンカーバイドコーティンググラファイト
◉ BH基板加熱ヒーター:
大気/高真空中/ガス雰囲気中あらゆるプロセス雰囲気に対応する基板均一加熱ヒーター。Max1800℃、φ1inchウエハ用から角型いずれも製作できます。ヒーターエレメントはNICr、グラファイト、CCC、グラファイトSICなど使用条件に応じて都度カスタマイズ致します。

※詳細は資料請求またはダウンロードからお問い合わせください。

BHシリーズ【超高温薄膜実験用基板加熱ヒーター】Max1800℃
BHシリーズ【超高温薄膜実験用基板加熱ヒーター】Max1800℃ 製品画像

【対応基板サイズ】

◉ Φ1inch
◉ Φ2inch
◉ Φ4inch
【ヒーター素線材質】

◉ Max 1000℃:カンタル 素線(真空中, Ar, N2, He ,O2, H2)

◉ Max 1800℃:Graphite, C/Cコンポジット素線_(真空中, Ar, N2)

◉ Max 1400℃:SiCコーティング素線_(真空中, Ar, N2, O2)

◉ Max 1600℃:タングステン素線_(真空中, Ar, N2, He, H2)

■ 標準規格品, 部品在庫を用意しておりますので短納期対応可能。
■ 3 種類のサイズ, 豊富なヒーター素線バリエーション:Kanthal, Graphite, C/C Composite, SiC coating, W素線
■ 標準付属品:M6 スタッドボルト, または取付支柱

【HTシリーズ基板加熱ヒーターMax1900℃】Φ1〜8inch
【HTシリーズ基板加熱ヒーターMax1900℃】Φ1〜8inch 製品画像

基板加熱ヒーターは半導体・電子デバイス等の成膜工程での基板加熱用に開発されたハイスペック基板加熱ヒーターです。
トッププレートに熱伝導性・熱放射率・耐サーマルショック・絶縁性に優れた窒化アルミを標準採用、プレートを短時間で超高温まで昇温します。
ヒーター材質はC/C、SiC3、TIC3の3種類を用意。応用範囲は幅広く、装置側の様々な設置条件に対応、多数の製作実例よりご要求にマッチした製品を供給致します。

◆◇使用発熱体◇◆
・C/Cコンポジット Max1700℃
・SiC3(炭化珪素)コーティンググラファイト Max1300℃
・TiC3(チタン・カーバイド)コーティンググラファイト Max1900℃C/Cコンポジット Max1700℃
・SiC3(炭化珪素)コーティンググラファイト Max1300℃
・TiC3(チタン・カーバイド)コーティンググラファイト Max1900℃

◆◇対応基板サイズ◇◆
・Φ1〜8inch基板、150mm角
◆◇使用雰囲気◇◆
・高真空,不活性ガス(CCC)
・超高真空, O2(Gr+SiC3コート)
・還元雰囲気中(Gr+TiC3コート)

【SHシリーズ基板加熱ヒーター】真空成膜用 Max1100℃
【SHシリーズ基板加熱ヒーター】真空成膜用 Max1100℃ 製品画像

大学・官公庁研究機関で真空薄膜実験用に多数の採用実績がある信頼性高い超高温真空用ホットプレートです。独自の方法で高真空用に放電対策絶縁処理された端子部、超高温均一加熱が得られる様工夫された抵抗発熱式加熱ブロックを内蔵、ヒータープレート表面を短時間で高温まで加熱昇温することができます。

◆ヒーター仕様◆
◎ 使用発熱体
・NiCr(SH-IN型), W/BNコンポジット(SH-BN型)
◎ 最高使用温度
・850℃(SH-IN型), 1100℃SH-BN型
◎ 対応基板サイズ
・1〜6inch(*1, 1.6inchはインコネルタイプのみ)
◎ 使用雰囲気
・SH-IN:真空(1x10-7Torr), 不活性ガス, 大気, O2, NH3, SiH4, CH4他
・SH-BN:真空(1x10-7Torr), 不活性ガス, H2, He, CH4, C(*O2不可)
◎ 基板固定用サンプルクリップ付属
◆オプション仕様◆
◎ 真空フランジ(JIS, ICF, ISO)
◎ 基板回転, 上下昇降機構
◎ ヒーターコントローラ Model. BWS-PS/HC-Mini

【ホットステージ】超高温基板加熱ステージ Max1800℃
【ホットステージ】超高温基板加熱ステージ Max1800℃ 製品画像

◉ 超高真空・不活性ガス雰囲気中・その他各種プロセスガス雰囲気に対応
◉ ステージ上下昇降(基板又はヒーター昇降、基板&ヒータ二段昇降式)
◉ 基板回転
◉ RF(1KW)/DC(800V)バイアス印加(逆スパッタ)
◉ 使用環境に応じたエレメントの選択:
グラファイト, CCコンポジット, ハロゲンランプヒーター, グラファイト/SiCコーティング, グラファイト/PBNコーティング, PGコーティング, AlNヒーター
◉ 各種真空フランジ接続:ICF, ISO(KF/LF), JIS(VG/VF)フランジ
◉ K, C, R熱電対付属
◉ その他オプション:温度制御ユニット, Inc, グラファイト or SiC基板ホルダー

