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【MiniLab（ミニラボ）】シリーズフレキシブル薄膜実験装置: モジュラー組込式の為必要な成膜方法に応じ都度フレキシブルに専用機の組立が可能。様々な研究用途に対応可能な小型薄膜実験装置。; 最終更新日：2024-10-12 16:19:07.0

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□■□MiniLabシリーズ実験装置□■□ (44) 「MiniLab series実験装置」は、豊富なオプションから必要な膜種・用途に応じて都度適切なモジュール選択をすることにより、カスタマイズ品でありながら無駄が無くコンパクトな装置構成を容易に構築することができます。モジュラー式制御ユニットをPlug&Play感覚で搭載することにより応用範囲が広がり、様々なプロセス実験装置への応用が可能になります。詳しく見る	◉ nanoETCH ソフトエッチング装置 (39) 【nanoETCH（ナノエッチ）】Model. ETCH5A ＜30W（制御精度10mA）低出力RFエッチングによる、精細でダメージレスなエッチング処理を実現。【特徴・主なアプリケーション】 • 2D（遷移金属カルゴゲナイド, 材料転写後のグラフェン剥離）：表面改質クリーニング • PMMA, PPA等のポリマーレジスト除去 • テフロン基板などのダメージを受けやすい基板での表面改質、エッチング • h-BNサイドウオールエッチング（『フッ化ガス供給モジュール』オプション, SF6ガス系統要） • SiO2エッチング（『フッ化ガス供給モジュール』オプション, CHF3ガス系統要）【仕様】 ◉ 対応基板：〜Φ6inch ◉ 7"タッチパネル簡単操作 PLC自動シーケンス ◉ APC自動圧力制御 ◉ ガス最大3系統（Ar, O2標準付属） *N2、又はフッ化ガス系増設 ◉ PCソフトウエア付属：自動エッチングレシピ作成・保存・保存、データロギング詳しく見る
◉ 【MiniLab-026】小型真空蒸着装置 (39) ◉ 19inchシングルラックフレームに収納、わずかなスペースで設置が可能 ◉ 有機材料蒸着源x最大4源、金属蒸着源x最大2源搭載 ◉ グローブボックス組込モデルも有り ◉ 豊富なオプション部品を用意研究開発用途の、エントリーレベル小型真空蒸着装置です。金属材料蒸着ソース（TE1-Box型、又は電極モジュール「TE1～TE4」）を組替え、対応するTECコントローラにて自動もしくは手動制御を行います。基板用・ソース用シャッター、膜厚モニター、真空計、基板ホルダ、基板加熱ヒーター、基板回転・昇降ステージ、RF/DCバイアス印加など豊富なオプションを用意。連続多層膜制御、又、同時成膜（有機膜材料のみ）も可能です。詳しく見る	◉ 【MiniLab-060】フレキシブル薄膜実験装置 (41) 蒸着・スパッタ・EB・アニールなどの薄膜モジュールをご要望の構成でフレキシブルに組立てることができるセミカスタムメイド薄膜実験装置下記蒸着源から組合せが可能・抵抗加熱蒸着源 x 最大4 ・有機蒸着源 x 最大4 ・電子ビーム蒸着・2inchマグネトロンスパッタリングカソード x 4 【主仕様】・SUS304 60ℓ容積チャンバー 400x400x400mm ・ポンプ：ターボ分子ポンプ, ロータリーポンプ（ドライポンプも可）・真空排気：真空/ベント自動制御・金属膜蒸着：最大4点・有機膜蒸着：最大4点・EB電子ビーム蒸着源：7ccるつぼｘ６（又は4ccるつぼｘ8）・Φ2〜4inchマグネトロンスパッタリングカソード x 最大４・プロセス制御：手動/自動多層膜・同時成膜、APC自動制御可能（*オプション）・膜厚モニタ：水晶振動子センサヘッドｘ２・ユーティリティ：電源200V ３相 13A, 水冷3ℓ/min, N2ベントガス0.1Mkpa ・その他オプション：基板加熱, 冷却, 基板昇降・回転, バイアスステージ, ドライポンプ , ロードロック詳しく見る
◉ 【MiniLab-080】フレキシブル薄膜実験装置 (39) 80ℓ容積 400(W)x400(D)x570(H)mm D型ボックスチャンバーで構成されるML-080は、060と同等の構成で更にチャンバーを高くすることによりTS距離調整範囲が長く、大口径基板での蒸着時の膜均一性が向上。ロードロック機構も追加できるML-060の上位機種。060同様に、コンパクトながら抵抗加熱蒸着（金属/絶縁物/有機材）,EB蒸着, RF/DC兼用マグネトロン式スパッタ, ドライエッチ, CVD,アニールなどの幅広い目的に対応。・抵抗加熱蒸着源 x 最大4 ・有機蒸着源 x 最大4 ・マグネトロンスパッタリングカソード x 4 ・電子ビーム蒸着・最大Φ8inch加熱ステージ（標準500℃, Max1000℃）・RF/DCエッチングシステム・CVD（熱CVD, PECVD）詳しく見る	◉ 【MiniLab-090】フレキシブル薄膜実験装置 (39) 80ℓ大容積MiniLab-080チャンバーをグローブボックスベンチ内に収納可能な構造にしたMiniLab-080のグローブボックスモデル。作業ベンチを最大限活用できるスライド開閉式チャンバー、メンテナンス性を考慮した背面開閉ドアを採用。プロセス処理後の試料を大気・水分に露出せずグローブボックス内の管理された環境内で一貫した処理ができます。GB, ガス精製機はGBモデルの仕様を参照下さい。・抵抗加熱蒸着源 x 最大4 ・有機蒸着源 x 最大4 ・マグネトロンスパッタリングカソード x 4 ・電子ビーム蒸着・最大Φ8inch加熱ステージ（標準500℃, Max1000℃）・RF/DCエッチングシステム・CVD（熱CVD, PECVD）詳しく見る
