独自技術HiTUSテクノロジー
ヘリコンイオンソースをプラズマ源とし、そこから得られた高密度なイオンをターゲットへのバイアス電圧印加によって加速させる画期的なテクノロジーです。
リモートプラズマ方式によるイオンビーム型の成膜法であるため、マグネトロンスパッタ装置が不得意とする強磁性体ターゲットや誘電体ターゲットも安定した製膜を実現します。
イオン源とターゲット印加を個別に制御することにより、幅広い成膜条件への対応が可能となるだけでなく、高レートでの成膜も両立させます。
２インチから８インチ径までのターゲットを多連装し、切り替えながらの多層膜の成膜はもちろん、複数のターゲットへの同時印加でCo-スパッタ成膜も容易に行えます。
ターゲット付近、基盤付近に独立したガス供給も行えるため、酸化膜・窒化膜をはじめとした様々な多層光学薄膜も成膜可能です。
基盤表面がプラズマに晒されないため、基盤表面を低温に保っての成膜が可能となります。
ヘリコンイオンソースをプラズマ源とし、そこから得られた高密度なイオンをターゲットへのバイアス電圧印加によって加速させる画期的なテクノロジーです。
リモートプラズマ方式によるイオンビーム型の成膜法であるため、マグネトロンスパッタ装置が不得意とする強磁性体ターゲットや誘電体ターゲットも安定した製膜を実現します。
イオン源とターゲット印加を個別に制御することにより、幅広い成膜条件への対応が可能となるだけでなく、高レートでの成膜も両立させます。
２インチから８インチ径までのターゲットを多連装し、切り替えながらの多層膜の成膜はもちろん、複数のターゲットへの同時印加でCo-スパッタ成膜も容易に行えます。
ターゲット付近、基盤付近に独立したガス供給も行えるため、酸化膜・窒化膜をはじめとした様々な多層光学薄膜も成膜可能です。
基盤表面がプラズマに晒されないため、基盤表面を低温に保っての成膜が可能となります。