【円筒状ヒーター】グラファイト, C/Cコンポジットヒーター
【円筒状ヒーター】グラファイト, C/Cコンポジットヒーター 製品画像

◎ 使用可能環境:真空中, 不活性ガス中 etc..
◎ 発熱体:Graphite, CCコンポジットヒーター、など。
◎ 用途:各種真空装置プロセスチャンバー内での試料加熱、放電プラズマ生成ユニット(Lab6)用、特殊ガス供給系統配管急速加熱(液体急速気化)
その他ご要望に応じ、特注仕様製作致します。詳細は当社までお問い合わせ下さい。

【Mini-BENCH 】超高温卓上型実験炉 Max2000℃
【Mini-BENCH 】超高温卓上型実験炉 Max2000℃ 製品画像

◆装置構成◆
ご予算・目的に応じてご要望の構成をご提案致します。
(A)最小構成:チャンバー + コントロールボックス
(B)上記最小構成(A) + 真空排気系(ポンプ、ゲージ、バルブ・真空配管類)

◆基本仕様◆
・ヒーター:C/Cコンポジット(カーボン炉), タングステン(メタル炉)
・断熱材:グラファイトフェルト材(カーボン炉), タングステン/モリブデン(メタル炉)
・温度制御:デジタルプログラム調節計、C熱電対
・到達真空度:1x10-2Pascal(*但し空炉の場合)
・電源仕様:AC200V 50/60HZ 三相 6KVA
・冷却水:3L/min, 0.4Mpa 25〜30℃

◆コントロールボックス仕様◆
・プログラム温度調節計
・DC電源装置
・電流、電圧計
・チャンバー開閉SW(リニアモータドライブ駆動)
・ヒーターSW
・主電源SW

◆オプション◆
・真空排気系
・特注るつぼ

スパッタ・蒸着源複合型 薄膜装置 【nanoPVD-ST15A】
スパッタ・蒸着源複合型 薄膜装置 【nanoPVD-ST15A】 製品画像

◆成膜源◆
・Φ2inchマグネトロンスパッタカソード x 1
・抵抗加熱蒸着源(最大2)
・有機蒸着源(最大2)
◆基板サイズ◆
・〜Φ4inch/Φ100mm基板ホルダー(特注ホルダー 応相談)
◆膜厚センサー◆】
・水晶振動子膜厚センサー x 1
◆真空排気◆
・ターボ分子ポンプ、ロータリーポンプ
◆付属ソフトウエア◆
・IntelliLink Windows PCリモート監視ソフトウエア
◆オプション◆
・基板加熱ヒーター Max500℃
・ドライスクロールポンプ
◆ユーティリティ◆
・電源:AC200V 単相 50/60HZ 15A
・プロセスガス:0.2Mpa
・ベントガス:0.04Mpa
・圧縮空気:0.6Mpa
・冷却水:2L/min 0.2Mpa
◆主なアプリケーション◆
・新素材開発
・燃料電池
・その他

MiniLab-WCF 超高温ウエハーアニール炉2000℃
MiniLab-WCF 超高温ウエハーアニール炉2000℃  製品画像

安全性・操作性を重視した、『ウエハー焼成』専用超高温ウエハーアニール炉。

◆主な特徴◆
・セミオート:真空・パージ(3 cycle)〜 ベントまでを自動シーケンス制御(標準)
・手動プロセス圧力制御(標準):手動ベローズバルブ調整
・有効加熱範囲:φ4-φ8inch(その他サイズ可能)
・高真空対応(ターボ分子ポンプ)
◆オプション◆
・フルオート自動プロセス運転(オプション)
・自動APC制御(オプション):
-1) Upstreamコントロール:MFC供給量をPIDループ自動制御、又は
-2) Downstreamコントロール:排気側開度自動調整
・基板回転機構
・SECS/GEM通信

TCF-C500 超高温小型実験炉Max2900℃
TCF-C500 超高温小型実験炉Max2900℃  製品画像

小片試料を最高2900℃まで加熱実験ができるR&D用超高温小型実験炉。
実験室での超高温加熱実験、新素材開発などのさまざまな焼成実験を行うことができます。

◆主な特徴◆
・省スペース
・ロータリーポンプ、コンプレッサー付属
・インターロック:断水警報、過昇温、ガス圧力低下
◆基本仕様◆
・電源仕様:AC200V 75A NFB 50/60HZ(C-500)
・Max2900℃(カーボン炉)、2400℃(メタル炉)、
・プログラム温度調節計、C熱電対
◆オプション◆
・記録計
・ターボ分子ポンプ
・るつぼ
◆主なアプリケーション◆
・新素材開発
・燃料電池
・その他

◆◇◆ R&D用小型縦型実験炉 TVF-110 ◆◇◆
◆◇◆ R&D用小型縦型実験炉 TVF-110 ◆◇◆ 製品画像

【主な仕様】
・炉内温度Max1200℃, 試料最大温度Max950℃
・小片試料:数ミリサイズ〜3inchウエハーサイズまで対応
・基板枚数:1〜3枚程度
・石英サセプタ手動昇降式:停止位置目盛、クランパ付き
・炉芯管:Φ100 x Φ95 x 470L mm
・昇降:手動回転ハンドル
・温度調節:PIDプログラム温度調節計
・熱電対:2対式K熱電対x1(制御用、過昇温用)、Kタイプ素線(炉芯測温用)