【MiniLab-026/090】グローブボックス薄膜実験装置 (45) OLED（有機EL）, OPV（有機薄膜太陽電池）, OTFT（有機薄膜太陽電池）, 又, グラフェン・2D材料（遷移金属ダイカルコゲナイドなどの二次元層状無機ナノ材料）などの成膜プロセスでは、酸素・水分から隔離された不活性ガス雰囲気で試料を取扱う必要があります。 MiniLab-026/00-GBでは、PCD/CVDチャンバーをGB内に収納することにより有機膜用途の「酸素・水分フリー」実験環境をコンパクトな省スペース環境で実現。【特徴】 ◉ CVD/PVD成膜、スピンコート塗布・ホットプレートベーキングなど一連の作業を外気に晒すことなく、GB内でシームレスに行うことができます。 ◉ 省スペース：背面にチャンバーがせり出しませんので、スペースを取りません。【MiniLab対象】 ◉ MiniLab-026（26ℓ容積）：金属/絶縁物/有機材料蒸着、スパッタリグ、RF/DCエッチング、アニール ◉ MiniLab-090（90ℓ容積）：金属/絶縁物/有機材料蒸着、スパッタリグ、RF/DCエッチング、アニール詳しく見る	□■□薄膜実験装置（コンパクトタイプ）□■□ (21) 研究開発用途に特化した『省スペース』『高機能』『低価格』な真空薄膜実験装置を揃えております。 ◉ nanoPVD-S10A マグネトロン式スパッタリング装置 ◉ nanoPVD-T15A 有機膜・金属膜蒸着装置 ◉ nanoPVD-ST15A 蒸着・スパッタ複合型成膜装置 ◉ nanoCVD-8G/8N グラフェン/CNT合成装置 ◉ nanoETCH ソフトエッチング装置 ◉ Mini-BENCH超高温小型卓上実験炉 ◉ Mini-BENCH-prism超高温小型実験炉いずれもコンパクトな装置でありながら、決して性能は妥協しない高性能装置です。今後も研究開発分野に寄与すべく新装置ラインナップを拡充する予定です。詳しく見る
◉ nanoPVD-S10A マグネトロンスパッタリング装置 (39) nanoPVD-S10A マグネトロンスパッタリング装置 RF, DC兼用到達真空度5x10-5Pascal Φ2inchカソードx最大3基高性能・多機能にも関わらず、実験室の限られたスペースにもフィットするスモールフットプリント、7inch前面タッチパネルによる簡単操作。 USB端子付、PCデータロギング機能標準搭載（最大1000layer, 50filmのレシピ保存）詳しく見る	◆nanoPVD-T15A◆ 高性能有機膜・金属膜蒸着装置 (45) OLED, OPV, OTFT等の有機薄膜蒸着用途に最適。温度応答性/安定性に優れた低温有機蒸着源、金属膜用高温蒸着源を採用。コンパクトサイズにも関わらず、基本性能・膜質・均一性・操作性の全てを犠牲にせず、スタンドアローン大型機と同様の性能を実現しました。直感的に操作ができる分かりやすいHMI。USBケーブルでWindows PCに接続し、ログを保存、自動成膜レシピを作成保存。 ◉寸法：804(W) x 530(D) x 600(H)mm ◉重量：40〜70kg（装置構成による） ◉優れた基本性能・到達真空度 5x10-5Pascal ・ターボ分子ポンプ・Φ2"もしくはΦ4"基板 ◉蒸着源・金属蒸着源 x 最大2基・有機蒸着源 x 最大4基（抵抗加熱TEと混在の場合、2基まで） ◉7"タッチパネル ◉連続成膜・成膜プログラム自動制御・30種類のレシピ登録・高精度ワイドレンジ真空計 ◉豊富なオプション・基板回転・上下昇降 300mmストローク・基板、ソースシャッター・ドライポンプ・USBでWindows PCに接続、ログの保存管理詳しく見る
◆ANNEAL◆ ウエハーアニール装置 (45) 高真空水冷式SUSチャンバー内に設置した加熱ステージにより最高1000℃までの高温処理が可能です。マスフローコントローラは最大3系統まで増設が可能、精密に調整されたプロセスガス圧力での焼成作業が可能です（APC自動プロセス制御システムオプション）。又、フロントビューポート、ドライスクロールポンプ、特殊基板ホルダー、熱電対増設、などオプションも豊富。ヒーター素線は、プロセスガス雰囲気・処理温度により３種類のバリエーションがあります。・ハロゲンランプ：Max500℃ ・C/Cコンポジット：Max1000℃（真空中、不活性ガスのみ）・SiCコーティング：Max1000℃（真空、不活性ガス、O2） ◉ 基板サイズ：Φ2〜4inch ◉ SUS304水冷式チャンバー ◉ 到達圧力 5x10-5Pascal ◉ 最大3系統マスフローコントローラ ◉ 7"HMIタッチパネル ◉ 高精度ワイドレンジ真空ゲージ ◉ USB端子付、PCデータロギング機能 ◉ ターボ分子、ロータリーポンプ（*ドライポンプへの変更可能） ◉ Kタイプ熱電対付属詳しく見る	◉ nanoCVD-8G/8N グラフェン/CNT合成装置 (39) ◆nanoCVD-8G（グラフェン用） ◆nanoCVD-8N（カーボンナノチューブ用） ◉ 大型製造装置設備を使わず、短時間で容易にグラフェン・CNT（SWNT）合成実験が可能 ◉ 1バッチわずか30分！ ◉ コールドウオール式による高効率・高精度プロセスコントロール ◉ 急速昇温：RT→1100℃/約3分間 ◉ 高精度温度流量制御・再現性に優れたハイパフォーマンス機詳しく見る
◉ Nanofurnace "BWS-NANO" 熱CVD装置 (39) 多目的に使える、高精度プロセスコントロール【ホットウオール式熱CVD装置】 ◉ 最高使用温度 1100℃ ◉ グラフェン, カーボンナノチューブ ◉ ZnOナノワイヤ ◉ SiO2等の絶縁膜などその他, ホットウオール式熱CVD装置として幅広いアプリケーションに活用いただけます。詳しく見る	◇◆成膜コンポーネント◆◇ (42) ◉ マグネトロンスパッタカソード・Φ2inch、Φ3inch、Φ4inchサイズ・クランプリング式を採用、ボンディングが不要・メンテナンス性に優れ、容易にターゲットの交換が可能・シャッター、チムニーポート、ガスインジェクション、磁性材用高強度マグネット、などのオプションが豊富・各種フランジサイズ接続に対応 ◉ OLED 有機蒸着・高温用金属蒸発源 Max1500℃ ・最高仕様温度：800℃、又は1500℃ ・るつぼ容積：1cc, 10cc ・るつぼ材質：アルミナ、PBN、石英、グラファイト・シャッター（空圧制御、モーター制御）・熱電対：K、又はC ・水冷ジャケットオプション詳しく見る
