装置基本仕様
■シリンダー型カソードとターゲットの採用
▶ターゲット寿命は長く、その寿命末期まで成膜レートの変動は極小
■最大4基のカソードを搭載可能
▶各種ターゲットの組み合わせによる、幅広い光学特性フィルターの生産が可能
■リアクティブ成膜用イオンソースを搭載
▶成膜時のイオン照射による基板上での酸化膜・窒化膜の成膜が可能。
■大型基板への成膜
▶300mm もしくは 280×330×50 mm サイズの基盤(フラット、曲面)まで対応
▶基盤加熱機構も組み込み可能
■シリンダー型カソードとターゲットの採用
▶ターゲット寿命は長く、その寿命末期まで成膜レートの変動は極小
■最大4基のカソードを搭載可能
▶各種ターゲットの組み合わせによる、幅広い光学特性フィルターの生産が可能
■リアクティブ成膜用イオンソースを搭載
▶成膜時のイオン照射による基板上での酸化膜・窒化膜の成膜が可能。
■大型基板への成膜
▶300mm もしくは 280×330×50 mm サイズの基盤(フラット、曲面)まで対応
▶基盤加熱機構も組み込み可能