Products Guide_【超高温実験炉 製品ガイド」
Products Guide_【超高温実験炉 製品ガイド」 製品画像

□■掲載ラインナップ■□
◉ Mini-BENCH 超高温卓上型実験炉 Max2000℃
◉ Mini-BENCH-prism セミオート式 超高温実験炉 Max2000℃
◉ TE-Thermic Edge furnace セミオート式 超高温卓上型実験炉 Max2000℃
◉ MiniLab-CF セミオート式 超高温実験炉 Max2900℃
◉ MiniLab-WCF 超高温ウエハーアニール炉 Max2000℃
◉ TVF-110 石英反応管縦型炉 Max1200℃
◉ Nanofurnace 石英反応管 ホットウオール熱CVD装置
◉ ANNEAL ウエハーアニール装置 Max1000℃

※詳細は資料請求またはダウンロードからお問い合わせください。

薄膜実験装置_「PRODUCTS GUIDE 2022」
薄膜実験装置_「PRODUCTS GUIDE 2022」 製品画像

◉ nanoベンチトップシリーズ 薄膜実験装置
- nanoPVD-S10Aマグネトロンスパッタリング装置
- nanoPVD-T15A有機膜・金属膜蒸着装置
- nanoCVDグラフェン合成装置
- ANNEALウエハーアニール装置
- MiniLabシリーズフレキシブル薄膜実験装置
- MiniLab-GBグローブボックス式薄膜実験装置
- 他、コンポーネント類

※詳細は資料請求またはダウンロードからお問い合わせください。

【nanoPVD-S10A】マグネトロンスパッタリング装置
【nanoPVD-S10A】マグネトロンスパッタリング装置 製品画像

◉ 装置運転・レシピ管理などの全てを7"タッチパネルで一元管理。
◉ ユーザの登録したフィルムレシピ、プロセス制御(真空引/ベント、成膜レート、APC自動圧力制御、カソード切替、シャッター開閉、加熱・昇降回転調整など)を全自動運転(手動も可能)
Windows PC用付属ソフト(IntelliLink)で装置モニター、データロギングができます。

【主な仕様】
・RF/DCマグネトロン方式
・2inchマグネトロンカソードx最大3
・RF電源:150W 自動マッチング
・DC電源:850W
・対応基板サイズ:〜4inch
・基板回転・上下昇降・加熱(500℃)
・プロセスガス制御:MFC x 1(Ar標準、最大3系統増設:N2, O2)
・APC自動制御(キャパシタンスマノメータ オプション)
・水晶振動子膜厚モニタ
・シャッター
・寸法:804(W) x 570(D) x 600(H)mm
・重量:約70kg
・電源:200VAC 50.60Hz 15A
・チャンバーサイズ:Φ225(内径)x 250mm
・真空系:TMP + RP(ドライポンプ オプション)

◆nanoPVD-T15A◆ 高性能 有機膜・金属膜蒸着装置
◆nanoPVD-T15A◆ 高性能 有機膜・金属膜蒸着装置 製品画像

◉寸法:804(W) x 530(D) x 600(H)mm
◉重量:40kg〜70kg(装置構成による)
◉優れた基本性能
・到達真空度 5x10-5Pascal
・高性能ターボ分子ポンプ搭載
・〜Φ4inch基板
◉蒸着源
・金属蒸着源 TE x 最大2基
・有機蒸着源 LTE x 最大4基(抵抗加熱TEと混在の場合、2基まで)
◉7"タッチパネル
◉連続成膜
・成膜プログラム自動制御
・30種類のレシピ登録
・高精度ワイドレンジ真空ゲージ
◉豊富なオプション
・基板回転
・上下昇降 300mmストローク
・基板シャッター
・ドライポンプ(RP標準)
・USBでWindows PCに接続、ログの保存管理

【nanoCVD-8G/8N】グラフェン/CNT合成装置
【nanoCVD-8G/8N】グラフェン/CNT合成装置 製品画像

◆特徴◆
・簡単操作! 5inchタッチパネルによる操作・レシピ管理
・最大30レシピ,30stepのプログラム作成可能
・専用ソフトウエア標準装備,CSVファイルで出力PCでデータロギング
・USBケーブル接続,PC側でのレシピ作成→装置へアップロード可能
・最大試料サイズ:40 x 40mm:銅(ニッケル)箔, SiO2/Si, Al2O3/Si基板,他

◆Model. nanoCVD-8G(グラフェン用)◆
・グラフェン生成用,真空プロセス制御
・ロータリーポンプ標準付属(オプション:TMP, Diffusion or Dry Pump)
・ガス供給3系統(標準)
・試料加熱ステージMax1100℃
・Kタイプ熱電対