□■□超高温小型実験炉シリーズ□■□ (38) 【Mini-BENCH超高温小型卓上実験炉Max2200℃】【MiniLab-WCF超高温ウエハーアニール炉Max2000℃】【TCF-C500超高温カーボン実験炉Max2900℃】など、あらゆる超高温焼成用途に多彩なラインナップからベストなソリューションをご提案致します。又、特注仕様にも応じますのでお気軽に当社までご相談下さい。詳しく見る	◉ Mini-BENCH超高温小型卓上実験炉 Max2200℃ (38) 卓上サイズカーボン実験炉・省スペース最高使用温度2200℃（短時間）2000℃（連続）還元雰囲気用メタル炉も製作致します。 ◉ 卓上サイズ省スペース：328 x 220 x 250mm ◉ るつぼ内サンプル焼成用（るつぼΦ50 x 100）, 又はΦ1", Φ2"ウエハー焼成用フラットヒーター ◉ ハイスペック&ハイコストパフォーマンス ◉ 簡単メンテナンス：部品交換が容易 ◉ シンプルな構成、優れたメンテナンス性詳しく見る
◉ TCF-C500 超高温小型実験炉Max2900℃ (45) Max2900℃(カーボン炉）、Max2400℃（メタル炉）・有効加熱エリア 70 x 70 x1 00mm 新素材・新材料開発、及び半導体・電子部品・燃料電池・大陽電池などの先端基礎技術開発部門でのさまざまなアプリケーションに対応。小片試料を最高2900℃まで加熱実験ができるR&D用超高温小型実験炉。実験室での超高温加熱実験、新素材開発などのさまざまな焼成実験を行うことができます。 ◆主な特徴◆ ・省スペース・ロータリーポンプ、コンプレッサー付属・インターロック：断水警報、過昇温、ガス圧力低下 ◆基本仕様◆ ・電源仕様：AC200V 75A NFB 50/60HZ（C-500）・Max2900℃（カーボン炉）、2400℃（メタル炉）、・プログラム温度調節計、C熱電対 ◆オプション◆ ・記録計・ターボ分子ポンプ・るつぼ ◆主なアプリケーション◆ ・新素材開発・燃料電池・その他詳しく見る	● MiniLab-WCF超高温ウエハーアニール炉2200℃ (32) 安全性・操作性を重視した、『ウエハー焼成』専用R&D用超高温実験炉。 ◆主な特徴◆ ・習熟度を問わずどなたでも簡単に操作できます。・自動シーケンス操作：試料設置後、煩雑な操作が必要無く、ボタン操作のみで真空引〜ベント〜ガス導入を実行・上部扉より内部試料室にアクセス・有効加熱範囲：φ6-φ8inch（その他サイズ可能）・高真空雰囲気対応（ターボ追加：1x10-5Torr）・インターロック8系統の状態が前面LEDランプで確認 ◆基本仕様◆ ・発熱体：CCコンポジット・断熱材：グラファイト, タングステン/モリブデン・電源仕様：AC200V 70A 14KW（8inch 2ゾーンの場合）・Max2000℃ ・使用雰囲気：真空・不活性ガス, 真空・不活性ガス・プログラム温調計、C熱電対 ◆オプション◆ ・2ゾーン制御（6, 8inch）・記録計・ターボ分子ポンプ・ウエハホルダー ◆主な用途◆ ・SiC, GaN等電子デバイス・他先端材料開発に応用詳しく見る
◆◇◆ R&D用小型縦型実験炉 TVF-110 ◆◇◆ (39) ローコスト必要最小構成（手動制御）管状炉・拡散炉・熱CVD用加熱リアクター部として応用可能小片試料〜3inch waferまでの小基板用サセプタ手動昇降式縦型実験炉大学・企業研究室での基礎実験用に最適な基礎実験用ローコスト版縦型炉主な仕様】・炉内温度Max1200℃, 試料最大温度Max950℃ ・小片試料：数ミリサイズ〜3inchウエハーサイズまで対応・基板枚数：1〜3枚程度・石英サセプタ手動昇降式：停止位置目盛、クランパ付き・炉芯管：Φ100 x Φ95 x 470L mm ・昇降：手動回転ハンドル・温度調節：PIDプログラム温度調節計・熱電対：2対式K熱電対x1（制御用、過昇温用）、Kタイプ素線（炉芯測温用）詳しく見る	□■□基板加熱ヒーター□■□ (40) 基板加熱ヒーターは、フロントプレート材質に「窒化アルミ」「ボロンナイトライド」「インコネル」「石英」などから選択ができ、更に搭載するヒーターエレメントもNiCr, Kanthal, Graphite, CCコンポジット, 及び各種コーティング品など豊富に用意。プロセス雰囲気に合わせてハウジング、電極構造、冷却構造などを自在にカスタマイズした基板加熱ユニットをご提案します。超高温焼成・加熱効率・均熱性・温度再現性に優れた基板加熱ヒーターユニットです。半導体製造装置、CVD、PVD（蒸着、スパッタ、PLD、ALD）、高温亜ニール装置などあらゆる装置構成に対応が可能です。詳しく見る
◉ BHシリーズ基板加熱ヒーター Max 1600℃ (45) ３種類のサイズ（Φ1, 2, 4inch）4種類のヒーター素線材質（NiCr, Kanthal, Graphite, SiC）に限定して標準化、部品在庫を持つことにより短納期・安価な価格を実現しました。大学実験室・研究機関に限定した数量限定の製品です。【対応基板サイズ】  ◉ Φ1inch ◉ Φ2inch ◉ Φ4inch 【ヒーター素線材質】  ◉ Max 1000℃：NiCr, カンタル素線（真空中, Ar, N2, He ,O2, H2）  ◉ Max 1600℃：Graphite素線_（真空中, Ar, N2）  ◉ Max 1650℃：Solid SiC素線_（真空中, Ar, N2, He, H2, O2） ■ 3 種類のサイズ, 4 種類のヒーター素線：NiCr, Kanthal, Graphite, SiC 素線 ■ 標準付属品：M6 スタッドボルト, または取付支柱【オプション】 ● 標準外素線も用意しております（W, Nb, Mo, Pt/Re, WRe） ● 取付ブラケット ● ホルダー設置用タップ穴加工詳しく見る	◉ SHシリーズ基板加熱ヒーター Max 1100℃ (39) ◉ 対応サイズ：φ1inch〜φ6inch ◉ 使用雰囲気： - 真空, 不活性ガス（SH-BN） - 真空, O2, 大気, 不活性/活性ガス中（SH-IN） ◉ 最高使用温度： - Max 1100℃（SH-BN *O2不可） - Max 850℃（SH-IN）詳しく見る