◆Model. nanoCVD-8N(CNT用)◆
・CNT生成用,常圧プロセス制御
他同上

※ H2, Ar, N2, Ethanol, CH4等の原料、及び原料供給設備は付属しません。

【Nanofurnace】BWS-NANO 熱CVD装置
【Nanofurnace】BWS-NANO 熱CVD装置 製品画像

【特徴】
◉ コンパクトなシステムでハイクオリティな成膜実験が可能
◉ ホットウオール式 反応管内を均一に加熱
◉ 4系統(CH4, Ar, H2, バブラー用)MFC高精度流量制御:精度±1% F.S.
◉ キャパシタンスマノメータ(バラトロンゲージ)による高精度APC圧力制御
◉ Lab Viewソフトウエア(オプション)によるリモート制御, データ解析
【主仕様】
◉ Φ2.5inch(標準)Φ4inch x12inch石英反応管内
◉ 最高使用温度1100℃
◉ 試料サイズ:10x10mm, (Φ2.5inch)100 x 100mm(Φ4inch)
◉ PID温度コントロール:Eurotherm 2416プログラム温度調節計
◉ 流量制御:±1%F.S. 0sccm 〜 100, or 1000sccm(ガス種による)
◉ ロータリーポンプ付属

◆ANNEAL◆ ウエハーアニール装置
◆ANNEAL◆ ウエハーアニール装置 製品画像

◉ 基板サイズ:Φ4inch、又は6inch
◉ SUS304水冷式チャンバー
◉ 到達圧力 5x10-5Pascal
◉ 最大3系統プロセスガス入力
◉ 最大3系統マスフローコントローラ(オプション)
◉ 7"HMIタッチパネル
◉ 高精度ワイドレンジ真空ゲージ 10-9〜1000mbar
◉ USB端子付、PCデータロギング機能
◉ ターボ分子ポンプ:EXT75DX(Edwards社)
◉ ロータリーポンプ:RV3/RV8(Edwards社)(*ドライポンプへの変更可能)
◉ Kタイプ熱電対(ヒーター制御用)付属

【MiniLab-026/090】グローブボックス薄膜実験装置
【MiniLab-026/090】グローブボックス薄膜実験装置 製品画像

【GB対応 MiniLab-026/090主仕様】
◉ 基板サイズ:最大Φ6"(026)、最大Φ10"(090)
◉ チャンバ:SUS304製 UHV対応(*090はスライドドア式, 背面メンテナンスドア)
◉ 19inch制御ラックは作業ベンチ下に収納
◉ MLチャンバー内成膜モジュール:
・抵抗加熱蒸着源(最大4源)
・有機蒸着源(最大4源)
・Φ2"マグネトロンカソード(最大3基)
・プラズマエッチング
・基板加熱ステージなどを搭載
◉ 高精度膜厚制御
◉ ターボ分子ポンプ+ロータリーポンプ(ドライスクロールポンプオプション)
◉ その他豊富なオプション

*その他の詳細仕様は当社へお問い合わせ下さい。

◆Mini-BENCH-prismセミオート式 超高温実験炉◆
◆Mini-BENCH-prismセミオート式 超高温実験炉◆ 製品画像

◆基本仕様◆
・ヒーター:C/Cコンポジット(カーボン炉), タングステン(メタル炉)
・断熱材:グラファイトフェルト材(カーボン炉), タングステン/モリブデン(メタル炉)
・有効加熱範囲:Φ2inch〜Φ4inch
・7inchタッチパネル操作
・デジタル真空計
・フローメーター(ガス流量手動調整)
・温度制御:デジタルプログラム調節計、C熱電対
・到達真空度:1x10-2Pascal(*但し空炉の場合)
・一次側電源仕様:AC200V 50/60HZ 三相 50A NFB
・冷却水:8L/min, 0.4Mpa 25〜30℃
◆オプション◆
・真空排気系:ロータリーポンプ, 高真空ポンプ, バルブ類

【MiniLab(ミニラボ)】シリーズフレキシブル薄膜実験装置
【MiniLab(ミニラボ)】シリーズフレキシブル薄膜実験装置 製品画像

【MiniLabフレキシブル薄膜実験装置 構成モジュール】
◉ 製作範囲
抵抗加熱蒸着(TE)、有機膜蒸着(LTE)、電子ビーム蒸着(EB)、RF/DCスパッタリング(SP)、T-CVD/PE-CVD、プラズマエッチング(RIE)
◉ チャンバー
・026(26Litter)-TE/LTE/SP/CVD/Etch/*Globe Box option:MaxΦ6inch
・060(60Litter)-TE/LTE/EB/SP/Etch/:MaxΦ8inch
・080(80Litter)-TE/LTE/EB/SP/Etch/:MaxΦ10inch
・090(90Litter)*Globe Box option -TE/LTE/EB/SP/Etch/:MaxΦ10inch
・125(125Litter)-TE/LTE/EB/SP/Etch/CVD:MaxΦ12inch

※ その他仕様は当社ホームページ参照下さい。

□■□【MiniLab-026】フレキシブル薄膜実験装置□■□
□■□【MiniLab-026】フレキシブル薄膜実験装置□■□ 製品画像

MiniLab-026は、シリーズ最小の26L容積チャンバを使用した小型薄膜実験装置です。

【スモールフットプリント・省スペース】
・シングルラックタイプ(MiniLab-026):590(W) x 590(D)mm

【優れた操作性・直観的操作画面】
Windows PC、または7”タッチパネル。熟練度を問わない簡単操作、且つ安全に最大限配慮しております。

【主仕様】
◉ チャンバ:SUS304製 クラムシェル式
◉ 19inchシングル式ラックに全てを収納
◉ 抵抗加熱蒸着源(最大4源)、有機蒸着源(最大4源)、又はΦ2"マグネトロン(最大3基)、基板加熱ステージなどを搭載
◉ 高精度膜厚制御
◉ ターボ分子ポンプ+ロータリーポンプ(ドライポンプオプション)
◉ グローブボックス連結仕様(*要仕様協議)
◉ 豊富なオプション:基板加熱/冷却, 回転, 特型基板ホルダ, etc..