◉ ホットステージ「基板加熱機構」Max 1800℃ (39) ◉ 基板上下機構、回転、RF/DCバイアス、傾斜 ◉ 対応サイズ：φ2inch〜φ4inch ◉ 使用雰囲気：O2, N2, Ar, Vac他 ◉ 最高使用温度： - Max 1800℃（Gr, CCC, CCC/PG） - Max 1600℃（Graphite+SiCコーティング, PBNコーティング） - Max 850℃（NiCr） - Max 1000℃（Kanthal）詳しく見る	◆HTEヒーター◆ 高真空るつぼ加熱ヒーター Max1500℃ (39) 真空用高温るつぼ加熱ヒーター。有機蒸着源 800℃、金属蒸着源 1500℃、としても利用できるバーサタイルなヒーターユニット【主仕様】 ■最高制御温度：800℃、又は1500℃ ■使用環境：真空中・不活性ガス（*O2 は800℃まで） ■ヒーター：タングステンフィラメント ■るつぼ容積：1cc（最大充填量1.5cc） ■るつぼ材質：アルミナ（標準） ■ケース材質：SUS304, 又はモリブデン ■熱電対：K タイプ、又はC タイプ【オプション】 ⚫︎るつぼ材質：PBN, グラファイト, 石英 ⚫︎ヒーター：NiCr 線, カンタル線 ⚫︎るつぼ容積：10cc（最大充填量15cc） ⚫︎シャッター：空圧式, 又はモーター駆動 ⚫︎水冷ジャケット ⚫︎コントローラー（ヒーター・シャッター制御ボックス）詳しく見る
□■□温度センサー□■□ (7) 工業用熱電対、測温抵抗体、他多種の温度センサーを取り扱っております。詳しく見る	□■□赤外線温度計測機器□■□ (6) 各種固定設置型赤外線放射温度センサー ◆小型・高精度非接触式赤外線センサ ◆USB接続高精度赤外線温度センサ（2.2um短波長用） ◆スマートホン設定式（NFC）赤外線温度センサ ◆本質安全防爆赤外線放射温度センサ詳しく見る
◉ 小型・高精度赤外線放射温度センサー (6) 各種装置への組込みに最適な、小型OEM仕様の非接触放射温度センサーです。 ◉ 放射率固定 0.95 ◉ 応答速度 240msec ◉ 再現性±0.5% or ±0.5℃ ◉ 精度±0.1% or ±0.1℃ ◉ 電源24VDC ◉ 出力4〜20mADC 詳しく見る	◉ USB接続式・放射率可変高温用赤外線放射温度センサー (6) ワイドレンジ-40〜2000℃。放射率可変、一般用・ガラス用・金属/高温用、幅広い用途に対応する高精度非接触放射温度センサーです。 ◉ 放射率設定範囲 0.1〜1.0 ◉ 応答速度 240msec ◉ 再現性±0.5% or ±0.5℃ ◉ 精度±0.1% or ±0.1℃ ◉ 電源24VDC ◉ 出力4〜20mADC 詳しく見る
◉ 本質安全防爆型赤外線放射温度センサー (6) TIIS（産業安全技術協会）検定取得危険場所（Zone0, 1, & 2）で使用可能石油化学プラント・医薬品工場などの危険物管理区域・爆発性ガス雰囲気での温度測定制御用としてお使いいただけます。 ● 危険場所Zone 0、1 及び2（特別危険箇所、第一類危険箇所及び第二類危険箇所）で使用可 ● 測定温度範囲：-20℃ ～ +1000℃ ● 最大最小設定可能スパン：Max1000℃, Mini100℃（-20〜1000℃範囲で設定可能） ● 2線式、4-20mA出力 ● 本質安全防爆絶縁バリヤ付属 ● USB接続コンフィグレーション設定器「LCT設定器」付属：WindowsPCで付属の専用ソフトでスケーリング・スパン調整・放射率などの設定が可能 ● オプション：固定金具, エアパージキット, 延長ケーブル（10m, 25m） ● 過酷な環境に対応、316 ステンレス容器採用 ● 保護等級IP65 詳しく見る	◉ スマートホン設定式赤外線放射温度センサー (6) 温度範囲・放射率・アラーム等のパラメータをスマートホン、タブレットで設定表示計器、計器用電源を必要とせず簡単に設定できます ● 専用アプリをGoogle Playから無料ダウンロード（Android4.1〜5.1） ● AndroidのNFC通信を使い、センサ部にタッチするだけで読込み・書出しをします。 ● 超小型センサ（Φ31mm x t29mm）狭い場所でも温度測定が可能。 ● 高速応答125msec、高精度±1.5% ● 電圧出力（0-5V or 0-10V）、又はK熱電対出力【その他仕様】 ◉ 視野角：15:1 ◉ 温度範囲：0℃〜1000℃ ◉ 測定波長領域：8〜14μm ◉ 放射率： 0.2〜1.0 ◉ 電源：24VDC（最小6V/10V〜最大28VDC） ◉ ケーブル：1m付属（最長30m延長可能）【オプション】 ◉ 本体固定金具 ◉ 延長ケーブル ◉ エアパージキット詳しく見る

注目製品情報

◆OLED◆ 有機蒸着・高温用金属蒸着セル Max1500℃

OLED蒸発源は最高使用温度1500℃の真空蒸着用高温蒸着ソースです。固定ベースを外さずにボディを差し替えるだけで、有機EL等の低温有機蒸着（～ 800℃）用セルと高温加熱（～ 1500℃）セルを交換することができます。真空成膜用ソースとしてお使いの場合はシャッター・アクチュエータも用意。 800℃以上の高温ヒーターとしてお使いの場合は、内部シールド構造を備え、断熱・熱遮蔽を考慮した設計。シャッターはフリップ式を採用チャンバー内に複数のOLEDソースを設置しても他のコンポーネントに干渉することがありません。上部キャップを外すだけで坩堝を取り出すことができますので、材料の充填・補充作業に手間がかかりません。本体部は、1cc 坩堝用（最大充填量1.5cc）、10cc 坩堝用（最大充填量15cc）があり、固定ベースをチャンバーから外さず本体ボディをベースに差し替えるだけで交換可能。熱電対はK、Cのいずれもご指定いただけます。るつぼ：アルミナ（標準）、石英、PBN、カーボンが選択できます。
【MiniLab（ミニラボ）】シリーズフレキシブル薄膜実験装置