*その他のMiniLabシリーズ詳細仕様は当社へお問い合わせ下さい。

□■□【MiniLab-060】フレキシブル薄膜実験装置□■□
□■□【MiniLab-060】フレキシブル薄膜実験装置□■□ 製品画像

【主仕様】
・SUS304 60ℓ容積 400x400x400mm フロントローディングチャンバー
*ラージチャンバーオプションMiniLab-070(450 x 450 x 450)
・最大基板サイズ:Φ8inch
・ポンプ:ターボ分子ポンプ, ロータリーポンプ(ドライポンプも可)
・真空排気:真空/ベント自動制御
・抵抗加熱蒸着:最大4源(Model. TE1~TE4蒸着源)
・有機蒸着:最大4源(Model. LTEC-1cc/5cc)
・電子ビーム蒸着:7ccるつぼx6(又は4ccるつぼx8)
・Φ2〜4inchマグネトロンスパッタリングカソード x 最大4源
・プロセス制御:手動/自動連続多層膜・同時成膜、APC自動制御
・膜厚モニタ:水晶振動子センサヘッドx2
・膜厚制御:Inficon社 SQM-160(又はSQC-310) 2ch/4ch薄膜コントローラ 
・ユーティリティ:電源200V 3相 15A, 水冷3ℓ/min, N2ベント0.1Mkpa 
・その他オプション:基板加熱, 冷却, 基板昇降・回転, プラズマエッチング, ドライポンプ , ロードロック機構

□■□【MiniLab-080】フレキシブル薄膜実験装置□■□
□■□【MiniLab-080】フレキシブル薄膜実験装置□■□ 製品画像

【主仕様】
・SUS304 80ℓ容積 400x400x570mm フロントローディングチャンバー
・ポンプ:ターボ分子ポンプ, ロータリーポンプ(ドライポンプも可)
・真空排気:真空/ベント自動制御
・抵抗加熱蒸着:最大4源点(Model. TE1~TE4蒸着源)
・有機蒸着:最大4源(Model. LTEC-1cc/5cc)
・EB電子ビーム蒸着源:7ccるつぼx6(又は4ccるつぼx8)
・Φ2〜4inchマグネトロンスパッタリングカソード x 最大4源
・プロセス制御:手動、又は自動多層連続成膜・多元同時成膜、APC自動制御
・膜厚モニタ:水晶振動子センサヘッドx4
・膜厚制御:Inficon社 SQM-160(又はSQC-310) 多チャンネル成膜コントローラ 
・ユーティリティ:電源200V 3相 15A, 水冷3ℓ/min, N2ベント0.1Mkpa 
・その他オプション:基板加熱, 冷却, 基板昇降・回転, ドライエッチング, ドライスクロールポンプ , ロードロック機構

□■□【MiniLab-090】フレキシブル薄膜実験装置□■□
□■□【MiniLab-090】フレキシブル薄膜実験装置□■□ 製品画像

【主仕様】
・SUS304 80ℓ容積 400x400x570mm フロントローディングチャンバー
・ポンプ:ターボ分子ポンプ, ロータリーポンプ(ドライポンプも可)
・真空排気:真空/ベント自動制御
・抵抗加熱蒸着:最大4源(Model. TE1~TE4蒸着源)
・有機蒸着:最大4源(Model. LTEC-1cc/5cc)
・EB電子ビーム蒸着源:7ccるつぼx6(又は4ccるつぼx8)
・Φ2〜4inchマグネトロンスパッタリングカソード x 最大4源
・プロセス制御:手動、又は自動連続多層膜・同時成膜、APC自動制御
・膜厚モニタ:水晶振動子センサヘッドx4
・膜厚制御:Inficon社 SQM-160(又はSQC-310) 多チャンネル薄膜コントローラ 
・ユーティリティ:電源200V 3相 15A, 水冷3ℓ/min, N2ベント0.1Mkpa 
・その他オプション:基板加熱, 冷却, 基板昇降・回転, ドライエッチング, ドライポンプ

【マグネトロンスパッタリングカソード】
【マグネトロンスパッタリングカソード】 製品画像

【主仕様】
■RF, DC, パルスDC対応
■ターゲット厚さ:1/16"〜1/4"
■N型同軸コネクター接続
■水冷式:4ℓ/min, 0.35Mpa Φ6mmチューブ接続
■ケース材質:SUS304
■ターゲットクランプ材質:Al, or SUS304
■ベローズ(*Flexi-headタイプ)材質:SUS316
■絶縁材:PEEK/PTFE
■シール材:Viton
■高強度マグネットパック:NiFe

【モデル】
・MAG-BP(ベースポートマウント
・MAG-250T-FXH(Φ3/4" x 250mmパイプ、フレキシブル傾斜ヘッド±45°)
・MAG-250T(Φ3/4" x 250mmパイプマウント)
・MAG-ISO(ISO-Kタイプフランジ接続)
・MAG-CF(CFフランジ接続)

真空炉『Mini-BENCH 超高温卓上型実験炉』
真空炉『Mini-BENCH 超高温卓上型実験炉』 製品画像

◆装置構成◆
ご予算・目的に応じてご要望の構成をご提案致します。
(A)最小構成:チャンバー + コントロールボックス
(B)上記最小構成(A) + 真空排気系(ポンプ、ゲージ、バルブ・真空配管類)

◆基本仕様◆
・ヒーター:C/Cコンポジット(カーボン炉), タングステン(メタル炉)
・断熱材:グラファイトフェルト材(カーボン炉), タングステン/モリブデン(メタル炉)
・温度制御:デジタルプログラム調節計、C熱電対
・到達真空度:1x10-2Pascal(*但し空炉の場合)
・電源仕様:AC200V 50/60HZ 三相 6KVA
・冷却水:3L/min, 0.4Mpa 25〜30℃

◆コントロールボックス仕様◆
・プログラム温度調節計
・DC電源装置
・電流、電圧計
・チャンバー開閉SW(リニアモータドライブ駆動)
・ヒーターSW
・主電源SW

◆オプション◆
・真空排気系
・特注るつぼ

真空炉『Mini-BENCH-prism 超高温実験炉』
真空炉『Mini-BENCH-prism 超高温実験炉』 製品画像

◆基本仕様◆
・ヒーター:C/Cコンポジット(カーボン炉), タングステン(メタル炉)
・断熱材:グラファイトフェルト材(カーボン炉), タングステン/モリブデン(メタル炉)
・有効加熱範囲:Φ2inch〜Φ4inch
・7inchタッチパネル操作
・デジタル真空計
・フローメーター(ガス流量手動調整)
・温度制御:デジタルプログラム調節計、C熱電対
・到達真空度:1x10-2Pascal(*但し空炉の場合)
・一次側電源仕様:AC200V 50/60HZ 三相 50A NFB
・冷却水:8L/min, 0.4Mpa 25〜30℃
◆オプション◆
・真空排気系:ロータリーポンプ, 高真空ポンプ, バルブ類

アニール炉『MiniLab-WCF 超高温ウエハーアニール炉』
アニール炉『MiniLab-WCF 超高温ウエハーアニール炉』 製品画像

安全性・操作性を重視した、『ウエハー焼成』専用超高温ウエハーアニール炉。

◆主な特徴◆
・セミオート:真空・パージ(3 cycle)〜 ベントまでを自動シーケンス制御(標準)
・手動プロセス圧力制御(標準):手動ベローズバルブ調整
・有効加熱範囲:φ4-φ8inch(その他サイズ可能)
・高真空対応(ターボ分子ポンプ)
◆オプション◆
・フルオート自動プロセス運転(オプション)
・自動APC制御(オプション):
-1) Upstreamコントロール:MFC供給量をPIDループ自動制御、又は
-2) Downstreamコントロール:排気側開度自動調整
・基板回転機構
・SECS/GEM通信

アニール炉『ANNEALウエハーアニール装置』
アニール炉『ANNEALウエハーアニール装置』 製品画像

◉ 基板サイズ:Φ4inch、又は6inch
◉ SUS304水冷式チャンバー
◉ 到達圧力 5x10-5Pascal
◉ 最大3系統プロセスガス入力
◉ 最大3系統マスフローコントローラ(オプション)
◉ 7"HMIタッチパネル
◉ 高精度ワイドレンジ真空ゲージ 10-9〜1000mbar
◉ USB端子付、PCデータロギング機能
◉ ターボ分子ポンプ:EXT75DX(Edwards社)
◉ ロータリーポンプ:RV3/RV8(Edwards社)(*ドライポンプへの変更可能)
◉ Kタイプ熱電対(ヒーター制御用)付属

スパッタリング装置『MiniLab(ミニラボ)シリーズ』
スパッタリング装置『MiniLab(ミニラボ)シリーズ』 製品画像

【MiniLabフレキシブル薄膜実験装置 構成モジュール】
◉ 製作範囲
抵抗加熱蒸着(TE)、有機膜蒸着(LTE)、電子ビーム蒸着(EB)、RF/DCスパッタリング(SP)、T-CVD/PE-CVD、プラズマエッチング(RIE)
◉ チャンバー
・026(26Litter)-TE/LTE/SP/CVD/Etch/*Globe Box option:MaxΦ6inch
・060(60Litter)-TE/LTE/EB/SP/Etch/:MaxΦ8inch
・080(80Litter)-TE/LTE/EB/SP/Etch/:MaxΦ10inch
・090(90Litter)*Globe Box option -TE/LTE/EB/SP/Etch/:MaxΦ10inch
・125(125Litter)-TE/LTE/EB/SP/Etch/CVD:MaxΦ12inch