【フレキシブルシステム】 MiniLab薄膜実験装置シリーズは、豊富なオプションから必要な成膜方法・材料に応じて都度、ご要望に適したコンポーネント（成膜ソース、ステージなど）、制御モジュールを組み込み、カスタマイズ品でありながら無駄の無いコンパクトな装置構成を容易に構築することができます。モジュラー式制御ユニットをPlug&Play 感覚で装置を構成することにより応用範囲が広がり、様々な薄膜プロセス実験への応用が可能になります。 MiniLabシリーズは、研究開発から小規模生産用途まで幅広く対応するハイコストパフォーマンスシステムです。【スモールフットプリント・省スペース】・シングルラックタイプ（MiniLab-026）：590(W) x 590(D)mm ・デュアルラックタイプ（MiniLab-060）：1200(W) x 590(D)mm ・トリプルラックタイプ（MiniLab-125）：1770(W) x 755(D)mm 【優れた操作性・直観的操作画面】 Windows PC、または７”タッチパネル。熟練度を問わない簡単操作、且つ安全に最大限配慮しております。
◆Mini-BENCH-prismセミオート式超高温実験炉◆

◉最高使用温度 Max2000℃ ◉カスタマイズ自在なヒーター構造： - 円筒状ヒーター：るつぼ内サンプル焼成（固形物、粉体、粒形、ペレット形状サンプル用） - 面状ヒーター：Φ1"〜Φ6"ウエハー、小片チップ焼成用 ◉PLCセミオートコントロールタッチパネル画面で温度調節計以外の全ての操作を行います。煩わしいバルブ開閉・ポンプ起動操作が不要、焼成作業前の「真空/パージ」サイクルと焼成作業後の「ベント」を1ボタンで自動シーケンスで行います。 ◉MFC最大3系統自動流量制御（又は手動調整） ◉APC自動圧力コントロール ◉作業中の安全を確保冷却水異常・チャンバー温度異常・過圧異常を監視SUS製堅牢な水冷チャンバー、最高温度で連続使用中でも安全にご使用いただけます。 ◉小型・省スペース幅603 x 奥行603 x 高さ1,160mm（*ロータリーポンプ筐体内設置）実験室での小片試料の超高温加熱実験、新素材研究開発などのさまざまな試料加熱実験が、簡単な操作で行えます。本体は小型でありながらよりさまざまな分野の研究開発にお使いいただけます。

□■□MiniLabシリーズ実験装置□■□ (44) 「MiniLab series実験装置」は、豊富なオプションから必要な膜種・用途に応じて都度適切なモジュール選択をすることにより、カスタマイズ品でありながら無駄が無くコンパクトな装置構成を容易に構築することができます。モジュラー式制御ユニットをPlug&Play感覚で搭載することにより応用範囲が広がり、様々なプロセス実験装置への応用が可能になります。詳しく見る	◉ nanoETCH ソフトエッチング装置 (39) 【nanoETCH（ナノエッチ）】Model. ETCH5A ＜30W（制御精度10mA）低出力RFエッチングによる、精細でダメージレスなエッチング処理を実現。【特徴・主なアプリケーション】 • 2D（遷移金属カルゴゲナイド, 材料転写後のグラフェン剥離）：表面改質クリーニング • PMMA, PPA等のポリマーレジスト除去 • テフロン基板などのダメージを受けやすい基板での表面改質、エッチング • h-BNサイドウオールエッチング（『フッ化ガス供給モジュール』オプション, SF6ガス系統要） • SiO2エッチング（『フッ化ガス供給モジュール』オプション, CHF3ガス系統要）【仕様】 ◉ 対応基板：〜Φ6inch ◉ 7"タッチパネル簡単操作 PLC自動シーケンス ◉ APC自動圧力制御 ◉ ガス最大3系統（Ar, O2標準付属） *N2、又はフッ化ガス系増設 ◉ PCソフトウエア付属：自動エッチングレシピ作成・保存・保存、データロギング詳しく見る
◉ 【MiniLab-026】小型真空蒸着装置 (39) ◉ 19inchシングルラックフレームに収納、わずかなスペースで設置が可能 ◉ 有機材料蒸着源x最大4源、金属蒸着源x最大2源搭載 ◉ グローブボックス組込モデルも有り ◉ 豊富なオプション部品を用意研究開発用途の、エントリーレベル小型真空蒸着装置です。金属材料蒸着ソース（TE1-Box型、又は電極モジュール「TE1～TE4」）を組替え、対応するTECコントローラにて自動もしくは手動制御を行います。基板用・ソース用シャッター、膜厚モニター、真空計、基板ホルダ、基板加熱ヒーター、基板回転・昇降ステージ、RF/DCバイアス印加など豊富なオプションを用意。連続多層膜制御、又、同時成膜（有機膜材料のみ）も可能です。詳しく見る	◉ 【MiniLab-060】フレキシブル薄膜実験装置 (41) 蒸着・スパッタ・EB・アニールなどの薄膜モジュールをご要望の構成でフレキシブルに組立てることができるセミカスタムメイド薄膜実験装置下記蒸着源から組合せが可能・抵抗加熱蒸着源 x 最大4 ・有機蒸着源 x 最大4 ・電子ビーム蒸着・2inchマグネトロンスパッタリングカソード x 4 【主仕様】・SUS304 60ℓ容積チャンバー 400x400x400mm ・ポンプ：ターボ分子ポンプ, ロータリーポンプ（ドライポンプも可）・真空排気：真空/ベント自動制御・金属膜蒸着：最大4点・有機膜蒸着：最大4点・EB電子ビーム蒸着源：7ccるつぼｘ６（又は4ccるつぼｘ8）・Φ2〜4inchマグネトロンスパッタリングカソード x 最大４・プロセス制御：手動/自動多層膜・同時成膜、APC自動制御可能（*オプション）・膜厚モニタ：水晶振動子センサヘッドｘ２・ユーティリティ：電源200V ３相 13A, 水冷3ℓ/min, N2ベントガス0.1Mkpa ・その他オプション：基板加熱, 冷却, 基板昇降・回転, バイアスステージ, ドライポンプ , ロードロック詳しく見る