※ その他仕様は当社ホームページ参照下さい。

スパッタリング装置『MiniLab-060』
スパッタリング装置『MiniLab-060』 製品画像

【主仕様】
・SUS304 60ℓ容積 400x400x400mm フロントローディングチャンバー
*ラージチャンバーオプションMiniLab-070(450 x 450 x 450)
・ポンプ:ターボ分子ポンプ, ロータリーポンプ(ドライポンプも可)
・最大基板サイズ:Φ8inch
・真空排気:真空/ベント自動制御
・抵抗加熱蒸着:最大4源(Model. TE1~TE4蒸着源)
・有機蒸着:最大4源(Model. LTEC-1cc/5cc)
・電子ビーム蒸着:7ccるつぼx6(又は4ccるつぼx8)
・Φ2〜4inchマグネトロンスパッタリングカソード x 最大4源
・プロセス制御:手動/自動多層膜・同時成膜、APC自動制御も可能
・膜厚モニタ:水晶振動子センサヘッドx2
・膜厚制御:Inficon社 SQM-160(又はSQC-310) 2ch/4ch薄膜コントローラ
・ユーティリティ:電源200V 3相 15A, 水冷3ℓ/min, N2ベント0.1Mkpa
・その他オプション:基板加熱, 冷却, 基板昇降・回転, プラズマエッチング, ドライポンプ , ロードロック機構

真空蒸着装置『MiniLab-080』
真空蒸着装置『MiniLab-080』 製品画像

【主仕様】
・SUS304 80ℓ容積 400x400x570mm フロントローディングチャンバー
・ポンプ:ターボ分子ポンプ, ロータリーポンプ(ドライポンプも可)
・真空排気:真空/ベント自動制御
・抵抗加熱蒸着:最大4源点(Model. TE1~TE4蒸着源)
・有機蒸着:最大4源(Model. LTEC-1cc/5cc)
・EB電子ビーム蒸着源:7ccるつぼx6(又は4ccるつぼx8)
・Φ2〜4inchマグネトロンスパッタリングカソード x 最大4源
・プロセス制御:手動/自動多層連続成膜・多元同時成膜、APC自動制御
・膜厚モニタ:水晶振動子センサヘッドx4
・膜厚制御:Inficon社 SQM-160(又はSQC-310) 多チャンネル成膜コントローラ
・ユーティリティ:電源200V 3相 15A, 水冷3ℓ/min, N2ベント0.1Mkpa
・その他オプション:基板加熱, 冷却, 基板昇降・回転, ドライエッチング, ドライスクロールポンプ , ロードロック機構

スパッタリング装置『nanoPVD-S10A』
スパッタリング装置『nanoPVD-S10A』 製品画像

◉ 装置運転・レシピ管理などの全てを7"タッチパネルで一元管理。
◉ ユーザの登録したフィルムレシピ、プロセス制御(真空引/ベント、成膜時間、出力/時間、MFC流量圧力自動制御、カソード切替、シャッター開閉、加熱・昇降回転調整など)を全自動運転(手動も可能)〜Windows PCでデータロギングができます。

【主な仕様】
・RF/DCマグネトロン方式
・2inchマグネトロンカソードx3源(標準1源)
・RF電源:150W 自動マッチング
・DC電源:850W
・対応基板サイズ2inch、4inch
・基板回転・上下昇降・加熱(500℃)オプション
・プロセスガス制御:MFC x 1(Ar標準、最大3系統増設:N2, O2)
・APC自動制御(キャパシタンスマノメータ オプション)
・水晶振動子膜厚モニタ
・シャッター
・寸法:804(W) x 570(D) x 600(H)mm
・重量:約70kg
・電源:200VAC 50.60Hz 15A
・チャンバーサイズ:Φ225(内径)x 250mm
・真空系:TMP + RP(ドライポンプ オプション)
・ペルチェ冷却機構

真空蒸着装置『MiniLab-090』(グローブボックス用)
真空蒸着装置『MiniLab-090』(グローブボックス用) 製品画像

【主仕様】
・最大基板サイズ:Φ10inch
・SUS304 80ℓ容積 400x400x570mm フロントローディングチャンバー
・ポンプ:ターボ分子ポンプ, ロータリーポンプ(ドライポンプも可)
・真空排気:真空/ベント自動制御
・抵抗加熱蒸着:最大4源(Model. TE1~TE4蒸着源)
・有機蒸着:最大4源(Model. LTEC-1cc/5cc)
・EB電子ビーム蒸着源:7ccるつぼx6(又は4ccるつぼx8)
・Φ2〜4inchマグネトロンスパッタリングカソード x 最大4
・プロセス制御:手動/自動連続多層膜・同時成膜、APC自動制御
・膜厚モニタ:水晶振動子センサヘッドx4
・膜厚制御:Inficon社 SQM-160(又はSQC-310) 2ch/4ch薄膜コントローラ 
・ユーティリティ:電源200V 3相 15A, 水冷3ℓ/min, N2ベント0.1Mkpa 
・その他オプション:基板回転/昇降, プラズマエッチング, ドライポンプ

真空蒸着装置『MiniLab(ミニラボ)シリーズ』
真空蒸着装置『MiniLab(ミニラボ)シリーズ』 製品画像

【MiniLabフレキシブル薄膜実験装置 構成モジュール】
◉ 製作範囲
抵抗加熱蒸着(TE)、有機膜蒸着(LTE)、電子ビーム蒸着(EB)、RF/DCスパッタリング(SP)、T-CVD/PE-CVD、プラズマエッチング(RIE)
◉ チャンバー
・026(26Litter)-TE/LTE/SP/CVD/Etch/*Globe Box option:MaxΦ6inch
・060(60Litter)-TE/LTE/EB/SP/Etch/:MaxΦ8inch
・080(80Litter)-TE/LTE/EB/SP/Etch/:MaxΦ10inch
・090(90Litter)*Globe Box option -TE/LTE/EB/SP/Etch/:MaxΦ10inch
・125(125Litter)-TE/LTE/EB/SP/Etch/CVD:MaxΦ12inch

※ その他仕様は当社ホームページ参照下さい。

真空蒸着装置『nanoPVD-T15A』
真空蒸着装置『nanoPVD-T15A』 製品画像

◉寸法:804(W) x 530(D) x 600(H)mm
◉重量:40kg〜70kg(装置構成による)
◉優れた基本性能
・到達真空度 5x10-5Pascal
・高性能ターボ分子ポンプ搭載
・〜Φ4inch基板
◉蒸着源
・金属蒸着源 TE x 最大2基
・有機蒸着源 LTE x 最大4基(抵抗加熱TEと混在の場合、2基まで)
◉7"タッチパネル
◉連続成膜
・成膜プログラム自動制御
・30種類のレシピ登録
・高精度ワイドレンジ真空ゲージ
◉豊富なオプション
・基板回転
・上下昇降 300mmストローク
・基板シャッター
・ドライポンプ(RP標準)
・USBでWindows PCに接続、ログの保存管理

スパッタリング装置『MiniLab-026』
スパッタリング装置『MiniLab-026』 製品画像

MiniLab-026は、シリーズ最小の26L容積チャンバを使用した小型薄膜実験装置です。

【スモールフットプリント・省スペース】
・シングルラックタイプ(MiniLab-026):590(W) x 590(D)mm

【優れた操作性・直観的操作画面】
Windows PC、または7”タッチパネル。熟練度を問わない簡単操作、且つ安全に最大限配慮しております。

【主仕様】
◉ チャンバ:SUS304製 クラムシェル式
◉ 19inchシングル式ラックに全てを収納
◉ 抵抗加熱蒸着源(最大4源)、有機蒸着源(最大4源)、又はΦ2"マグネトロン(最大3基)、基板加熱ステージなどを搭載
◉ 高精度膜厚制御
◉ ターボ分子ポンプ+ロータリーポンプ(ドライポンプオプション)
◉ グローブボックス連結仕様(*要仕様協議)
◉ 豊富なオプション:基板加熱/冷却, 回転, 特型基板ホルダ, etc..

*その他のMiniLabシリーズ詳細仕様は当社へお問い合わせ下さい。

真空蒸着装置『MiniLab-026』
真空蒸着装置『MiniLab-026』 製品画像

MiniLab-026は、シリーズ最小の26L容積チャンバを使用した小型薄膜実験装置です。

【スモールフットプリント・省スペース】
・シングルラックタイプ(MiniLab-026):590(W) x 590(D)mm

【優れた操作性・直観的操作画面】
Windows PC、または7”タッチパネル。熟練度を問わない簡単操作、且つ安全に最大限配慮しております。

【主仕様】
◉ チャンバ:SUS304製 クラムシェル式
◉ 19inchシングル式ラックに全てを収納
◉ 抵抗加熱蒸着源(最大4源)、有機蒸着源(最大4源)、又はΦ2"マグネトロン(最大3基)、基板加熱ステージなどを搭載
◉ 高精度膜厚制御
◉ ターボ分子ポンプ+ロータリーポンプ(ドライポンプオプション)
◉ グローブボックス連結仕様(*要仕様協議)
◉ 豊富なオプション:基板加熱/冷却, 回転, 特型基板ホルダ, etc..

*その他のMiniLabシリーズ詳細仕様は当社へお問い合わせ下さい。

アニール炉『Mini-BENCH-prism 超高温実験炉』
アニール炉『Mini-BENCH-prism 超高温実験炉』 製品画像

◆基本仕様◆
・ヒーター:C/Cコンポジット(カーボン炉), タングステン(メタル炉)
・断熱材:グラファイトフェルト材(カーボン炉), タングステン/モリブデン(メタル炉)
・有効加熱範囲:Φ2inch〜Φ4inch
・7inchタッチパネル操作
・デジタル真空計
・フローメーター(ガス流量手動調整)
・温度制御:デジタルプログラム調節計、C熱電対
・到達真空度:1x10-2Pascal(*但し空炉の場合)
・一次側電源仕様:AC200V 50/60HZ 三相 50A NFB
・冷却水:8L/min, 0.4Mpa 25〜30℃
◆オプション◆
・真空排気系:ロータリーポンプ, 高真空ポンプ, バルブ類

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