◉ 【MiniLab-080】フレキシブル薄膜実験装置 (39) 80ℓ容積 400(W)x400(D)x570(H)mm D型ボックスチャンバーで構成されるML-080は、060と同等の構成で更にチャンバーを高くすることによりTS距離調整範囲が長く、大口径基板での蒸着時の膜均一性が向上。ロードロック機構も追加できるML-060の上位機種。060同様に、コンパクトながら抵抗加熱蒸着（金属/絶縁物/有機材）,EB蒸着, RF/DC兼用マグネトロン式スパッタ, ドライエッチ, CVD,アニールなどの幅広い目的に対応。・抵抗加熱蒸着源 x 最大4 ・有機蒸着源 x 最大4 ・マグネトロンスパッタリングカソード x 4 ・電子ビーム蒸着・最大Φ8inch加熱ステージ（標準500℃, Max1000℃）・RF/DCエッチングシステム・CVD（熱CVD, PECVD）詳しく見る	◉ 【MiniLab-090】フレキシブル薄膜実験装置 (39) 80ℓ大容積MiniLab-080チャンバーをグローブボックスベンチ内に収納可能な構造にしたMiniLab-080のグローブボックスモデル。作業ベンチを最大限活用できるスライド開閉式チャンバー、メンテナンス性を考慮した背面開閉ドアを採用。プロセス処理後の試料を大気・水分に露出せずグローブボックス内の管理された環境内で一貫した処理ができます。GB, ガス精製機はGBモデルの仕様を参照下さい。・抵抗加熱蒸着源 x 最大4 ・有機蒸着源 x 最大4 ・マグネトロンスパッタリングカソード x 4 ・電子ビーム蒸着・最大Φ8inch加熱ステージ（標準500℃, Max1000℃）・RF/DCエッチングシステム・CVD（熱CVD, PECVD）詳しく見る
【MiniLab-026/090】グローブボックス薄膜実験装置 (45) OLED（有機EL）, OPV（有機薄膜太陽電池）, OTFT（有機薄膜太陽電池）, 又, グラフェン・2D材料（遷移金属ダイカルコゲナイドなどの二次元層状無機ナノ材料）などの成膜プロセスでは、酸素・水分から隔離された不活性ガス雰囲気で試料を取扱う必要があります。 MiniLab-026/00-GBでは、PCD/CVDチャンバーをGB内に収納することにより有機膜用途の「酸素・水分フリー」実験環境をコンパクトな省スペース環境で実現。【特徴】 ◉ CVD/PVD成膜、スピンコート塗布・ホットプレートベーキングなど一連の作業を外気に晒すことなく、GB内でシームレスに行うことができます。 ◉ 省スペース：背面にチャンバーがせり出しませんので、スペースを取りません。【MiniLab対象】 ◉ MiniLab-026（26ℓ容積）：金属/絶縁物/有機材料蒸着、スパッタリグ、RF/DCエッチング、アニール ◉ MiniLab-090（90ℓ容積）：金属/絶縁物/有機材料蒸着、スパッタリグ、RF/DCエッチング、アニール詳しく見る	□■□薄膜実験装置（コンパクトタイプ）□■□ (21) 研究開発用途に特化した『省スペース』『高機能』『低価格』な真空薄膜実験装置を揃えております。 ◉ nanoPVD-S10A マグネトロン式スパッタリング装置 ◉ nanoPVD-T15A 有機膜・金属膜蒸着装置 ◉ nanoPVD-ST15A 蒸着・スパッタ複合型成膜装置 ◉ nanoCVD-8G/8N グラフェン/CNT合成装置 ◉ nanoETCH ソフトエッチング装置 ◉ Mini-BENCH超高温小型卓上実験炉 ◉ Mini-BENCH-prism超高温小型実験炉いずれもコンパクトな装置でありながら、決して性能は妥協しない高性能装置です。今後も研究開発分野に寄与すべく新装置ラインナップを拡充する予定です。詳しく見る
◉ nanoPVD-S10A マグネトロンスパッタリング装置 (39) nanoPVD-S10A マグネトロンスパッタリング装置 RF, DC兼用到達真空度5x10-5Pascal Φ2inchカソードx最大3基高性能・多機能にも関わらず、実験室の限られたスペースにもフィットするスモールフットプリント、7inch前面タッチパネルによる簡単操作。 USB端子付、PCデータロギング機能標準搭載（最大1000layer, 50filmのレシピ保存）詳しく見る	◆nanoPVD-T15A◆ 高性能有機膜・金属膜蒸着装置 (45) OLED, OPV, OTFT等の有機薄膜蒸着用途に最適。温度応答性/安定性に優れた低温有機蒸着源、金属膜用高温蒸着源を採用。コンパクトサイズにも関わらず、基本性能・膜質・均一性・操作性の全てを犠牲にせず、スタンドアローン大型機と同様の性能を実現しました。直感的に操作ができる分かりやすいHMI。USBケーブルでWindows PCに接続し、ログを保存、自動成膜レシピを作成保存。 ◉寸法：804(W) x 530(D) x 600(H)mm ◉重量：40〜70kg（装置構成による） ◉優れた基本性能・到達真空度 5x10-5Pascal ・ターボ分子ポンプ・Φ2"もしくはΦ4"基板 ◉蒸着源・金属蒸着源 x 最大2基・有機蒸着源 x 最大4基（抵抗加熱TEと混在の場合、2基まで） ◉7"タッチパネル ◉連続成膜・成膜プログラム自動制御・30種類のレシピ登録・高精度ワイドレンジ真空計 ◉豊富なオプション・基板回転・上下昇降 300mmストローク・基板、ソースシャッター・ドライポンプ・USBでWindows PCに接続、ログの保存管理詳しく見る
◆ANNEAL◆ ウエハーアニール装置 (45) 高真空水冷式SUSチャンバー内に設置した加熱ステージにより最高1000℃までの高温処理が可能です。マスフローコントローラは最大3系統まで増設が可能、精密に調整されたプロセスガス圧力での焼成作業が可能です（APC自動プロセス制御システムオプション）。又、フロントビューポート、ドライスクロールポンプ、特殊基板ホルダー、熱電対増設、などオプションも豊富。ヒーター素線は、プロセスガス雰囲気・処理温度により３種類のバリエーションがあります。・ハロゲンランプ：Max500℃ ・C/Cコンポジット：Max1000℃（真空中、不活性ガスのみ）・SiCコーティング：Max1000℃（真空、不活性ガス、O2） ◉ 基板サイズ：Φ2〜4inch ◉ SUS304水冷式チャンバー ◉ 到達圧力 5x10-5Pascal ◉ 最大3系統マスフローコントローラ ◉ 7"HMIタッチパネル ◉ 高精度ワイドレンジ真空ゲージ ◉ USB端子付、PCデータロギング機能 ◉ ターボ分子、ロータリーポンプ（*ドライポンプへの変更可能） ◉ Kタイプ熱電対付属詳しく見る	◉ nanoCVD-8G/8N グラフェン/CNT合成装置 (39) ◆nanoCVD-8G（グラフェン用） ◆nanoCVD-8N（カーボンナノチューブ用） ◉ 大型製造装置設備を使わず、短時間で容易にグラフェン・CNT（SWNT）合成実験が可能 ◉ 1バッチわずか30分！ ◉ コールドウオール式による高効率・高精度プロセスコントロール ◉ 急速昇温：RT→1100℃/約3分間 ◉ 高精度温度流量制御・再現性に優れたハイパフォーマンス機詳しく見る
◉ Nanofurnace "BWS-NANO" 熱CVD装置 (39) 多目的に使える、高精度プロセスコントロール【ホットウオール式熱CVD装置】 ◉ 最高使用温度 1100℃ ◉ グラフェン, カーボンナノチューブ ◉ ZnOナノワイヤ ◉ SiO2等の絶縁膜などその他, ホットウオール式熱CVD装置として幅広いアプリケーションに活用いただけます。詳しく見る	◇◆成膜コンポーネント◆◇ (42) ◉ マグネトロンスパッタカソード・Φ2inch、Φ3inch、Φ4inchサイズ・クランプリング式を採用、ボンディングが不要・メンテナンス性に優れ、容易にターゲットの交換が可能・シャッター、チムニーポート、ガスインジェクション、磁性材用高強度マグネット、などのオプションが豊富・各種フランジサイズ接続に対応 ◉ OLED 有機蒸着・高温用金属蒸発源 Max1500℃ ・最高仕様温度：800℃、又は1500℃ ・るつぼ容積：1cc, 10cc ・るつぼ材質：アルミナ、PBN、石英、グラファイト・シャッター（空圧制御、モーター制御）・熱電対：K、又はC ・水冷ジャケットオプション詳しく見る
□■□超高温小型実験炉シリーズ□■□ (38) 【Mini-BENCH超高温小型卓上実験炉Max2200℃】【MiniLab-WCF超高温ウエハーアニール炉Max2000℃】【TCF-C500超高温カーボン実験炉Max2900℃】など、あらゆる超高温焼成用途に多彩なラインナップからベストなソリューションをご提案致します。又、特注仕様にも応じますのでお気軽に当社までご相談下さい。詳しく見る	◉ Mini-BENCH超高温小型卓上実験炉 Max2200℃ (38) 卓上サイズカーボン実験炉・省スペース最高使用温度2200℃（短時間）2000℃（連続）還元雰囲気用メタル炉も製作致します。 ◉ 卓上サイズ省スペース：328 x 220 x 250mm ◉ るつぼ内サンプル焼成用（るつぼΦ50 x 100）, 又はΦ1", Φ2"ウエハー焼成用フラットヒーター ◉ ハイスペック&ハイコストパフォーマンス ◉ 簡単メンテナンス：部品交換が容易 ◉ シンプルな構成、優れたメンテナンス性詳しく見る
◉ TCF-C500 超高温小型実験炉Max2900℃ (45) Max2900℃(カーボン炉）、Max2400℃（メタル炉）・有効加熱エリア 70 x 70 x1 00mm 新素材・新材料開発、及び半導体・電子部品・燃料電池・大陽電池などの先端基礎技術開発部門でのさまざまなアプリケーションに対応。小片試料を最高2900℃まで加熱実験ができるR&D用超高温小型実験炉。実験室での超高温加熱実験、新素材開発などのさまざまな焼成実験を行うことができます。 ◆主な特徴◆ ・省スペース・ロータリーポンプ、コンプレッサー付属・インターロック：断水警報、過昇温、ガス圧力低下 ◆基本仕様◆ ・電源仕様：AC200V 75A NFB 50/60HZ（C-500）・Max2900℃（カーボン炉）、2400℃（メタル炉）、・プログラム温度調節計、C熱電対 ◆オプション◆ ・記録計・ターボ分子ポンプ・るつぼ ◆主なアプリケーション◆ ・新素材開発・燃料電池・その他詳しく見る	● MiniLab-WCF超高温ウエハーアニール炉2200℃ (32) 安全性・操作性を重視した、『ウエハー焼成』専用R&D用超高温実験炉。 ◆主な特徴◆ ・習熟度を問わずどなたでも簡単に操作できます。・自動シーケンス操作：試料設置後、煩雑な操作が必要無く、ボタン操作のみで真空引〜ベント〜ガス導入を実行・上部扉より内部試料室にアクセス・有効加熱範囲：φ6-φ8inch（その他サイズ可能）・高真空雰囲気対応（ターボ追加：1x10-5Torr）・インターロック8系統の状態が前面LEDランプで確認 ◆基本仕様◆ ・発熱体：CCコンポジット・断熱材：グラファイト, タングステン/モリブデン・電源仕様：AC200V 70A 14KW（8inch 2ゾーンの場合）・Max2000℃ ・使用雰囲気：真空・不活性ガス, 真空・不活性ガス・プログラム温調計、C熱電対 ◆オプション◆ ・2ゾーン制御（6, 8inch）・記録計・ターボ分子ポンプ・ウエハホルダー ◆主な用途◆ ・SiC, GaN等電子デバイス・他先端材料開発に応用詳しく見る
◆◇◆ R&D用小型縦型実験炉 TVF-110 ◆◇◆ (39) ローコスト必要最小構成（手動制御）管状炉・拡散炉・熱CVD用加熱リアクター部として応用可能小片試料〜3inch waferまでの小基板用サセプタ手動昇降式縦型実験炉大学・企業研究室での基礎実験用に最適な基礎実験用ローコスト版縦型炉主な仕様】・炉内温度Max1200℃, 試料最大温度Max950℃ ・小片試料：数ミリサイズ〜3inchウエハーサイズまで対応・基板枚数：1〜3枚程度・石英サセプタ手動昇降式：停止位置目盛、クランパ付き・炉芯管：Φ100 x Φ95 x 470L mm ・昇降：手動回転ハンドル・温度調節：PIDプログラム温度調節計・熱電対：2対式K熱電対x1（制御用、過昇温用）、Kタイプ素線（炉芯測温用）詳しく見る	□■□基板加熱ヒーター□■□ (40) 基板加熱ヒーターは、フロントプレート材質に「窒化アルミ」「ボロンナイトライド」「インコネル」「石英」などから選択ができ、更に搭載するヒーターエレメントもNiCr, Kanthal, Graphite, CCコンポジット, 及び各種コーティング品など豊富に用意。プロセス雰囲気に合わせてハウジング、電極構造、冷却構造などを自在にカスタマイズした基板加熱ユニットをご提案します。超高温焼成・加熱効率・均熱性・温度再現性に優れた基板加熱ヒーターユニットです。半導体製造装置、CVD、PVD（蒸着、スパッタ、PLD、ALD）、高温亜ニール装置などあらゆる装置構成に対応が可能です。詳しく見る
◉ BHシリーズ基板加熱ヒーター Max 1600℃ (45) ３種類のサイズ（Φ1, 2, 4inch）4種類のヒーター素線材質（NiCr, Kanthal, Graphite, SiC）に限定して標準化、部品在庫を持つことにより短納期・安価な価格を実現しました。大学実験室・研究機関に限定した数量限定の製品です。【対応基板サイズ】  ◉ Φ1inch ◉ Φ2inch ◉ Φ4inch 【ヒーター素線材質】  ◉ Max 1000℃：NiCr, カンタル素線（真空中, Ar, N2, He ,O2, H2）  ◉ Max 1600℃：Graphite素線_（真空中, Ar, N2）  ◉ Max 1650℃：Solid SiC素線_（真空中, Ar, N2, He, H2, O2） ■ 3 種類のサイズ, 4 種類のヒーター素線：NiCr, Kanthal, Graphite, SiC 素線 ■ 標準付属品：M6 スタッドボルト, または取付支柱【オプション】 ● 標準外素線も用意しております（W, Nb, Mo, Pt/Re, WRe） ● 取付ブラケット ● ホルダー設置用タップ穴加工詳しく見る	◉ SHシリーズ基板加熱ヒーター Max 1100℃ (39) ◉ 対応サイズ：φ1inch〜φ6inch ◉ 使用雰囲気： - 真空, 不活性ガス（SH-BN） - 真空, O2, 大気, 不活性/活性ガス中（SH-IN） ◉ 最高使用温度： - Max 1100℃（SH-BN *O2不可） - Max 850℃（SH-IN）詳しく見る
◉ ホットステージ「基板加熱機構」Max 1800℃ (39) ◉ 基板上下機構、回転、RF/DCバイアス、傾斜 ◉ 対応サイズ：φ2inch〜φ4inch ◉ 使用雰囲気：O2, N2, Ar, Vac他 ◉ 最高使用温度： - Max 1800℃（Gr, CCC, CCC/PG） - Max 1600℃（Graphite+SiCコーティング, PBNコーティング） - Max 850℃（NiCr） - Max 1000℃（Kanthal）詳しく見る	◆HTEヒーター◆ 高真空るつぼ加熱ヒーター Max1500℃ (39) 真空用高温るつぼ加熱ヒーター。有機蒸着源 800℃、金属蒸着源 1500℃、としても利用できるバーサタイルなヒーターユニット【主仕様】 ■最高制御温度：800℃、又は1500℃ ■使用環境：真空中・不活性ガス（*O2 は800℃まで） ■ヒーター：タングステンフィラメント ■るつぼ容積：1cc（最大充填量1.5cc） ■るつぼ材質：アルミナ（標準） ■ケース材質：SUS304, 又はモリブデン ■熱電対：K タイプ、又はC タイプ【オプション】 ⚫︎るつぼ材質：PBN, グラファイト, 石英 ⚫︎ヒーター：NiCr 線, カンタル線 ⚫︎るつぼ容積：10cc（最大充填量15cc） ⚫︎シャッター：空圧式, 又はモーター駆動 ⚫︎水冷ジャケット ⚫︎コントローラー（ヒーター・シャッター制御ボックス）詳しく見る
□■□温度センサー□■□ (7) 工業用熱電対、測温抵抗体、他多種の温度センサーを取り扱っております。詳しく見る	□■□赤外線温度計測機器□■□ (6) 各種固定設置型赤外線放射温度センサー ◆小型・高精度非接触式赤外線センサ ◆USB接続高精度赤外線温度センサ（2.2um短波長用） ◆スマートホン設定式（NFC）赤外線温度センサ ◆本質安全防爆赤外線放射温度センサ詳しく見る
◉ 小型・高精度赤外線放射温度センサー (6) 各種装置への組込みに最適な、小型OEM仕様の非接触放射温度センサーです。 ◉ 放射率固定 0.95 ◉ 応答速度 240msec ◉ 再現性±0.5% or ±0.5℃ ◉ 精度±0.1% or ±0.1℃ ◉ 電源24VDC ◉ 出力4〜20mADC 詳しく見る	◉ USB接続式・放射率可変高温用赤外線放射温度センサー (6) ワイドレンジ-40〜2000℃。放射率可変、一般用・ガラス用・金属/高温用、幅広い用途に対応する高精度非接触放射温度センサーです。 ◉ 放射率設定範囲 0.1〜1.0 ◉ 応答速度 240msec ◉ 再現性±0.5% or ±0.5℃ ◉ 精度±0.1% or ±0.1℃ ◉ 電源24VDC ◉ 出力4〜20mADC 詳しく見る
◉ 本質安全防爆型赤外線放射温度センサー (6) TIIS（産業安全技術協会）検定取得危険場所（Zone0, 1, & 2）で使用可能石油化学プラント・医薬品工場などの危険物管理区域・爆発性ガス雰囲気での温度測定制御用としてお使いいただけます。 ● 危険場所Zone 0、1 及び2（特別危険箇所、第一類危険箇所及び第二類危険箇所）で使用可 ● 測定温度範囲：-20℃ ～ +1000℃ ● 最大最小設定可能スパン：Max1000℃, Mini100℃（-20〜1000℃範囲で設定可能） ● 2線式、4-20mA出力 ● 本質安全防爆絶縁バリヤ付属 ● USB接続コンフィグレーション設定器「LCT設定器」付属：WindowsPCで付属の専用ソフトでスケーリング・スパン調整・放射率などの設定が可能 ● オプション：固定金具, エアパージキット, 延長ケーブル（10m, 25m） ● 過酷な環境に対応、316 ステンレス容器採用 ● 保護等級IP65 詳しく見る	◉ スマートホン設定式赤外線放射温度センサー (6) 温度範囲・放射率・アラーム等のパラメータをスマートホン、タブレットで設定表示計器、計器用電源を必要とせず簡単に設定できます ● 専用アプリをGoogle Playから無料ダウンロード（Android4.1〜5.1） ● AndroidのNFC通信を使い、センサ部にタッチするだけで読込み・書出しをします。 ● 超小型センサ（Φ31mm x t29mm）狭い場所でも温度測定が可能。 ● 高速応答125msec、高精度±1.5% ● 電圧出力（0-5V or 0-10V）、又はK熱電対出力【その他仕様】 ◉ 視野角：15:1 ◉ 温度範囲：0℃〜1000℃ ◉ 測定波長領域：8〜14μm ◉ 放射率： 0.2〜1.0 ◉ 電源：24VDC（最小6V/10V〜最大28VDC） ◉ ケーブル：1m付属（最長30m延長可能）【オプション】 ◉ 本体固定金具 ◉ 延長ケーブル ◉ エアパージキット詳しく見る